• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.24 no.3
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• pp.165-168
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• 2015

We demonstrated low-voltage organic thin-film transistors (OTFTs) with bilayer insulators, high-k polymer and low temperature crosslinkable polymer, on a flexible plastic substrate. Poly (vinylidene fluoridetrifluoroethylene) (P(VDF-TrFE)) and poly (2-vinylnaphthalene) are used for high-k polymer gate insulator and low temperature crosslinkable polymer insulators, respectively. The mobility of flexible OTFTs is $0.17cm^2/Vs$ at gate voltages -5 V after bending operation.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.11 no.6
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• pp.952-958
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• 2000

다양한 구조위 트랜스미션 라인과 힌지들을 갖는 고주파용 마이크로머신드 용량성 스위치들이 새롭게 디자인되었고 전기도금 기술, 저온 공정기술, 그리고 건식 식각기술들을 이용하여 제작되었다. 특히, 집적화된 용량성 스위치들이 높은 스위칭 on/off ratio와 on 캐패시턴스를 갖도록 하기 위하여 고유전율을 갖는 SrTiO3라는 상유전체를 절연체로 사용하였다. 제작된 스위치들은 8V의 구동전압, 0.08dB의 삽입손실, 42dB의 높은 isolation, 600의 on/off ratio, 그리고 50pF의 on 캐패시턴스의 특성들을 갖는다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.5 no.5
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• pp.544-551
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• 1995

Rf 마그네트론 반응성 스퍼터링법을 이용하여 Si, SiO$_{2}$/Si 가판의에 전도성 RuO$_{2}$ 박막을 증착하고, 공정변수가 증착되는 박막의 특성에 미치는 영향을 고찰하였다. 대부분의증착조건에서 주상정 구조의 단일상 RuO$_{2}$ 박막이 증착되었으며, 부착원자들의 표면이동도가 낮은 영역에서는 (101) 우선배향성이 관찰되었고, 높은 영역에서는 (200) 우선배향성이 관찰되었다. 증착조건에 따른 박막의 우선배향성 변화는 박막의 결정구조와연관지어 논의되었다. 기판온도 35$0^{\circ}C$에서 증착된 박막은 치밀하고 표면이 평탄하며, 비저항이 90㏁-cm 정도로 낮아서 고유전율 박막의 전극물질로 이용하기에 적합하였다. 45$0^{\circ}C$ 이상의 기판온도에서 증착된 박막은 46㏁-cm 정도로 매우 낮은 비저항을 갖니만 표면이 거칠었다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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• v.33A no.3
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• pp.38-46
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• 1996

The purpose of this study is to develop the miniaturized duplexer filter for mobile communications using high dielectric constant (${\varepsilon}$r > 100, 180) ceramic resonators. Duplexer filter was ocmposed of ceramic resonators which has been developed using BNT system and SCT system, respectively. Developed duplexer filter was formed to have Tx frequency band at 836.5 (($\pm$12.5)MHz and Rx frequency band at 881.5 ($\pm$12.5)MHz. Insertion loss at Tx frequency band was 1.41dB and 1.46dB, insertion loss at Rx frequency band was 3.49dB and 3.65dB, respectively. Especially, duplexer filters using dielectric cermaics with ${\varepsilon}$r = 180 were 8% smaller than commercially manufactured duplexer filters using dielectric ceramics with ${\varepsilon}$r = 90 by murata.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.323-323
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• 2008

Hydro-thermal 방법으로 만들어진 200nm, 300nm, 400nm, 500nm의 $BaTiO_3$를 800 ~ $1100^{\circ}C$ 범위에서 하소하여 하소온도에 따른 결정 구조, 비표면적, 입경의 크기를 조사하였다. 고유전율이면서 안정적 전기적 특성을 가지는 하이브리드 복합체를 만들기 위하여 에폭시와 경화제에 분말의 크기와 하소 온도를 달리한 $BaTiO_3$를 혼합하여 전기적 특성을 조사하였다. 연구 결과 분말의 크기에 의한 영향보다는 하소온도에 따른 영향이 크게 나타남을 볼 수 있었다. 이와 같은 결과는 하소 온도가 증가할 수록 유전체 분말의 응집이 많이 발생하고 이를 에폭시와 혼합시 유전체 함량에 의한 영향보다는 체적비 영향을 크게 받아 나타난 결과로 예상된다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2016.05a
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• pp.166-168
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• 2016

This paper introduces about the structure guide lines of pocket tunneling Field effect transistor. As the pocket length or thickness increase, on-current $I_{on}$ increases. As the pocket thickness is less than 3nm, subthreshold swing (SS) increase. As the dielectric constants of the gate insulator increases, the performance of on-current and subthreshold swing enhances.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1998.11b
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• pp.698-701
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• 1998

PLT(28) ($Pb_{0.72}La_{0.28}Ti_{0.93}O_3$) dielectric thin films have been deposited on Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrates in situ by a laser ablation. We have systematically changed the laser fluence from $0.5\;J/cm^2$ to $3\;J/cm^2$, and deposition temperature from $450^{\circ}C$ to $700^{\circ}C$. The surface morphology was changed from planar grain structure to columnar structure as the nucleation energy was increased. The PLT thin film with columnar structure showed good dielectric properties. It is shown that the deposition temperature strongly affect the film nucleation compared with the laser fluence.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2000.11a
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• pp.559-562
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• 2000

In this paper, coplanar waveguide fed antennas (CPWFAs) insetting two slits to boundary of the square microstrip patch are presented. These slits play roles in not only lowering a resonant frequency but also fine-tuning for the proposed antenna together with open stub of CPW feed line. The CPWFAs were designed and manufactured using microwave dielectrics (Al,Mg)TaO$_2$ having high dielectric-constant ($\varepsilon$r=20). The return loss and input impedance of the CPWFAs were investigated in terms of the slit length and open stub length of CPW feed line. It is shown that a resonant frequency decreases as the slit length increases.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.06a
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• pp.315-316
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• 2007

최근 전자제품의 경박단소화와 고성능화에 대한 관심이 증가하면서 내장형 수동소자 (Embedded Passive Device)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 Ni-coated $BaTiO_3$와 PMMA의 함량 변화에 따른 복합체의 유전적 특성을 연구하였다. Ni-coated $BaTiO_3$첨가량을 0~50%까지 증가시키며 유전율을 측정하였으며, 코팅되지 않은 $BaTiO_3$-PMMA복합체의 유전율과 결과를 비교하였다. 본 연구결과 Ni 코팅에 의한 유전율 증가를 관찰할 수 있었으며, 코팅 상태는 코팅공정시의 시간과 온도 등에 의존한다는 것을 확인하였다. 본 논문에서는 이러한 실험결과를 개선된 혼합법칙을 바탕으로 해석하고자 한다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.8 no.5
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• pp.648-657
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• 1995

정보처리의 다양화, 고속화를 위하여 장래의 집적회로는 다량의 정보를 단시간에 처리하지 않으면 안된다. 종래, 3년에 4배의 고집적화가 실현되어 LSI개발에 기술 견인차의 역할을 하고 있는 DRAM(Dynamic Random Access Memory)은 미세화기술의 한계를 우려하면서도 오히려 개발에 박차를 가하고 있다. 이러한 DRAM의 미세, 대용량화에는 미세가공 기술, 새로운 메모리 셀과 트랜지스터 기술, 새로운 회로 기술, 그 이외에 재료박막기술, Computer aided design/Design automation(CAD/DA) 기술, 검사평가기술 혹은 소형팩키지(package)기술등의 광범위한 기술발전이 뒷받침되어 왔다. 그 중에서 미세가공 기술 및 새로운 트랜지스터 기술과 메모리 셀 기술을 중심으로 개발 동향을 살펴보고 최근에 발표된 1Gbit DRAM의 시제품 기술에 대하여 분석해 보기로 한다.