한국정보통신학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference)
- 한국정보통신학회 2016년도 춘계학술대회
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- Pages.166-168
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- 2016
실리콘 기반 포켓 구조 터널링 전계효과 트랜지스터의 최적 구조 조건
Structure Guide Lines of Silicon-based Pocket Tunnel Field Effect Transistor
- Ahn, Tae-Jun (Department of Electrical, Electronic and Control Engineering, Hankyong National University) ;
- Yu, Yun Seop (Department of Electrical, Electronic and Control Engineering, Hankyong National University)
- 발행 : 2016.05.25
초록
이 논문은 포켓 구조 터널링 전계효과 트랜지스터의 구조에 대한 여러 가지 조건을 소개한다. 포켓의 길이는 길어질수록
This paper introduces about the structure guide lines of pocket tunneling Field effect transistor. As the pocket length or thickness increase, on-current