Characterization of $RuO_2$ Thin Films Deposited by Rf Magnetron Reactive Sputtering

Rf 마그네트론 반응성 스퍼터링법에 의해 증착된 $RuO_2$ 박막의 특성분석

  • 조호진 (서울대학교 공과대학 무기재료공학과) ;
  • 홍석경 (서울대학교 공과대학 무기재료공학과) ;
  • 조해석 (서울대학교 공과대학 무기재료공학과) ;
  • 양홍근 (삼성전자 반도체 특수사업무 기술개발팀) ;
  • 김형준 (서울대학교 공과대학 무기재료공학과)
  • Published : 1995.08.01

Abstract

Rf 마그네트론 반응성 스퍼터링법을 이용하여 Si, SiO$_{2}$/Si 가판의에 전도성 RuO$_{2}$ 박막을 증착하고, 공정변수가 증착되는 박막의 특성에 미치는 영향을 고찰하였다. 대부분의증착조건에서 주상정 구조의 단일상 RuO$_{2}$ 박막이 증착되었으며, 부착원자들의 표면이동도가 낮은 영역에서는 (101) 우선배향성이 관찰되었고, 높은 영역에서는 (200) 우선배향성이 관찰되었다. 증착조건에 따른 박막의 우선배향성 변화는 박막의 결정구조와연관지어 논의되었다. 기판온도 35$0^{\circ}C$에서 증착된 박막은 치밀하고 표면이 평탄하며, 비저항이 90㏁-cm 정도로 낮아서 고유전율 박막의 전극물질로 이용하기에 적합하였다. 45$0^{\circ}C$ 이상의 기판온도에서 증착된 박막은 46㏁-cm 정도로 매우 낮은 비저항을 갖니만 표면이 거칠었다.

Keywords

References

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