• Title/Summary/Keyword: 강유전 상수

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The study of ferroelectric properties for Pb(Mg1/3Ta2/3)O3-PbTiO3 solid solution modified with ZrO2 (ZrO2 첨가에 따른 Pb(Mg1/3Ta2/3)O3-PbTiO3 고용체의 강유전 특성 연구)

  • Kim, B.G.
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.17 no.4
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    • pp.317-321
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    • 2008
  • The $0.65Pb(Mg_{1/3}Ta_{2/3})O_3-0.35PbTiO_3$ (PMT-PT)ceramics were near morphotropic phase boundary. The dielectric constant, the loss, and pyroelectric coefficient of the ceramics were measured as a function of temperature ($25^{\circ}C\;{\sim}\;250^{\circ}C$). The dielectric constant, the loss, and the pyroelectric coefficient could be improved with the addition of small amounts of $ZrO_2$ up to 0.2 mol%. The dielectric and pyroelectric peak temperature are slightly shifted to lower temperatrues with the addition of amount of $ZrO_2$.

Fabrication and properties of ferroelectric BST thin films prepared by sol-gel method (졸-겔법에 의한 강유전 BST 박막의 제조 및 특성)

  • 이진홍;박병옥
    • Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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    • v.11 no.2
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    • pp.60-66
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    • 2001
  • ($Ba_x$$Sr_{1-x}$)$TiO_3$ (x=0.9, 0.7, 0.5) thin films were prepared on ITO-coated glass by sol-gel method. Perovskite phase formation temperature of BST thin films seemed to be higher than $600^{\circ}C$. Peaks of perovskite phase shift to high diffraction angles as the Sr/(Ba+Sr) ratio was increased, due to the smaller ionic size of $Sr^{2+}$ than $Ba^{2+}$ . As a heating temperature was increased, the grain became coarser. And as Sr/(Ba + Sr) ratio was increased, the grain became finer. Dielectric constants of the BST(50/50) thin film are higher and dielectric losses of that are lower than those of the others. Dielectric constant and dielectric loss of the BST(50/50) thin film were 652 and 0.042 at 1kHz, respectively.

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펄스레이져 증착법을 이용한 자기커패시터용 Pt/CoNiFe/$BaTiO_3$/CoNiFe 박막 제조 및 전.자기 특성 연구

  • Na, Yeo-Jin;Yun, Seong-Uk;Kim, Cheol-Seong;Sim, In-Bo
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2011.05a
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    • pp.240.1-240.1
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    • 2011
  • 본 연구에서는 펄스레이져 박막 증착법(Pulsed Laser Deposition;PLD)을 이용하여 연자성의 CoNiFe (CNF) 물질과 강유전 특성의$BaTiO_3$ (BTO) 물질을 다층박막 구조로 제작하여 약자장(H=200 Oe)에 의해 에너지를 집적 시키거나 유전상수를 조절하여 박막의 구조 변화에 따른 커패시턴스 변화를 연구하였다. 다양한 구조의 다층 박막은 Si/$SiO_2$/Ti/Pt(111) 기판상에 PLD을 이용하여 증착하였으며, Phillp's X-선 회절기 (XRD)를 이용하여 결정구조와 격자 상수를 결정하였다. FE-SEM, TEM, AFM 및 EDS를 이용하여 박막 표면/단면의 미세구조 및 물질에 따른 조성비를 확인하였다. 자기적 특성을 위해Vibrating Sample Magnetometer (VSM)를 측정하였고, 전기적 특성은 LCR meter를 이용하여 측정하였다.

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Ferroelectric Properties and DPT in the Perovskite PMT-PT System (Perovskite PMT-PT계의 강유전 특성 및 확산상전이)

  • Kim, Y.J.
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.17 no.2
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    • pp.122-129
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    • 2008
  • Ferroelectric properties of the PMT-PT were also studied from the temperature dependence of hysteresis loops using a method slightly modified from Sawyer-Tower's. Dielectric, pyroelectric and piezoelectric properties of the ceramics in the system PMT-PT were investigated. The resulted densities of the PMT-PT ceramics system were greater than 97 % of the theoretical value. As observed SEM micrograph of the fracture surfaces of the PMT-PT ceramics system, the average grain sizes were increased about 3-5 ${\mu}m$ to 6-8 ${\mu}m$ with increasing sintering temperature. The specimens with PT<0.30 for PMT-PT solid solution system exhibited the dielectric and pyroelectric properties of a typical relaxor ferroelectrics. The composition with the maximum dielectric constant exhibits relatively superior pyroelectric and piezoelectric properties.

Effect of Pb Substitution on Phase Development and Dielectric Properties of $SrTeO_3$Ferroelectric Ceramics ($SrTeO_3$강유전 세라믹스의 상형성 및 유전특성에 미치는 Pb 치환 효과)

  • 천채일;김정석;이봉연;김준철;방규석;이형규
    • Journal of the Korean Ceramic Society
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    • v.38 no.3
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    • pp.251-255
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    • 2001
  • SrTeO$_3$는 312$^{\circ}C$~485$^{\circ}C$의 제한된 온도범위에서 강유전성이 나타난다고 보고된 바 있다. 본 연구에서는 (Sr$_{1-x}$Pb$_{x}$)TeO$_3$(x=0~0.15) 고용체의 상형성 거동, 미세구조, 유전특성 등을 조사하였다. $700^{\circ}C$에서 하소하였을 때 질소 기체 분위기에서는 SrTeO$_3$상이 합성되었지만 공기 중에서는 더욱 산화된 상인 SrTeO$_4$상이 주된 상으로 존재하였다. (Sr$_{1-x}$Pb$_{x}$)TeO$_3$세라믹스에서 Pb 치환량이 0.15 몰까지 증가함에 따라 최적 소결온도가 80$0^{\circ}C$에서 $650^{\circ}C$로 감소하였고, 입자 크기는 증가하였으며, 유전상수가 13에서 25로 증가하였다. 또한, Pb 치환량이 0.05 이상일 때 강유전상이 안정한 온도 영역이 상온까지 확장되었다.

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Ferroelectric properties of the $Ba(La_{1/2}Nb_{1/2})O_3-Pb(Zr_yTi_{1-y})O_3$ceramics with $PbZrO_3$ contents (투광성 $Ba(La_{1/2}Nb_{1/2})O_3-Pb(Zr_yTi_{1-y})O_3$ 세라믹의 $PbZrO_3$조성에 따른 강유전 특성)

  • 류기원;이성갑;배선기;이영희
    • Electrical & Electronic Materials
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    • v.6 no.3
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    • pp.241-247
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    • 1993
  • 본 연구에서는 투광성 0.085Ba(L $a_{1}$2/N $b_{1}$2/) $O_{3}$- 0.915Pb(Z $r_{y}$ $Ti_{1-y}$) $O_{3}$(0.45.leq.y.leq.0.70)세라믹을 2단 소성법으로 제작한 후, PbZr $O_{3}$조성 및 온도에 따른 구조적, 강유전적특성을 측정하였다. XRD측정 결과, PbZr $O_{3}$조성이 감소할수록 결자상수 및 단위격자 체적은 감소하였으며 시편의 결정구조는 입방정계에서 능면체정계, 정방정계로 변화되었다. 8.5/60/40시편의 경우 포화분극, 잔류분극 및 항전계가 각각 33.28[.mu.C/$cm^{2}$], 4.15[kV/cm]로 전형적인 메모리 특성을 나타내었으며 PbZr $O_{3}$조성이 증가함에 따라 강유전 이력곡선은 slim loop특성을 나타내었다. 잔류분극은 온도가 증가함에 따라 감소하였으며 특히 PE-FE상경계 부근에 위치한 조성의 경우, 상전이 온도 이하의 온도에서 급격히 감소하는 경향을 나타내었다.다.

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The dielectric characteristics of $BaTiO_3$ thin capacitor ($BaTiO_3$ 박막 커패시터의 유전특성)

  • 홍경진;김태성;능전준일
    • Electrical & Electronic Materials
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    • v.8 no.5
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    • pp.580-586
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    • 1995
  • 최근 커패시터의 전극은 Pt, Au등으로 이용되고 있다. 이러한 전극의 전기적 특성은 우수하나 고가이다. 본 연구에서는 전극의 저가격화 측면에서 알루미늄 전극 위에 BaTiO$_{3}$를 증착하고 기관의 온도를 실온에서 600[.deg. C]까지 변화시켜 RF스퍼터링법으로 제작하였다. BaTiO$_{3}$세라믹의 유전특성은 구성하고 있는 입자의 강유전 분역 밀도와 입자의 크기에 의존하므로 입자가 성장되는 온도영역에서 입자의 크기와 유전율간의 관계를 연구하였다. 또한 BaTiO$_{3}$박막 커패시터의 유전상수는 BaTiO$_{3}$세라믹과 알루미늄기관의 계면에서 산화특성이 일어나기 때문에 기관온도의 변화에 의해 조사되었다. 기관의 온도를 증가시킴에 따라 결정면의 피크와 강도는 증가하였으며, 유전특성은 결정입자의 크기가 0.8[.mu.m]일때 가장 양호하였다. 유전율값은 기판 온도가 400[.deg. C]일 때 가장 크게 나타났다. 결과적으로, 알루미늄 전극에 BaTiO$_{3}$세라믹을 증착하여 저가의 적층용 세라믹 콘덴서를 제조할 수 있음을 알았다.

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Ferroelectric properties of Pb[(Zr. Sn)Ti]NbO$_3$Thin Films prepared by RF Magnetron Sputtering Method (RF 마그네트론 스퍼터링 방법으로 제작된 Pb[(Zr. Sn)Ti]NbO$_3$박막의 강유전 특성)

  • 최우창;최혁환;이명교;권태하
    • Proceedings of the IEEK Conference
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    • 1999.11a
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    • pp.199-202
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    • 1999
  • 반강유전 물질인 Pb[(Zr. Sn)Ti]NbO₃를 La/sub 0.5/Sr/sub 0.5/CoO₃/Pt/Ti/SiO₂/Si 기판상에 RF 마그네트론 스퍼터링 방법으로 박막화하여 그 결정성과 전기적 특성을 조사하였다. 80 W의 RF power, 400℃의 기판온도, Ar:O₂= 9:0.5의 분위기에서 증착되고, 650 ℃에서 10초동안 RTP(Rapid Thermal Process) 방법으로 열처리된 박막이 가장 우수한 페로브스카이트 구조를 보였으며, 10 ㎑ 에서 유전상수(ε')는 721, 유전손실(tan δ)은 0.06을 나타내었다. 잔류분극(Pr)은 15.5 μC/㎠ 였으며, 항전계(Ec)는 51 ㎸/㎝로 비교적 낮은 값을 나타내었다.

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