• 한국전자파학회논문지
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• 제13권6호
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• pp.599-604
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• 2002

본 논문에서는 편광기를 부착한 차동검출기의 부하저항으로 디지털가변저항을 사용하여 잡음소거 능력을 개선하였다. 이 구조에서는 차동검출기를 구성하는 2개의 포토다이오드에서 검출된 잡음전압의 크기가 항상 동일한 값이 되도록 디지털 가변저항의 크기를 제어하여 잡음광을 소거한다. 이 방식에서는 고정된 부하저항을 사용한 구조에 비하여 신호대잡음비가 약 23 dB 더 향상되었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.407-407
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• 2011

태양전지에서 Fill Factor를 저하시키는 직렬저항의 성분들은 베이스저항, 에미터 저항, contact 저항, finger 저항, busbar 저항 등이 있다. 각각의 저항 성분은 전극의 width및 height, 그리고 전극과 전극 사이의 spacing을 가변함에 따라 각기 다른 값을 나타내는데, 낮은 직렬저항 값을 달성하기 위해 전극의 면적을 크게 하는 것이 바람직하지만, 이는 cell의 shading loss를 증가시켜 cell의 JSC를 저하시킨다. 그러므로 cell의 면적과 전면 에미터의 면저항을 고려하여 shading loss와 직렬저항을 최소화 하는 최적의 전면 전극의 설계가 중요하다. 본 논문에서는 시뮬레이션을 통해 전면 전극의 height, spacing 및 width를 가변하여 1 by 1, 2 by 2, 3 by 3의 cell 면적에서의 전면 전극의 설계를 최적화 하였다. 시뮬레이션 결과 각각의 cell면적에서 단위면적당 저항 값이 500 $m{\Omega}$ 이하, shading loss가 4% 미만인 전극을 설계하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.414.1-414.1
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• 2016

스크린 프린팅법을 이용한 태양전지의 전극은 주로 고가의 은을 사용하기에 태양전지의 저가화에 한계를 가지고 있다. 고효율 결정질 실리콘 태양전지의 원가절감의 문제 해결방안으로 박형 웨이퍼 연구개발이 많은 관심을 받고 있다. 본 연구에서는 은 전극을 대체 할 수 있는 니켈/구리 전극을 사용하였고, 박형 웨이퍼에서도 전극 공정이 가능한 도금법을 사용하여 전극을 형성 하였다. 니켈 전극형성은 광유도 도금법(Light-Induced Plating), 구리 전극형성은 광유도전해도금법(Light-Induced Electro Plating)을 이용하여 실험을 진행 하였다. 니켈 광유도 도금 공정시 공정시간 3 ~ 9분까지 가변하였다. 니켈실리사이드 형성 위해 열처리 공정을 $300{\sim}450^{\circ}C$까지 가변하였고 유지시간 30초 ~ 3분까지 가변하여 실험을 진행하였다. 니켈 도금 수용액의 pH 6 ~ 7.5까지 가변하여 실험하였다. 구리 광유도 전해도금 공정 전류밀도를 $1.6mA/cm^2{\sim}6.4mA/cm^2$까지 가변하여 실험을 진행 후, 전류밀도 $3.2mA/cm^2$로 시간 5 ~ 7분까지 가변하여 실험 하였다. 니켈 도금 공정 시간 5분, 니켈실리사이드 형성 열처리 온도 $350^{\circ}C$, 유지시간 1분에서 DIV(Dark I-V) 분석결과 가장 적은 누설전류를 확인하였다. 니켈 도금액 pH 6.5에서 니켈입자 및 구리입자의 균일성이 좋은 최적의 조건임을 확인하였다. 구리 도금 공정 전류밀도 $3.2mA/cm^2$, 시간 5분에서 TLM(Transmission Line Method) 측정결과 접촉 저항 $0.39{\Omega}$과 접촉 비저항 $12.3{\mu}{\Omega}{\cdot}cm^2$의 저항을 확인하였다. 도금법을 이용하여 전극을 형성함으로써 접촉저항 및 접촉 비저항이 낮고 전극 품질이 향상됨으로서 셀의 전류밀도 $42.49mA/cm^2$를 얻을 수 있었다.

• 전자공학회논문지
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• 제53권5호
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• pp.98-107
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• 2016

합성형 멤리스터 에뮬레이터와 M-R 뮤테이터 기반 멤리스터 에뮬레이터의 특성들을 분석하고 차이점을 비교하였다. 멤리스터는 가변 저항 특성을 갖는 소자로서 저항, 커패시터, 인덕터 다음의 4번째 전기회로 기본소자이다. 멤리스터 에뮬레이터는 이 멤리스터의 가변저항 특성을 전자소자들을 조합하여 구현한 회로인데, 멤리스터 상용화 이전까지의 멤리스터 연구를 위해서는 필수 회로이다. 대표적인 멤리스터 에뮬레이터에는 그 구현 방법에 따라 전자소자들을 조합하여 가변 저항특성을 구현하는 합성형 멤리스터 에뮬레이터와 M-R 뮤테이터를 사용하여 비선형소자로부터 가변저항 특성을 구현하는 M-R 뮤테이터 기반 멤리스터 에뮬레이터가 있다. 본 논문에서는 이 두 가지 에뮬레이터의 구현 방법과 특성들을 분석하고 그 차이점을 연구하였다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제13권12호
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• pp.6046-6051
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• 2012

본 논문에서는 암호화 통신응용을 위한, 트랜스콘덕터에 기반한 비선형 저항으로 이루어진 카오스 추아회로를 구현하였다. 제안하는 회로는 인덕터와 커패시터의 수동소자와, MOS 트랜지스터 기반 가변저항 및 트랜스콘덕터 기반 추아 다이오드로 이루어진다. 제안하는 회로는 SPICE 모의실험결과, 시간파형, 위상특성 및 주파수 해석 등을 통하여 다양한 카오스 다이나믹스를 보여주었다.

• 전자공학회논문지SC
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• 제40권6호
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• pp.8-15
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• 2003

본 논문에서는 차동 링 발진기의 위상 잡음 특성을 향상시키기 위해 선형성을 개선한 차동 지연 셀을 소개한다. 기존의 가변 부하 저항을 사용한 차동 링 발진기는 넓은 주파수 튜닝 영역을 갖는 대신 가변 부하저항으로 사용한 MOSFET 소자의 비선형성으로 인해 위상 잡음 특성이 좋지 않았다. 이러한 문제점을 극복하기 위해, 가변 부하 저항의 선형성을 개선한 새로운 차동 지연 셀을 제안하였다. 제안한 지연 셀의 가변 부하 저항은 기존의 가변 부하 저항 보다 30%이상 선형성을 개선하였음을 확인하였다. 위상 잡음 특성을 비교하기 위해, Ali Hajimiri가 제안한 링 발진기의 위상 잡음 모델을 사용하였다. 제안한 지연 셀로 차동 링 발진기를 구성하여 위상 잡음 특성을 구한 결과, 같은 발진 주파수와 같은 전력소모에서 기존의 링 발진기보다 2∼3㏈c/㎐ 이상의 위상 잡음 특성이 향상된 결과를 얻게 되었다.

• 대한기계학회논문집B
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• 제25권9호
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• pp.1202-1202
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• 2001

• 한국지능시스템학회논문지
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• 제26권4호
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• pp.273-278
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• 2016

본 논문에서는 로렌츠 카오스 회로를 곱셈기, 커패시터, 연산증폭기, 제어저항 등을 이용하여 설계하였다. 제안하는 회로는 SPICE 프로그램을 통하여 시간파형, 주파수 특성, 위상특성 등을 해석하였고, 로렌츠 하드웨어를 구현하여서 시간파형, 주파수 특성, 위상특성, 분기도 특성을 측정하였다. 측정결과, $500k{\Omega}$ 가변 제어 저항의 조건에 따라, 로렌츠 회로는 제어저항의 특정 영역 ($10{\sim}100k{\Omega}$)에서 카오스 신호가 생성됨을 확인하였다. SPICE 모의실험 결과와 일치함을 보였고, 하드웨어의 가변저항을 변화주면서 분기도 특성을 측정하여서 저항 변화에 따라 카오스와 주기적인 분기도 형태를 나타내는 것을 확인하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제7권6호
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• pp.1109-1114
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• 2003

마이크로스트립 선로의 접지면에 슬롯이 있는 SGPS (Split Ground Plane Structure) 구조는 등가적으로 병렬공진 특성을 갖는다. 슬롯의 길이가 특정 주파수의 반파장과 같으면 큰 감쇠특성을 나타낸다. 본 연구에서는 SGPS 구조의 슬롯 중앙에 저항을 두고 저항 값을 가변하면 공진주파수에서 감쇠특성이 변하는 원리를 이용하여 MMIC용 가변 감쇠기를 설계하였다. 이 감쇠기에서 저항대신 PIN 다이오드를 이용하면 송수신기에서 자동이득조절 (AGC) 회로에 응용할 수 있다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제13권10호
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• pp.2066-2070
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• 2009

본 논문에서는 한 개 PIN 다이오드와 두 개 저항을 이용하여 $\pi$-형 고정 감쇠기 구조 형태의 전압 제어 방식의 가변 감쇠기를 설계 및 제작하였다. 제안된 가변 감쇠기는 저항과 외부 인가 전압에 따른 PIN 다이오드의 저항 값의 변화에 따라 원하는 일정 감쇠 범위에서 동작하며, 작은 크기의 회로로 낮은 입력 VSWR 특성과 혼변조 발생 특성을 갖는다. 또한, 제안된 가변 감쇠기에서는 PIN 다이오드에 추가적인 개방 선로를 연결하여 감쇠량의 변화에 따른 위상 변화량을 적게 하였다. 추가적인 개방 선로의 길이는 Deloach 방법과 초고주파 회로 특성을 이용하여 계산하였다. 제안된 가변 감쇠기의 특성을 살펴보기 위하여 2110~2170 MHz 주파수 대역에서 마이크로스트립 기판을 이용하여 가변 감쇠기를 제작하였다. 제작된 감쇠기는 0~2.7 V의 전압 범위에서 4 dB의 감쇠량의 변화를 가졌으며, 이 때 위상 변화량은 2도 이내, 반사계수(S11)는 -20 dB 이하의 값을 가졌다.