• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1432-1433
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• 2006

$Li_{2}CO_3$ doped $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$ ceramics were fabrication by sol-gel method. Sintering temperature must be suited to the LTCC technology. Structure and dielectric properties were investigated for effect of $Li_{2}CO_3$ dopants at BST. Structure of $Li_{2}CO_3$ doped $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$ ceramics were dense and homogeneous with almost no pore. Relative permittivity was decreased and dielectric loss was increased with increasing $Li_{2}CO_3$ doping rations. In the case of the 3wt% $Li_{2}CO_3$ doped $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$ ceramics sintered at $900^{\circ}C$, relative permittivity and dielectric loss were 907 and 0.003 at 100 kHz.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권9호
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• pp.711-717
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• 1998

BST(70/30) and BST(50/50) thin films were prepared by Sol-Gel method and studied about the microstructural and dielectric properties with Pt and ITO bottom electrodes. The stock solution was synthesized and spin coated on the Pt/Ti$SiO_2$/Si and Indium Tin Oxide(ITO)/ glass substrate. the coated films were dries at 350$^{\circ}C$ for 10 minutes and annealed at $750^{\circ}C$ for 1 hour for the crystallization. The thin films coated on ITO substrate were crystallized easily and the packing density and roughness of surface were better that those of films coated on Pt substrates. In the BST(50/50) composition the structural properties were similar to the BST(70/30) composition and grain size were decreased with increasing the contents of Sr. The dielectric constant was higher in the BST(50/50) composition compared with the BST(70/30) composition. Using the ITO substrate, the dielectric constant was higher than the Pt substrate while the dielectric loss was showed a reverse trend. The dielectric constant with and increase of temperature was decreased slowly.

• 공업화학
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• 제3권3호
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• pp.412-421
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• 1992

단결정 기판위에 증착된 고온 초전도 박막은 microelectronic 장치의 실제적인 응용을 위한 가능성을 보여주고 있다. 고온 초전도 Y-Ba-Cu-O 박막을 원료물질로서 $Y(thd)_3$, $Ba(thd)_2$와 $Cu(thd)_2$의 유기금속 킬레이트를 사용하였고 단결정 MgO(100), YSZ(100), $SrTiO_3(100)$와 다결정 $SrTiO_3$기판에 화학증착법을 통해 제조하였다. 박막의 증착두께는 증착시간이 증가함에 따라 선형적으로 증가하였다. 단결정 MgO(100), YSZ(100), $SrTiO_3(100)$ 기판 위에 증착한 Y-Ba-Cu-O 박막은 액체질소 비등온도($T_{C,onset}=87{\sim}89K$, $T_{C,zero}=85{\sim}86K$) 이상에서 초전도성을 나타내었으나 다결정 $SrTiO_3$ 기판은 액체질소 비등온도 이상에서 제로저항을 갖지 않았다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1997년도 한국재료학회 추계학술발표회
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• pp.130-130
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• 1997

• 멤브레인
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• 제22권1호
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• pp.8-15
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• 2012

다공성 $La_{0.6}Sr_{0.4}Ti_{0.3}Fe_{0.7}O_{3-{\delta}}$로 코팅된 $Ba_{0.5}Sr_{0.5}Co_{0.8}Fe_{0.2}O_{3-{\delta}}$ 관형 분리막은 압출성형 및 dip coating 방법으로 제조 되었다. 코팅된 관형 분리막의 특성은 X-선 회절분석기(XRD)와 전자 주사 현미경(SEM)을 이용하여 분석하였으며, 분석결과 $2{\mu}m$의 다공성 코팅 층을 갖는 페롭스카이트 구조임을 알 수 있었다. 산소투과량 분석은 $750{\sim}950^{\circ}C$ 범위에서 공급측과 투과 측을 대기 중 공기와 진공으로 하여 수행되었다. 다공성의 $La_{0.6}Sr_{0.4}Ti_{0.3}Fe_{0.7}O_{3-{\delta}}$로 코팅된 $Ba_{0.5}Sr_{0.5}Co_{0.8}Fe_{0.2}O_{3-{\delta}}$ 관형 분리막의 산소투과량은 $950^{\circ}C$에서 $3.2mL/min{\cdot}cm^2$로 코팅되지 않은 분리막보다 높게 나타났으며, 11일 동안의 장기 안정성 실험결과 코팅 층에 의해 안정성이 증가됨을 알 수 있었다.

• 항공우주시스템공학회지
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• 제13권2호
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• pp.43-50
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• 2019

위성 및 항공기 부속품 등은 온도 영향에 따라 미션의 가능성 및 안전에 큰 영향을 받게 된다. 또한 무인기를 위해 연구가 활발히 진행되고 있는 연료전지 분야에서도 효율성 및 안정성을 위해 온도는 필수적으로 확인되어야 한다. 본 논문은 큐리 온도 이상에서 저항이 급격히 변화하는 PTC 서미스터의 특성을 이용하기 위해 $BaTiO_3$와 세라믹 성분을 변화시킨 $SrTiO_3$를 이용하여 스마트 페인트를 제작하였으며, 박리를 방지하기 위하여 코팅제를 제작해 코팅 후 저항 변화를 확인하였다. 또한 코팅 전후 $BaTiO_3$ 와 $SrTiO_3$의 온도 변화에 따른 저항 변화를 측정하였다.

• 한국전자파학회:학술대회논문집
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• 한국전자파학회 2002년도 종합학술발표회 논문집 Vol.12 No.1
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• pp.370-374
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• 2002

This paper describes the design and fabrication of distributed analog phase shifter circuit. The phase shifter consist of coplanar waveguide(CPW) lines that are periodically loaded with voltage tunable (Ba,Sr)TiO$_3$ thin film interdigital(IDT) capacitors deposited by the pulsed laser deposition(PLD) on (001) MgO single crystals. The phase velocity on these IDT loaded CPW lines is a function of applied bias voltage, thus resulting in analog phase shifting circuits. The measured differential phase shift is 48$^{\circ}$ and the insertion loss decreases from -5㏈ to -3㏈ with increasing bias voltage from 0 to 40 V at 100㎐.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1997년도 추계학술대회 논문집
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• pp.217-220
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• 1997

(Ba,Sr)TiO$_3$ thin film capacitors were prepared on SiO$_3$/Si(100)wafer by RF sputtering technique. The structural and crystallographic properties were studied with deposition conditions and annealing temperatures. Microstructural properties of (Ba,Sr)TiO$_3$ thin films were investigated by the SEM, XRD. The thickness and grain size were studied for the varying of RF power and temperature.

• 한국결정성장학회지
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• 제10권2호
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• pp.111-115
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• 2000

Ba과 Ti의 금속 유기 화합물을 이용하여 (100) $SrTiO_3$ 기판 위에 $BaTIO_3$ 박막을 코팅-열분해법으로 제조하였다. $450^{\circ}C$에서 사전 열처리한 비정질상의 박막은 $2\times 10^{-4}$ atm으로 조정된 산소 분압 하에서 $700^{\circ}C$ 이상의 온도로 열처리함으로써 결정화되었다. $800^{\circ}C$ 이하에서 제조한 박막의 기판에 수직한 면의 격자상수는 cubic $BaTIO_3$의 a 값에 가까우면 $800^{\circ}C$ 이하에서 제조한 박막의 tetragonal $BaTIO_3$ 의 a 값에 가까 웠다. 박막과 기판의 정렬상태를 XRD $\beta$ scan과 pole-figure로 분석한 결과 $BaTIO_3$ 박막은 $SrTiO_3$ 기판과 에피택시 관계가 있었다. $800^{\circ}C$에서 열처리한 박막의 표면은 0.4${\mu}m$ 정도의 섬 형태의 입자로 구성되어 있었고 약 0.8$\mu\textrm{m}$의 두께를 가진 단면은 구형의 입자가 층을 이루고 있었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1998년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
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• pp.798-800
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• 1998

(Ba,Sr)$TiO_3$ thin films were etched with $Cl_2$/Ar gas mixing ratio in an inductively coupled plasma (ICP) by varying the etching parameter such as f power, do bias voltage, and chamber pressure. The etch rate was $560{\AA}/min$ under Cl_2/(Cl_2+Ar)$ gas mixing ratio of 0.2, rf power of 600 W, do bias voltage of 250 V, and chamber pressure of 5 mTorr, At this time, the selectivity of BST to Pt, $SiO_2$ was respectively 0.52, 0.43. The surface reaction of the etched (Ba,Sr)$TiO_3$ thin films was investigated with X-ray photoelectron spectroscopy (XPS).