• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.2
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• pp.632-635
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• 2003

[ $(Ba,Sr,Ca)TiO_3$ ] powders, prepared by the sol-gel method, were mixed with organic vehicle and the BSCT thick films were fabricated by the screen printing techniques on alumina substrates. The dielectric properties were investigated for various composition ratio and $Nb_2O_5$ doping contents. All the BSCT thick films, sintered at $1420^{\circ}C$, showed the typical XRD patterns of a perovskite polycrystalline structure. The Curie temperature and the relative dielectric constant decreased with increasing Ca content and $Nb_2O_5$ doping amount. The relative dielectric constant, dielectric loss and tunability of the BSCT(50/40/10) thick films doped with 1.0wt% $Nb_2O_5$ were 1410, 0.65% and 17.29% respectively.

• 공업화학
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• 제33권6호
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• pp.600-605
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• 2022

V₂O₅-WO₃-TiO₂ 촉매를 담지하여 그래핀(graphene) 기반 세라믹필터를 제조하였으며, 이를 활용하여 질소산화물(NO_x)의 제거실험을 수행하였다. 산화그래핀(graphene oxide, GO)은 흑연(graphite)을 이용하여 Hummer's method에 의해 제조하였고 환원제로 히드라진(N2H4)을 통해 환원 산화그래핀(reduced graphene oxide, rGO)을 제조하였다. 제조된 그래핀을 세라믹필터 표면에 유-무기 하이브리드 원리를 이용하여 코팅하였으며, 여기에 광촉매물질을 담지하였다. 광촉매물질은 바나듐(V), 텅스텐(W), 티타늄(Ti)를 사용하여 sol-gel법에 의해 코팅 후 350 ℃ 소성 공정을 통하여 광촉매담지 세라믹필터를 제조하였다. UV광을 제조된 필터에 조사하여 NO_x의 제거 실험을 수행하였으며, NO_x의 제거 효율은 기존의 세라믹필터보다 GO 및 rGO가 코팅된 경우가 우수하였다. 이는 코팅된 그래핀에 의한 흡착성의 향상 때문으로 판단되며, 그래핀의 농도가 증가함에 따라 보다 높은 NO_x의 제거효율을 확인하였다.

• Journal of Magnetics
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• 제16권2호
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• pp.186-191
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• 2011

[ $YBa_2C_3O_{7-x}$ ]films were fabricated on a $SrTiO_3$ (100) substrate using a trimethylaceate propionic acid (TMAP)-based MOD process by controlling the precursor solution viscosity, firing temperature, and by using various coatings. The viscosity of the precursor solution was controlled by the addition of Xylenes. The films were heat treated with different temperatures from 750 to $800^{\circ}C$. c-axis oriented films were obtained. After adding 9 ml of Xylene into the precursor solution, the $T_c$ of the YBCO film, which was coated 2 times and heat treated at $800^{\circ}C$, was 86 K and the measured $J_c$ was above 2.5 MA/$cm^2$ at 77 K in a zero-field.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제12권5호
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• pp.222-225
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• 2011

Lead zirconate titanate (PZT) films were fabricated on Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrate by the sol-gel method using a sol containing poly(N-vinylpyrrolidone) (PVP). PVP in alkoxide solutions can suppress the condensation reaction in gel films during heat treatment, and increase the viscosity of alkoxide solutions. Single-phase PZT films as thick as 1 ${\mu}m$ were deposited by repetitive coating with successive third-step heat treatments at 150$^{\circ}C$, 350$^{\circ}C$ and 650$^{\circ}C$. After heat treatment, the films were crack free, and optically transparent. As a result, we demonstrated a PZT film with a PVP molar ratio of 0.5, which has a permittivity of 734, a dielectric loss of 0.042, a $P_r$ of 40.5 ${\mu}C/cm^2$ and an $E_c$ of 156 kV/cm.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.204-205
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• 2007

Self-seed 층을 이용한 PLZT(9/65/35), 강유전체 박막을 Sol-Gel 법을 이용해 Pt/Ti/$SiO_2$/Si 기판 위에 증착한 후, Self-seed 층에 의한 PLZT(9/65/35) 박막의 구조적, 전기적 특성을 고찰하였다. Seed 층을 도입하지 않은 PLZT 박막의 경우 다결정 상으로 형성되는 것을 알 수 있었으며, seed 층을 도입한 PLZT 박막은 (110) 방향으로 우선 배향됨을 알 수 있었다. 증착된 PLZT(9/65/35) 박막의 유전율 및 유전손살은 10kHz에서 유전율 205, 유전손살 0.029 이었으며, Self-seed layer를 도입한 PLZT 박막의 경우 seed layer를 도입하지 않은 PLZT 박막보다 낮은 온도에서 결정화 되는 것을 관찰 할 수 있었다. Self-seed layer가 도입된 PLZT(9/65/35) 박막의 경우 잔류분극 ($P_r$) 값은 $9.1{\mu}C/cm^2$, 항전계($E_c$)는 47 kV/cm을 나타내었다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제6권2호
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• pp.35-38
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• 2005

Pb(Zr$_{0.8}$Ti$_{0.2}$)O$_{3}$ powders, prepared by the sol-gel method, were mixed with an organic vehicle and the PZT thick films were fabricated by the screen-printing techniques on Pt/Ah03 substrates. The structural properties were examined as a function of sintering temperature. The particle size distribution of the PZT powder derived from the sol-gel process is uniform with the mean particle size of about 2.6 m. As a result of the DTA, the formation of the polycrystalline perovskite phase was observed at around $890^{circ}$CC. In the X-ray diffraction analysis, all PZT thick films showed a perovskite polycrystalline structure without a pyrochlore phase. The perovskite crystallization temperature of PZT thick films was about $890^{circ}$C. The average thickness of the PZT thick films was approximately 80-90 m.

• 한국염색가공학회:학술대회논문집
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• 한국염색가공학회 2008년도 제39차 학술발표회
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• pp.123-124
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• 2008

본 연구는 $TiO_2$ 졸을 제조한 후 폴리에스테르 표준백포에 1차로 패딩한 후 불소고분자의 탄소수가 6개인 플르오르 실란계 발수제(UNIDYNE TG-5521, DAIKIN)를 2차로 패딩하여 그에 따른 발수성과 방오성, 발유성 향상에 관한 연구이다.

• 한국자기학회지
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• 제13권6호
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• pp.237-242
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• 2003

$Ti_{1-x}$$^{57}$ F $e_{x}$ $O_2$(0.0$\leq$x$\leq$0.7) 분말을 졸-겔법으로 제조하여 $^{57}$ Fe의 치환량에 따른 결정학적 및 자기적 성질을 연구하였다. X-선 회절 및 중성자 회절실험을 통하며 모든 시료가 anatase 구조를 갖는 순수한 단일상임을 확인할 수 있었다. 진동시료자화율측정기 (VSM)를 통한 자기모멘트의 측정 결과, $^{57}$ Fe의 치환량이 증가함에 따라 상온에서의 Fe 원자 당 자기모멘트 값이 급격히 감소하는 매우 독특한 현상을 관측할 수 있었다. x$\leq$0.01 치환량을 갖는 시료들은 분명한 강자성 거동을 보였으며, x$\geq$0.03 치환량을 갖는 시료들에 대해서는 상자성 형태의 자화곡선이 관측되었다. 이에 대하여 14 K 부터 400 K까지 Mossbauer 분광실험을 한 결과 x$\leq$0.01 치환량을 갖는 시료의 경우 Ti $O_2$내의 $^{57}$ Fe가 상온에서 강자성(sextet)과 상자성(doublet) 형태로 동시에 존재함을 확인할 수 있었고, x$\geq$0.03 치환량을 갖는 시료들에 대해선 오직 상자성 상만을 나타내는 날카로운 doublet만이 존재함을 확인할 수 있었다. 이는 Mossbauer와 VSM 두 결과가 잘 일치함을 보여주고 있고, 상온에서 강자성을 나타내기 위한 $^{57}$ Fe의 치환한계가 x=0.01과 0.03 사이에 있음을 말해 주고 있다. 또한, 상온에서 강자성 성질을 갖는 x$\leq$0.01 시료들로부터 얻은 자기 모멘트 값이 매우 작은 것은 치환된 $^{57}$ Fe의 강자성 상과 상자성 상이 동시에 기여하기 때문에 얻어진 결과로 해석될 수 있다.다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
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• pp.1261-1262
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• 2007

At first the $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_{3}$-MgO powder with $B_{2}O_{3}-Li_{2}CO_{3}$ were made by the Sol-Gel method. And then the thick films of BST-MgO with $B_{2}O_{3}-Li_{2}CO_{3}$ were fabricated on the $Al_{2}O_{3}$ substrates coated with Pt by the screen printing method. The structural and dielectric properties of the BST-MgO thick film with $B_{2}O_{3}-Li_{2}CO_{3}$ addition were investigated. The structure of the BST-MgO with $B_{2}O_{3}-Li_{2}CO_{3}$ thick films were dense and homogeneous with no pores. The dielectric constant and dielectric loss were increased with decreasing the $B_{2}O_{3}-Li_{2}CO_{3}$ addition ratio.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제17권2호
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• pp.178-183
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• 2004

PBT thin film was known to be a representative for the FeRAM devices because of its good ferroelectric proporties and the ease in fabricating the thin film. However, there have been several problems such as polarization fatigue and leakage current in memory devices with a PZT thin film. In this study, Sm-dolled PZT thin films were fabricated by the so1-gel method, and their ferroelectric and dielectric proportrics were compared as a function of Sm content. We investigated the effect of the Sm dopant on structural and electrical properties of PZT film. Sm-doped PZT thin films on the Pt/Ti/SiO$_2$/Si substrates have been prepared by a sol-gel method. The remanent polarization and coercive field decreased with increasing the concentration of Sm. The dielectric constant and dielectric loss decreased with Increasing Sm content. Sm-doped PZT thin films showed improved fatigue characteristics compared to the undoped PZT thin film.