• 한국토양비료학회지
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• 제20권1호
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• pp.55-61
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• 1987

담수상태(湛水狀態)의 논토양중(土壤中) 유기물함량(有機物含量), 온도(溫度), pH 질소비종(窒素肥種) 및 시비량등(施肥量等)을 달리했을때 탈질작용(脫窒作用)과 탈질량(脫窒量)을 알고저 질내(窒內)에서 항온시험(恒溫試驗)한 결과(結果)를 요약(要約)하면 다음과 같다. 1. 담수상태(湛水狀態)의 논토양(土壤)에서 탈질량(脫窒量)에 관계(關係)가 큰 요인(要因)은 토양유기물함량(土壤有機物含量) > 항온온도(恒溫溫度) > pH가(價) > 질소비종(窒素肥種) > 질소시비량(窒素施肥量)의 순(順)으로 컸다. 2. $N_2O$ gas의 생성량(生成量)은 토양유기물함량(土壤有機物含量) 3.0%인 토양(土壤)에서 항온온도(恒溫溫度) $20^{\circ}C$, pH 6.0일때 $KNO_3$ 20mg/100 토양(土壤) 시용구(施用區)에서 가장 많았다. 3. $N_2O$ gas 1 mole 생성(生成)하는데 소모(消耗)되는 탄소(炭素)는 전체평균(全體平均)이 0.5 mole 이였으며 탄소량(炭素量)이 제일(第一) 많이 요구(要求)되는 경우는 토양유기물함량(土壤有機物含量) 1.0%인 토양(土壤)에서 류안(硫安) 10mg/100g 토양(土壤) 시용시(施用時)(1.06 mole)였으며 제일(第一)적은 탄소요구(炭素要求)의 경우는 유기물함량(有機物含量) 3.0%인 토양(土壤)에서 $KNO_3$ 20mg/100g 토양(土壤) 시용시(施用時)(0.13 mole)였다. 4. Michealis-Menten의 효소반응식(酵素反應式)에서 유도(誘導)된 $N_2O$ gas의 V/2가(價)는 유기물(有機物) 1.0% 토양(土壤)에서 $(NH_2)_2CO$ 시용시(施用時) 550, $KNO_3$ 시용시(施用時)는 $1100N_2O{\mu}g/100g$ 토양(土壤)이였고 3.0%인 토양(土壤)에서 $(NH_4)_2SO_4$ 시용시(施用時)는 $490N_2O{\mu}g/100g$ 토양(土壤)이였으며 $KNO_3$ 시용시(施用時)는 시비량(施肥量)이 증가(增加)할수록 V/2가(價)는 계속 증가(增加)되었다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제5권2호
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• pp.107-112
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• 2005

We present an AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor-heterostructure field effect transistor (MIS-HFET) with an $Al_2O_3-HfO_2$ laminated high-k dielectric, deposited by plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD). Based on capacitance-voltage measurements, the dielectric constant of the deposited $Al_2O_3-HfO_2$ laminated layer was estimated to be as high as 15. The fabricated MIS-HFET with a gate length of 102 m exhibited a maximum drain current of 500 mA/mm and maximum tr-ansconductance of 125 mS/mm. The gate leakage current was at least 4 orders of magnitude lower than that of the reference HFET. The pulsed current-voltage curve revealed that the $Al_2O_3-HfO_2$ laminated dielectric effectively passivated the surface of the device.

• 한국토양비료학회지
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• 제45권3호
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• pp.451-458
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• 2012

본 연구는 콩 재배 화산회 토양에서 질소시비 수준 및 강우, 온도 환경 변화에 따른 $N_2O$ 배출량을 측정하고 배출에 영향을 미치는 요인 특성을 구명하기 위하여 제주특별자치도 농업기술원 시험포장에서 2년간 (2010~2011년) 수행되었다. 콩 재배기간 동안 $N_2O$ 배출량은 질소시비량이 많을수록 많았다. 재배시기별 $N_2O$ 배출량은 강우량이 많은 재배 초기와 중기에 많았으나, 강우가 적고 한발 시기인 재배 말기에는 매우 적거나 거의 없는 경향을 보였다. $N_2O$ 배출 양상은 강우량 및 토양수분함량 변화와 대체로 유사한 경향을 보였다. $N_2O$ 배출량과 상관관계($r$)를 분석한 결과, '10년도에는 토양수분, 토양온도 및 토양 EC는 각각 $0.6312^{**}$, $0.4591^{**}$, $0.3691^{**}$로 모두 고도로 유의성이 인정되었다. 그러나 '11년도의 경우는 토양수분과는 $0.4821^{**}$로 고도로 유의성이 인정되었으나, 토양온도와 토양 EC와는 각각 0.1646, 0.1543로 유의성이 인정되지 않았다. $NO_3$-N과 토양 질소 ($NO_3-N+NO_4-N$)와는 각각 $0.6902^{**}$, $0.6277^*$로 유의성이 인정되었으나, $NO_4$-N과는 0.1775로 유의성은 인정되지 않았다. 질소 시비량에 따른 2년 동안의 $N_2O$ 배출량을 배출계수로 환산한 값은 0.0202 ($N_2O$-N kg $N^{-1}\;kg^{-1}$)로, 일본의 배출계수인 0.0073 $N_2O$-N kg $N^{-1}\;kg^{-1}$보다는 약 2.8배, 2006 IPCC 가이드라인의 기본계수인 0.0100 $N_2O$-N kg $N^{-1}\;kg^{-1}$보다는 약 2배 정도 높은 것으로 분석되었다.

• 한국대기환경학회지
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• 제10권1호
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• pp.64-72
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• 1994

Recently, the acid precipitation, composed primarily of dilute $H_2$S $O_4$, HN $O_3$and originating from the burning of fossil fules, has become one of the major environmental problems. This study was carried out to investigate the chemical features of precipitation at Sobaek-san Meteorological Observation Station(mean sea level; 1,340m, 36$^{\circ}$56’N, 128$^{\circ}$27' E)from May 1991 to December 1993. The major Point in this study divided the whole wind directions into two parts. And, the two parts are the north- westerly wind case and south-easterly wind case. The concentration of anions and cations in precipitation were measured by ion chromatography(Dionex 4000i). The volumn weighted mean pH and conductivity values of the whole precipitation period were 5.26, 14.3$mutextrm{s}$/cm, respectively. The order and frequency rate of the major anions concentration in the north- westerly and south easterly wind case were S $O_4$$^{2-}$(49.3%) ＞ N $O_3$$^{[-10]}$ (23.9%) ＞ C $l^{[-10]}$ (14.8%) ＞ $F^{[-10]}$ (12.0%) and S $O_4$$^{2-}$(61.1% ) ＞ N $O_3$$^{[-10]}$ (21.5%) ＞ C $l^{[-10]}$ (13.5%) ＞ F/sip -/(4.0%), respectively. The order and frequency rate of the major cations concentration in the north-westerly and south- easterly wind case were $Ca^{2+}$(49.3%) > N $H_4$$^{+}$(24.2%) >N $a^{+}$(22.4%) ＞M $g^{2+}$(14.9%) > $K^{+}$(3.8%) and N $H_4$$^{+}$(4:3.8%) $Ca^{2+}$(28.6%) ＞ N $a^{+}$(16.8%) > $K^{+}$(6.3%) > $Mg^{2+}$(4.5%), respectively. The larger anions and cations concentration values than others were S $O_4$$^{2-}$, N $O_3$$^{[-10]}$ and $Ca^{2+}$, N $H_4$$^{+}$, respectively. The correlation coefficient between pH value and ion concentrations for the north-westerly and south-easterly wind case was shown less than 0.5 except for Ca/.sup 2+/ in the statistical analysis SPSS. But the correlation coefficient for the all wind case between sulfate and cations was shown high correlation above 0.6.correlation above 0.6.

• 대한화학회지
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• 제25권2호
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• pp.61-66
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• 1981

팔면체 [M(Ⅲ)$A_3B_3$]형태 착물의 쌍극자모멘트에 ${\pi}$결합 분자궤도함수의 기여분을 계산하는 방법을 발전시켰다. [M(Ⅲ) = Ti(Ⅲ), V(Ⅲ), Cr(Ⅲ), Fe(Ⅲ), 또는 Co(Ⅲ); A = O 또는 N; B = N, S 또는 Cl] 쌍극자모멘트에 대한 ${\pi}$결합 분자궤도함수의 기여분은 ${\sigma}$결합 분자궤도함수의 기여분보다 작지만 비 편재화 ${\pi}$전자를 가지고 있는 킬레이트 착물에 까지도 무시할 수 없음이 발견되었다. 계산한 쌍극자모멘트가 ${\sigma}$결합 형성 만을 가정했을 때 보다 실험치에 가까웠다.

• 대한수학회논문집
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• 제34권4호
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• pp.1105-1115
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• 2019

For positive integers n and k, let $S_k(n)$ and $S^{\prime}_k(n)$ be the sums of the elements in the finite sets {$x^k:1{\leq}x{\leq}n$, (x, n) = 1} and {$x^k:1{\leq}x{\leq}n/2$, (x, n) = 1}respectively. The formulae for both $S_k(n)$ and $S^{\prime}_k(n)$ are established. The explicit formulae when k = 1, 2, 3 are also given.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2002년도 추계학술대회 발표 논문집
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• pp.85-90
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• 2002

$RuO_2$/GaN and related contacts were investigated for Schottky contacts in GaN-Based optical and electronic devices. We demonstrated that an $RuO_2$ film forms a stable Schottky contact on a GaN layer with a barrier height (${\Phi}_B$) of 1.46 eV and transmittance of 70% in the visible and near UV region. $RuO_2$/GaN Schottky diode showed a breakdown at over -50V and leakage current of only 0.3 nA at -5V. The $RuO_2$/GaN Schottky type photodetector had the UV/Visible rejection ratio of over $10^5$ and the responsivity of 0.23 A/W at 330 nm. The $RuO_2$ gate AlGaN/GaN EFET exhibited high drain current ($I_d$) of 689.3 mA/mm and high transconductance ($g_m$) of 197.4 mS/mm. Cut-Off frequency ($f_t$) and maximum operating frequency ($f_{max}$) were measured as 27.0 GHz and 45.5 GHz, respectively.

• 한국해양공학회:학술대회논문집
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• 한국해양공학회 2006년 창립20주년기념 정기학술대회 및 국제워크샵
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• pp.166-168
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• 2006

$Si_3N_4/SiC$ composite ceramics was sintered in order to investigate their bending strength behavior after crack healing. $Y_2O_$ and $TiO_2$ power was added as sintering additives to enhance it's sintering property. A three-point bending specimen was cut out from sintered plates. About $100\;{\mu}m$ semi-circular surface cracks were made on the center of the tension surface of the three-point bending specimen using Vickers indenter. After the crack-healing processing from $500^{\circ}C$ to $1300^{\circ}C$, for 1 h, in air, the bending strength behavior of these crack-healed specimen coated with $SiO_2$ colloidal were determined systematically at room temperature. $Si_3N_4/SiC$ ceramics using additive powder ($Y_2O_3+TiO_2$) was superior to that of additive powder $Y_2O_3$. The additive powder $TiO_2$ exerted influence at growth of $Si_3N_4$. The optimum crack healing conditions coated $SiO_2$ colloidal were $1000^{\circ}C$ at $Si_3N_4/SiC$ using additive powder ($Y_2O_3+TiO_2$), and $1300^{\circ}C$ at $Si_3N_4/SiC$ using additive powder $Y_2O_3$.

• 한국응용과학기술학회지
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• 제38권3호
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• pp.832-839
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• 2021

양이온 계면활성제인 tetradecyltrimethylammonium bromide (TTAB)에 의한 크레졸 이성질체의 가용화에 미치는 치환기, 온도 그리고 NaCl과 n-부탄올과 같은 첨가제의 효과를 UV-Vis법으로 측정하였다. 가용화상수(K_s)값은 o-크레졸s값은 감소하였다. 크레졸 이성질체들의 가용화에 대하여 계산한 ∆G^o값과 ∆H^o값은 모두 음의 값을 나타내었다. 그러나 ∆S^o값은 모두 양의 값을 나타내었다. 또한 ∆G^o값은 n-부탄올의 농도가 증가할수록 증가하는 경향을 그러나 NaCl의 농도가 증가할수록 더욱 감소하는 경향을 보였다. 이러한 사실들로부터 크레졸 이성질체들의 가용화에는 엔탈피와 엔트로피가 동시에 기여하고 있으며, 또한 크레졸분자들이 가용화되는 위치는 미셀의 표면이나 palisade층에서 주로 이루어짐을 알 수 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.315-315
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• 2013

We report the electronic structure modification in the swift heavy ion (SHI) irradiated N-doped ZnO thin films prepared by RF sputtering from ZnO target in different ratio of Ar/$N_2$ gas mixture using highly pure $N_2$ gas. The different N-ZnO thin lms were then irradiated with 120 MeV Ag ion beam with different doses ranging from $1{\times}10^{11}$ to $5{\times}10^{12}$ ions/$cm^2$ and characterized by XRD and near edge X-ray absorption ne structure (NEXAFS) at N and O K-edges. The NEXAFS measurements provide direct evidence of O 2p and Zn 3d orbital hybridization and also the bonding of N ions with Zn and O ions. The minimum value of resistivity of $790{\Omega}cm$, a Hall mobility of $22cm^2V^-1s^-1$ and the carrier concentration of $3.6{\times}10^{14}cm^{-3}$ were yielded at 75% $N_2$. X-ray diffraction (XRD) measurements revealed that N-doped ZnO films had the preferential orientation of (002) plane for all samples, while crystallinity start decreasing at 32.5% $N_2$. The average crystallite size varies from 5.7 to 8.2 nm for 75% and then decreases to 7.8 nm for 80% $Ar:N_2$ ratio.