최근 친환경적이고 저투자비용의 빠른 생산성을 가진 야금화학적인 방법으로의 태양전지급 실리콘 생산공정이 빠르게 성장하고 있다. 이로 인해 금속급 실리콘(MG-Si)에서부터 태양전지급 실리콘(SoG-Si)으로의 정련공정 또한 많은 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 UMG-Si 내 주요 불순물인 Boron함량을 SoG-Si 순도로 정련하는 것을 목표로 기존의 방법과 달리 전자기연속주조정련법을 사용하여 도가니 비접촉식 용융 후 스팀플라즈마토치를 통해 Boron을 제거하고자 하였다. 실험에 사용한 가스 유량은 $H_2O$ 0.3~1.0ml/min, $H_2$ 20~40ml/min 이며 실험 후 ICP-MASS 분석 결과 초기 Boron 함량 2.9ppm으로부터 0.17ppm으로 줄었음을 확인하였다.
International Journal of Internet, Broadcasting and Communication
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제12권2호
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pp.21-29
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2020
This paper presents an effective single image haze removal using edge-preserving and adaptive transmission estimation to enhance the visibility of outdoor images vulnerable to weather and environmental conditions with computational complexity reduction. The conventional methods involve the time-consuming refinement process. The proposed transmission estimation however does not require the refinement, since it preserves the edges effectively, which selects one between the pixel-based dark channel and the patch-based dark channel in the vicinity of edges. Moreover, we propose an adaptive transmission estimation to improve the visual quality particularly in bright areas like sky. Experimental results with various hazy images represent that the proposed method is superior to the conventional methods in both subjective visual quality and computational complexity. The proposed method can be adopted to compose a haze removal module for realtime devices such as mobile devices, digital cameras, autonomous vehicles, and so on as well as PCs that have enough processing resources.
The effect of ozone and/or ultrasound treatments on the efficiency of slurry removal in post sliced cleaning (PSC) of silicon ingot was studied. Efficiency of slurry removal was evaluated as functions of time, temperature and surfactant with DOE (Design of Experiment) method. Residual slurries were observed on the wafer surface in case of cleaning by ozone or ultrasound separately. However, a clean wafer surface was appeared when cleaned with ozone and ultrasound simultaneously. It has found that cleaning time was the main effect among temperature, time and surfactant. Elevated temperature, addition of surfactant and high ozone concentration helped to accelerate efficient removal of slurry. The improvement of removal efficiency seems to be related to the formation of more active OH radicals. The highly cleaned surface was achieved at 10 wt% ozone, 1 min and 10 vol% surfactant with ultrasound. Application of ozone and ultrasound might be a useful method for PSC process in wafer cleaning.
본 연구에서는 황산을 이용하여 폐에나멜동선에서 에나멜의 효과적인 제거와 실험온도 $80^{\circ}C$ 상에서 과산화수소와 질산을 사용하여 유기물질의 분해에 대하여 연구하였다. 무균조에 에나멜동선과 황산을 넣고 과산화수소, 질산을 첨가하였다. 동선의 표면 에나멜은 90% 황산에 분해되었으며, 이 용액은 35% 과산화수소 또는 60% $HNO_3$에 분해되었다. 과산화수소에서 과산화수소 황산의 $H_2O$와의 비는 적어도 8.8 : 1.0 이었다. 초기에 황산농도에서의 분해는 15분내에 이루어졌으며 박리시간은 약 2 시간 이었다. 반응조내에서 과산화수소와 질산농도는 상대적으로 낮지만 에나멜 물질을 제거하기에는 충분한 양이었다. 동선에 피복된 에나멜 물질을 제거하는 것은 황산에 의한 탈수반응과 $H_2O_2$와 $HNO_3$에 의한 산화분해반응에 있다.
The removal efficiency of Cu and Fe contaminants on the silicon wafer surface was examined to investigate the effect of cleaning solutions on the behavior of metallic impurities. Silicon wafers were intentionally contaminated with Cu and Fe solutions by spin coating and cleaned in different types of cleaning solutions based on $NH_4OH/H_2O_2/H_2O\;(SC1),\;H_2O_2/HCl/H_2O$ (SC2), and/or HCl/$H_2O$ (m-SC2) mixtures. The concentration of metallic contaminants on the silicon wafer surface before and after cleaning was analyzed by vapor phase decomposition/inductively coupled plasma-mass spectrometry (VPD/ICP-MS). Cu ions were effectively removed both in alkali (SC1) and in acid (SC2) based solutions. When $H_2O_2$ was not added to SC2 solution like m-SC2, the removal efficiency of Cu impurities was decreased drastically. The efficiency of Cu ions in SC1 was not changed by increasing cleaning temperature. Fe ions were soluble only in acid solution like SC2 or m-SC2 solution. The removal efficiencies of Fe ions in acid solutions were enhanced by increasing cleaning temperature. It is found that the behavior of metallic contaminants as Cu and Fe from silicon surfaces in cleaning solutions could be explained in terms of Pourbaix diagram.
$250{\sim}400^{\circ}C$ 범위에서 $NO_x$ 제거를 위해 운영되는 선택적 촉매 환원법의 반응 온도를 $200^{\circ}C$ 이하로 낮추기 위해서는 NO를 $NO_2$로 산화시키는 전처리 공정을 필요로 한다. 이번 연구에서는 분말 $NaClO_2(s)$를 이용하여 NO를 $NO_2$로 산화시킨 후, 탄소 분산형 촉매를 이용한 저온에서의 $NO_x$, $SO_2$ 동시 제거에 관한 실험실 규모 실험과 제철소 소결 공장에서 실제 배기가스를 이용하는 bench 규모 실험을 진행하였다. 실험실 규모 실험에서는 반응기에 $NaClO_2(s)$ (2.4~3.6 g)를 충진 하여 $NO_x$ 200 ppm, $SO_2$ 75 ppm, $H_2O$ 10%, $O_2$ 15%의 모사가스(2.6 L/min)를 통과시켰으며, $NaClO_2(s)$와 반응 후의 모사가스를 탄소 분산형 촉매가 충진 된 반응기(공간 속도 = $2,000hr^{-1}$)로 주입하였다. bench 규모 실험에서는 $50Nm^3/hr$의 배기가스 유량에 screw feeder로 $NaClO_2(s)$ 분말을 주입하여 NO를 $NO_2$로 산화 시킨 후, $1,000hr^{-1}$ 탄소 분산형 촉매를 통과하여 $NO_x$ 제거 가능성을 확인하였다. 실험실 규모와 bench 규모 실험 모두 $SO_2$를 측정하며 $NO_x$, $SO_2$ 동시 제거 가능성을 확인하였다. 그 결과 실험실 규모와 bench 규모 실험 모두 $NaClO_2(s)$에 의하여 NO가 $NO_2$로 산화되었고, 이를 결합한 탄소 분산형 촉매에서 90% 이상의 $NO_x$, $SO_2$ 제거 효율을 나타내는 것을 확인하였다. 이상의 실험 결과로부터 $NaClO_2(s)$와 탄소 분산형 촉매의 결합은 저온에서 $NO_x$와 $SO_2$를 동시에 제거할 수 있음을 알 수 있었다.
Phenanthrene 오염토양 정화를 위한 동전기-펜턴 공정에서, 전해질의 종류와 전극반응에 따른 전기삼투유량의 변화와 오염물의 분해율을 관찰하였다. 전압경사는 초기에 감소하였다가 다시 증가하였는데, 이는 전류가 공급됨에 따라 이 온이 토양 내로 유입되어 전도도가 증가하였다가, 전기삼투 및 전기이동 현상에 의해 이온이 유출수를 통하여 빠져 나가 토양 내의 이온 농도가 다시 감소하여 전도도가 감소하였기 때문이다 총 전기삼투유량은 $NaCl>KH_2PO_4>MgSO_4$의 순서로 나타났는데, 이는 같은 몰농도(M)에서 $MgSO_4$의 이온세기가 다른 전해질보다 높았기 때문이다. 과산화수소를 첨가했을 경우는, 첨가하지 않은 경우보다 펜턴 반응에 의한 산화분해로 제거율이 향상되었다. NaCl의 경우, 양극 전극조에서 전극 반응에 의해 생성된 염소 가스($Cl_2$)가 산성조건에서 용해되어 형성된 하이포아염소산 (HClO)이 오염물의 산화분해를 증가시켜 다른 전해질보다 높은 제거율을 나타내었다. 따라서 동전기-펜턴 공정에서 제거율을 향상시키기 위해서는, 전해질이 토양 내에서 동전기적 이동 메커니즘에 미치는 영향과 더불어 양극 전극조에서의 전극 반응에 의한 생성물의 특성 또한 고려되어야 한다.
본 연구에서는 필터를 이용하여 가스상 황화합물들을 필터 방식으로 제거하는 특성을 비교 분석하고자 하였다. 이를 위해, 이산화황으로 대표되는 산화황화합물과 황화수소를 위시한 5가지 환원황화합물 ($H_2S$, $CH_3SH$, DMS, $CS_2$, 와 DMDS)을 동시에 함유한 표준가스를 준비하였다. 그리고 이 가스를 연구대상으로 정한 글래스파이버 필터에 흘려주면서, 필터 통과 유무에 따른 농도차를 분석하였다. 이러한 자료를 토대로 황성분들의 제거특성을 각각의 황성분에 대비하여 해석하였다. 그 결과에 의하면, 이산화황은 필터에 의해 거의 완전하게 제거되지만, 환원황성분들은 각자의 반응성에 따라 상당히 차별화된 결과를 보였다. 반응성이 가장 강한 황화수소는 60% 가까이 제거되었다. 그러나 이에 반해, 분자량이 큰 성분들(DMS, $CS_2$, DMDS)은 필터에 제거되지 않고 거의 통과하는 것으로 나타났다.
This study is focused on manganese (Mn(II)) removal by ozonation in surface water. Instant ozone demand for the water was 0.5 mg/L in the study. When 0.5 mg/L of Mn(II) is existed in water, the optimum ozone concentration was 1.25 mg/L with reaction time 10 minutes to meet the drinking water regulation. The ozone concentration to meet the drinking water regulation was much higher than the stoichiometric concentration. The reaction of soluble manganese removal was so fast that the reaction time does not affect the removal dramatically. When Mn(II) is existed with Fe, the removal of Mn(II) was not affected by Fe ion. However As(V) is existed as co-ion the removal of Mn(II) was decreased by 10%. Adding ozone to surface water has limited effect to remove dissolved organic matter. When ozone is used as oxidant to remove Mn(II) in the water, the existing co-ion should be evaluated to determine optimum concentration.
To remove sulfur dioxide from flue gas by the method of metal oxide, copper powder of average diameter $2.4\mu\textrm{m}$and $51\mu\textrm{m}$ were used in a fixed bed reactor over a, temperature range of $300^{\circ}C-500^{\circ}C$. Copper oxide reacts with sulfur dioxide producing cupric sulfate and it can be regenerated from the latter by using hydrogen or methane. Experimental results showed that the reaction rate was increased by the increase of reaction temperature in the range of $300^{\circ}C-422^{\circ}C$ and the removal efficiency of sulfur dioxide was high in case of small size copper particle. However the removal efficiency was decreased at higher temperature due to decomposition of cupric sulfate. The rate controlling step of this reaction was chemical reaction and deactivating catalysts model can be applied to this reaction. The rate constants for this reaction and deactivation are as follows : k=8,367exp(-10,298/RT) Kd=2.23exp(-8,485/RT)
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[게시일 2004년 10월 1일]
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