• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2017년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.126-126
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• 2017

Using first principles calculations we unveil fundamental mechanism of hydrolysis reactions of two hazardous chemicals $PCl_3$ and $POCl_3$ with molecular water clusters nearby. It is found that the water molecules play a key role as a catalyst significantly lowing the activation barriers by transferring its protons to the reaction intermediates. Interestingly, torsional angles of molecular complexes at transition states are identified as a vital descriptor on the reaction rate. Analysis of charge distribution over the complexes further reinforces the finding with atomic level correlation between the torsional angle and variation of the orbital hybridization state of P in the complex. Electronic charge separation (or polarization) enhances thermodynamic stability of the activated complex at transition state and reduces the activation energy through hydrogen bonding network with water molecules nearby. Calculated potential energy surfaces (PES) for the hydrolysis reactions of $PCl_3$ and $POCl_3$ depict their two contrastingly different profiles of double- and triple-deep wells, respectively. It is ascribed to the unique double-bonding O=P in the $POCl_3$. Our results on the activation free energy show well agreements with previous experimental data within $7kcalmol^{-1}$ deviation.

• 전자공학회논문지D
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• 제35D권7호
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• pp.56-62
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• 1998

Polysilicon resistors with high thermal stability have been fabricated by a new mixed process using POCl$_{3}$ doping and arsenic implantation. Varous temeprature coefficients, which range form 510 ppm/.deg. C to -302 ppm/.deg. C, were shown from the fabricated polysilicon resistors with sheet resistance of 58~107 .ohm./sq in the operating temeprature of 27~150.deg. C. The temperature coefficient of the polysilicon resistor by the mixed technology was about 4.3 times as low compared to the conventional polysilicon resistor using POCl$_{3}$ doped single process with the same sheet resistance of 75.ohm./sq. In addition, the mixed technology can be applied to obtain nearly zero temperature coefficient for polysilicon resistors which are reliable and insensitive to temperature.

• 한국진공학회지
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• 제19권5호
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• pp.391-396
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• 2010

실리콘 태양전지의 pn 접합 계면특성을 조사하기 위해서 p형 실리콘 기판 위에 전기로를 이용한 $POCl_3$ 공정을 통하여 n형의 불순물을 주입하여 pn 접합을 만들었다. n형 불순물의 확산되어 들어가는 공정시간이 길고 공정온도가 높을수록 면저항은 줄어들었다. n형 불순물의 주입이 많아질수록 pn 접합 계면에서의 전자친화도가 줄어들면서 면저항은 감소되었다. 면저항이 줄어든 이유는 pn 접합계면에서 전자홀쌍이 생성되면서 이동길이가 길어지고 재결합률이 감소하였기 때문이다. n형의 불순물 확산공정시간이 긴 태양전지 셀에서 F.F. 계수가 높게 나타났으며, 효율도 높게 나타났다.

• 한국염색가공학회지
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• 제20권6호
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• pp.75-81
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• 2008

This paper dealt with the synthesis and characterization of the polymeric product by the reaction of the water-soluble poly(vinyl alcohol)[PVA] nonwoven fabrics and the phosphoryl chloride ($POCl_3$), which has been applied to prepare water-proofing materials or intermediates for increasing water-proofing or fire-proofing ability of commercially available water-soluble PVA support layer. $POCl_3$ was reacted with PVA nonwoven fabrics under non-aqueous condition, and their reactivity, and chemical structure were checked and discussed. PVA was reacted with $POCl_3$ under the reaction condition of 1:1, or 1:2 mole ratios at 70, 80 and $90^{\circ}C$, and the reaction products were further hydrolyzed. The structure of the resulting products from water soluble PVA nonwoven fabrics reacted with $POCl_3$ were identified by FT-IR or X-ray fluorescence spectrophotometer, and they indicated the PVA polymer chains to have phosphorous and chlorine moieties.

• 대한화학회지
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• 제37권1호
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• pp.162-164
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• 1993

• 대한화학회지
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• 제36권2호
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• pp.255-260
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• 1992

고순도 삼염화실란(TCS) 중의 미량 인(P) 불순물 농도를 흡착 분리 방법을 이용하여 분광광도법적으로 측정하는 방법을 제안하였다. TCS 중의 미량 불순물인 P 염화물을 보다 안정한 $POCl_3$로 산화시킨 다음, ethanol 용매에 잘 녹으며$POCl_3$와 안정된 부가화합물 complex를 형성하는 물질로서$AlCl_3$를 선택하여 분리해 내었다. 이러한 흡착을 이용한 농축 분리 방법을 통해 분석 도중에 실리카 겔 및 기포의 생성을 방지할 수 있었는데, 반도체급 TCS 중의 P 농도는 ${\pm}$ 17% 표준편차 범위내에서 5.32${\mi}g/l$로 측정되었다. 이와같이 $AlCl_3$로 P 화합물을 제거시킨 정제된 TCS 중의 P 농도는 0.15${\mi}g/l$이하로 측정되어 $AlCl_3$의 우수한 흡착 성능이 습식분석에 효과적으로 이용될 수 있음을 확인할 수 있다. 또한 TCS 정제 중 P 불순물 제거에 효과적인 것으로 알려진 다른 흡착 물질의 성능도 본 측정 방법으로 비교 분석하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.401-401
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• 2011

태양전지 제작에 있어서 에미터층의 최적화를 위해 POCl 도핑시 에미터층의 면저항 가변에 중요한 파라미터인 온도와 가스비를 변화하여 실험을 진행하였다. 본 실험에 사용될 최초 기판은 두께가 200${\pm}$5 ${\mu}m$, 비저항이 0.5~0.3 ${\Omega}{\cdot}cm$의 P-type(100) 실리콘 기판을 사용하였으며 먼저 POCl3양과 deposition 시간 그리고 산소와 질소의 양을 고정시키고 온도에 따른 에미터 면저항 변화를 알아보았다. 온도는 830, 840, 850, 860, 870, 880$^{\circ}C$로 가변시켰으며 공정온도가 높아질수록 면저항 값이 낮아짐을 알 수 있었다. 균일도는 낮은 온도에서는 다소 좋지 않았지만 온도가 높아질수록 점차 좋아졌으며 870$^{\circ}C$ 이상에서는 거의 균일한 값을 얻을 수 있었다. 한편, 이번에는 공정온도를 고정하고 산소와 POCl3 가스량의 변화에 따른 면저항 특성과 균일도를 알아보았다. 가스비와 압력 그리고 위치별 면저항 특성에 대해서 알아보았고 부분압이 증가함으로 반응로 내의 O2의 양이 증가함을 알 수 있었다. 증가한 O2는 도핑과정에서 산화막을 더 두껍게 형성하게 하며 높은 면저항 값을 가져오게 하였다. 즉, 충분한 가스량의 주입으로 도핑시 균일도를 향상시킬 수 있었다. 이와 같이 부분압이 증가함에 따라 면저항의 증가와 균일도의 향상을 가져왔다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제7권3호
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• pp.206-212
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• 1994

In this paper, We discuss the $POCI_3$ doping process according to the variation of deposition temperature, gas flow rate and doping time. The factors acted with $POCI_3$ doping are gas flow rate deposition temperature and time etc. Among them the temperature is the most important factor. For the $POCI_3$ flow rate, it should not exceed the resistivity saturation point developed on poly surface by annealing treatment. Therefore, this study suggests the optimum conditions of Poly-silicon treatments with the $POCI_3$ flow rate.

• 한국안전학회지
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• 제13권2호
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• pp.109-115
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• 1998

Tri-cresyl phosphate(TCP) was synthesized by reaction of phosphorus chloride with mixed cresol(mixture of m-cresol, p-cresol, and others) in the presence of $AlCl_3$. Some of unwanted products and unreactants colored TCP. In order to separate TCP from these, vaccume distillation was carried twice, but colorless TCP could not be producted. Separation of unwanted materials by 2% NaOH solution was introduced before first and second distillation and optimal separation conditions such as NaOH concentration, mixing volume ratio, mixing time, and rpm were investigated for new batch separation and production of colorless TCP Optimal conditions were 2% NaOH solution, 35% mixing volume ratio of 2% NaOH solution, 1.5 hours of mixing time, and 20 rpm.

• Applied Biological Chemistry
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• 제49권1호
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• pp.49-54
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• 2006

쌀 전분에 phosphorus oxychloride$(POCl_3)$를 단계별(전분 고형분 대비 $0.005{\sim}0.06%$)로 2시간 반응시켜 가교화 쌀 전분을 제조하고, 변성된 쌀 전분의 용해도, 팽윤력, RVA, DSC, X-ray 특성을 연구하였다. 팽윤력은 일반 쌀 전분 보다 다소 낮은 온도에서 증가되기 시작하였으나 그 이후는 모두 낮은 수치를 보여 가교화 쌀 전분이 일반 쌀 전분보다 완만한 상승을 나타내었다. 용해도는 가교화 쌀 전분이 일반 쌀 전분보다 전체적으로 낮은 결과를 나타내었고 $POCl_3$ 함량에 따른 유의적인 차이는 보이지 않았다. RVA 분석결과 가교화 쌀 전분이 일반 쌀전분보다 pasting temperature와 최고점도는 낮아졌고 holding strength와 final viscosity는 높은 경향을 나타내어 breakdown과 setback 은 낮은 것으로 나타났다. DSC 분석 결과 가교화 쌀 전분이 일반 쌀 전분보다 $T_o$, $T_p$, $T_c$가 감소하였으나 ${\Delta}H$의 경우 큰 차이가 나타나지 않았다. X-ray 회절분석 결과 일반 쌀 전분 보다 $POCl_3$ 함량에 따라 상대적 결정화도가 소폭 감소되는 결과를 나타내었으나 95% 신뢰도 수준에서 유의적인 차이는 없는 것으로 나타났다. 따라서 가교화 쌀 전분의 경우 전분입자가 $POCl_3$ 의해 강한 공유 결합을 형성함으로써 내열성, 내전단성의 성질이 생겨 호화가 일어난 후에 점도가 많이 낮아지지 않은 것으로 판단되며 전분의 결정형태에는 크게 영향을 미치지 않으나 전분의 무정형 부분에 영향을 주어 쌀 전분의 팽윤력, 용해도 및 pasting property등의 물리화학적 성질에 변화를 주는 것으로 판단되었다.