• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제9권4호
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• pp.31-34
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• 2002

For the mold die sticking mechanism, the major explanation is that the silica as a filler in EMC (epoxy molding compound) wears die surface to be roughened, which results in increase of adhesion strength. As the sticking behavior, however, showed strong dependency on the EMC models based on the experimental results from different semiconductor manufacturers, chemisorption or acid-base interaction is apt to be also functioning as major mechanisms. In this investigation, the plasma source ion implantation (PSII) using $O_2, N_2$, and $CF_4$ modifies sample surface to form a new dense layer and improve surface hardness, and change metal surface condition from hydrophilic to hydrophobic or vice versa. Through surface energy quantification by measuring contact angle and surface ion coupling state analysis by Auger, major governing mechanism for sticking issue was figured out to be a complex of mechanical and chemical factors.

• 구강회복응용과학지
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• 제25권1호
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• pp.41-52
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• 2009

골과 임플란트의 기계적인 결합을 증진시키기 위한 다양한 시도가 이루어졌으며, 최근에는 불소 부식법, 양극산화법, 이온주입법 등 생화학적인 골유착을 유도할 수 있는 임플란트의 표면개질이 관심의 대상이 되고 있다. 본 연구는 플라즈마 상태의 이온을 임플란트 표면에 주입하여 이온 피막을 형성하는 방법(plasma source ion implantion, PSII)으로 표면을 개질한 임플란트에 대한 골반응을 흡수성 재료로 블라스팅 처리(resorbable blasting media, RBM)된 임플란트를 대조군으로 하여 평가하고 이온 주입량을 달리하여 비교한 결과를 알아보고자 하였다. 12마리의 뉴질랜드 가토의 경골에 대조군인 RBM 임플란트와 Mg이온 주입량을 달리한 Mg이온주입 임플란트 3개씩을 식립하고 공진주파수를 측정하였으며 6주 후 48개 임플란트의 뒤틀림 제거력과 공진주파수를 측정하였다. 반복측정이 있는 분산분석을 이용하여 95% 유의수준으로 통계적 유의성을 확인하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 1. 각 임플란트간 공진주파수의 차이는 없었으나 군에 관계없이 식립 시에 비해 6주 후의 공진주파수는 증가하였다. 2. 초기 낮은 공진주파수를 나타낸 임플란트군의 공진주파수 증가량이 큰 경향을 나타내었다. 3. 이온잔존량 9.4%인 Mg 1 임플란트가 다른 임플란트 보다 통계적으로 유의하게 큰 뒤틀림제거력을 보였다. 이상의 결과를 종합하여 가장 우수한 골반응을 나타내는 이온주입량을 알 수 있었으며 이러한 이온주입 임플란트가 임상적으로 뛰어난 효능을 보이는 RBM 표면에 비해서도 생물학적 골반응이 더 우수하다는 것을 입증하는 결과라 할 수 있다.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2008년도 추계학술발표논문집
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• pp.267-269
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• 2008

본 연구는 이온주입(Ion Implanter)장비의 성능향상과 재현성 있는 Source Head를 개발하기 위한 방법이다. 본 개발은 이온주입설비가 가지고 있는 Cathode 열전자를 이용하여 원자라는 Source Positive의 극성을 생성하여 보다 높은 이온화를 발생하여 많은 시간 동안 사용 가능하도록 하였다. 기존에는 Gas의 손실이 많아 원자의 이온화에 대한 열전자의 소모성을 증가하는 원인을 제공하였으나, 본 개발에서는 원자의 유입방식을 공중 분산방식으로 적용함으로써 열전자의 손실로 발생하는 부분을 억제하는 효과와 Arc Chamber의 압력을 낮게 가지고 갈 수 있고 Chamber의 오염을 억제하는 효과를 얻을 수 있었다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제3권1호
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• pp.21-26
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• 2003

4H-SiC Schottky rectifiers were exposed to pure Ar discharges in a planar coil Inductively Coupled Plasma system, as a function of source power, of chuck power and process pressure. The reverse breakdown voltage ($V_B$) decreased as a result of plasma exposure due to the creation of surface defects associated with the ion bombardment. The magnitude of the decrease was a function of both ion flux and ion energy. The forward turn-on voltage ($V_F$), on-state resistance ($R_{ON}$) and diode ideality factor (n) all increased after plasma exposure. The changes in all of the rectifier parameters were minimized at low power, high pressure plasma conditions.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1997년도 제12회 학술발표회 논문개요집
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• pp.20-20
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• 1997

• 한국분말야금학회:학술대회논문집
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• 한국분말야금학회 2006년도 Extended Abstracts of 2006 POWDER METALLURGY World Congress Part 1
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• pp.675-675
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• 2006

• 자원리싸이클링
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• 제12권1호
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• pp.65-74
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• 2003

As new functional electronics are being developed fast, the commercialization rate of advanced battery as a power source proceeds rapidly. Lithium battery is satisfying the needs of high-energy source for its lightness and good electrochemical property. Especially lithium ion battery, adopted as a new power source for portable electronic equipments around the globe, has been mass-produced. Under the circumstance, the generation of lithium battery wastes is becoming a new environmental problem. In this paper, we are going to inspect technology developments for recycling of lithium battery wastes and scraps in domestic and foreign area, and to suggest how to treat domestic lithium battery wastes and scraps better.

• 한국진공학회지
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• 제4권S2호
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• pp.95-99
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• 1995

keV ion beam irradiatin for surface modification and thin film growth have been discussed. keV ion beam irradiation in reactive gas environment has been developed for improving wettability of polymer, and for enhancing adhesion to metal film, and adventages of the method have been reviewed. An epitaxial Cu film on Si(100) substrate has been grown by ionized cluster beam and changes of crystallinity and surface roughness have been discussed. Stoichiometric $SnO_2$ films on Si(100) and glass have been grown by a hybrid ion beam Deposition(2 metal ion sources+1 gas ion source), and nonstoichiometric $SnO_2$ films are controlled by various deposition conditions in the HIB. Surface modification for polymer by kev ion irradiation have been developed. Wetting angle of water to PC has been changed from 68 degree to 49 degree with $Ar^+$ irradiation and to 8 degree with $Ar^+$ irradiation and the oxygen environment. Change of surface phenomena in a keV ion beam and characteristics of the grown films are suggested.

• 전자공학회논문지A
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• 제31A권5호
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• pp.106-112
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• 1994

We have developed a large area ion shower doping system with an RF plasma ion source. The ion current density (i.e., doping concentration) increases with RF power and acceleration voltage. Using this technique, we investigated the optimum condition for ion doping of phosphorus in a-Si:H and poly-Si films. The optimum acceleration voltage and doping time are 6KV and 90sec, respectively, in a-Si:H films. Under this condition the electrical conductivity of ion-doped a-Si:H film is obtained ~10$^{-3}$/cm at room temperature. The sheet resistance decreases witnh acceleration voltage in ion-doped poly-Si, and a heavily-doped layer with a sheet resistance of 920$\Omega$/ㅁ is obtained by using ion doping and subsequent activation.

• 전기화학회지
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• 제8권1호
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• pp.24-31
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• 2005

Ion-Shower-Doping장비 및 $PH_/3M_2$혼합 가스를 사용하여 Phosphorous를 ELA방법으로 제조된 Poly-Si에 가속 전압 및 조사량을 변수로 이온 주입하였다. As-implanted된 시편의 결정도는 UV-transmittance spectroscopy를 사용하여 측정하였다. 이 때 UV-transmittance를 이용하여 측정한 값은 Raman spectroscopy를 이용해서 측정한 값과 서로 관련되어 있음을 알았다. 면 저항은 가속전압이 1kV에서 15kV까지 증가함에 따라 감소한다 그러나 가혹한 도핑조건하에서는 가속전압의 증가 시 면 저항이 증가한다. 이는 활성화 열처리 후 치유되지 않은 결함에 의해 전자가 포획되며 이에 따라 전하 운반자의 농도가 감소하는 때문이다. 활성화 열처리는 로열처리, RTA 열처리, ELA 열처리 등의 방법으로 수행하였고 열처리 방법에 따르는 도펀트의 활성화 및 결함의 회복의 거동을 연구하였다