• 제목/요약/키워드: $C^{*}$-적분

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열응력 및 기계응력이 작용하는 균열배관의 하중조건에 따른 천이 크리프 조건 C(t)-적분 평가 (Estimation of C(t) -Integral Under Transient Creep Conditions for a Cracked Pipe Subjected to Combined Mechanical and Thermal Loads Depending on Loading Conditions)

  • 오창영;송태광;김윤재
    • 대한기계학회논문집A
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    • 제35권6호
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    • pp.609-617
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    • 2011
  • 최근 효율을 높이기 위한 플랜드의 환경이 고온, 고압으로 변화함에 따라 열하중과 기계하중을 동시에 반영한 균열 평가는 플랜트의 건전성을 위하여 반드시 필요하다. C(t)-적분은 고온 균열 평가에 있어서 천이 크리프 상태의 균열을 평가하는 중요한 요소이다. 열하중과 기계하중이 동시에 작용하는 환경에서의 C(t)-적분을 예측하는 것은 복잡하며 하중조건이 달라지는 경우에는 더욱더 복잡해진다. 본 논문에서는 열하중과 기계하중의 하중조건이 달라지는 여러 조건에 대한 C(t)-적분 평가식을 제시하였다.

탄성-소성-크리프 상태에서 SE(B) 시편의 천이크리프 C(t)-적분 평가 (Estimation of Transient Creep C(t)-integrals for SE(B) Specimen Under Elastic-Plastic-Creep Conditions)

  • 이한상;제진호;김동준;김윤재
    • 대한기계학회논문집A
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    • 제39권9호
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    • pp.851-857
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    • 2015
  • 본 논문에서는 탄성-소성-2 차 크리프 상태에서 시간의존적 C(t) 적분에 대해 평가하였다. Single- Edge-notched-Bend (SEB) 시편에 대해 유한요소 크리프 해석을 수행하였다. 천이 크리프에 대한 초기 소성의 영향을 연구하기 위해 다양한 초기 하중에 대해 고려하였다. 또한, 소성물성과 크리프 물성의 영향을 보기 위해 소성 경화 지수(m)과 크리프 지수(n)이 같은 경우와 다른 경우를 모두 고려하였다. 본 논문에서는 기존 식의 수정을 통해서 천이 크리프 상태에서의 C(t) 적분의 새로운 예측 식을 제시하였다. 유한요소해석 결과와 비교를 통해서 제시된 수식의 타당성을 검증하였고, 소성 경화 지수(m)과 크리프 지수(n)이 같은 경우에만 적용할 수 있는 기존 예측 식을 보완하여 m 과 n 이 다른 경우에도 천이 크리프 상태에서 C(t) 적분을 예측할 수 있는 식을 제시하였다.

탄성-소성파괴 매개변수와 크리이프파괴 매개변수에 관하여

  • 이강용
    • 기계저널
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    • 제27권2호
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    • pp.132-136
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    • 1987
  • 최근 저자는 혼합모우드에 대한 Budiansky와 Rice의 $J_k$ 적분에 모순이 있음을 지적한 바 있다. 그러나, Kishimoto등은 파괴진행영역을 고려한 경로 독립적분J/^/을 제시하여 주목을 끌고 있다. Landes등은 Rice의 J적분을 정상상태 크리이프에까지 연장 적용하기 위한 $C^*$적분을 소개하였다. 그후 크리이프파괴에 대한 매개변수로서 Liu등에 의한 $C_{gk}{\;}^*$, Brust등에 의한 $T_k{\}^*$등이 소개되어 계속 연구중이다. 여기에서는 이러한 매개변수들에 대해 개괄적으로 서술하고자 한다.

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완전차동용량형 압력센서를 위한 적분형 C-V 변환기 (Integral C-V Converter for a Fully Differential Capacitive Pressure Sensor)

  • 이대성;김규철;박효덕
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제39권9호
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    • pp.62-71
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    • 2002
  • 본 논문에서는 용량형 압력센서의 비선형성 문제를 해결하기 위한 적분형 C-V 변환기를 제안하였다. 이 변환기는 스위치 커패시터 적분기와 스위치 커패시터 차동증폭기로 구성되어 있으며 인가된 압력에 반비례하는 센서용량을 전압으로 변환하여 선형적으로 출력한다. 제안된 적분형 C-V 변환기는 PSPICE 시뮬레이션에서 초기 전극간격의 90%에 해당하는 큰 변위에 대해서 0.01%/FS 이하의 매우 낮은 비선형도와 오프셋 용량 및 기생용량에 둔감한 우수한 특성을 보였다. 또한 센서신호처리의 필수기능인 오프셋 보정 및 이득조정이 적분형 C-V 변환기에서 용이하게 구현됨을 보였다.

c-hexane을 포함하는 이성분계 혼합물에서 활동도계수 모델을 이용한 변동적분 Gij의 계산 수치와 실험 수치의 비교 (Comparison of Experimental Data on the Fluctuation Integral Gij with the Calculated Results Based on the Activity Coefficient Model in Binary Mixtures Containing c-Hexane)

  • 허광일;권영중
    • 산업기술연구
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    • 제20권A호
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    • pp.203-209
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    • 2000
  • The fluctuation integrals which give useful information in the structure of solution are associated with the mixed direct correlation integral ($C_{12}$) known. Using its weighted arithmetic mean of $C_{11}$ and $C_{22}$ and the activity coefficient model, the fluctuation integrals on solute-solute, solvent-solute, and solvent-solvent can be calculated in the function of mole fraction. In this work, several binary mixtures containing c-hexane were tested and the results on the fluctuation integrals were rather good.

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균열 진전의 효과를 고려한 $C^*$ 적분의 수정 (A Modification of the $C^*$ Integral Considering the Effect of Crack Growth)

  • 최영환;방종명;염윤용;송지호
    • 대한기계학회논문집
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    • 제13권1호
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    • pp.77-86
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    • 1989
  • 본 연구에서는 $C^{*}$ 적분을 수정하여 균열 진전의 효과를 배제하는 새로운 크립 파괴의 하중 매개변수 $C_{m}$ 을 제안하고 그 타당성을 검토한다. 또한 $C_{m}$ 의 전개 과정에서 유도되는 다른 하중 매개변수들의 특성과 그 이용가능성을 조사한다. 균열 진전 속도가 $C^{*}$ 의 지배를 받는 것으로 알려져 있는 스테인레스 강(stainless steel) STS 304(KS 규격)를 사용한 크립파괴 실험을 600.deg. C에서 수행하여 $C_{m}$ 의 크립 파괴에 대한 적용 가능성을 조사하도록 한다.

전류 적분기를 이용한 2V CMOS 연속시간 필터 설계 (Design of 2V CMOS Continuous-Time Filter Using Current Integrator)

  • 안정철;유영규;최석우;윤창헌;김동용
    • 전자공학회논문지C
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    • 제35C권9호
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    • pp.64-72
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    • 1998
  • 본 논문에서는 상보형 high swing cascode 전류미러를 이용하여 저전압, 저전력 구동이 가능하고 고주파수 응용이 가능한 전류 적분기를 설계하였다. 간단한 전류미러로 구성된 적분기는 적분기의 비 이상적인 입력, 출력 저항 때문에 출력 전류 오차가 발생하는데 제안된 전류 적분기는 출력 저항이 증가하여 출력 전류의 오차가 감소하였다. 설계된 무손실, 유손실 전류 적분기를 이용한 설계 예로 3차 버터워스 저역통과 필터를 개구리도약형으로 구현하였다. 필터 구현시 무손실 전류 적분기의 위상 추이 때문에 발생하는 차단주파수 부근에서의 크기 특성 왜곡을 predistortion 설계법을 이용하여 감소시켰다. 설계된 전류모드 필터를 0.8㎛ CMOS n-well 공정 파라미터를 이용하여 SPICE 시뮬레이션한 결과 단일 2V 공급 전압에서 차단주파수는 20MHz, 전력소모는 615㎼를 갖는다. 또한 필터의 차단주파수는 DC 바이어스 전류에 의해 동조 할 수 있다.

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AiC 관점에 따른 부정적분과 정적분 관계 학습사례 연구 (A Case Study on the Relationship between Indefinite Integral and Definite Integral according to the AiC Perspective)

  • 박민규;이경화
    • 한국수학교육학회지시리즈E:수학교육논문집
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    • 제36권1호
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    • pp.39-57
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    • 2022
  • 본 연구는 맥락에서 출발하여 추상화로 나아가는 방식으로 수학 학습을 설명하는 AiC(Abstraction in Context) 이론에 따른 수업이 부정적분과 정적분의 관계에 대한 이해를 촉진하는 지를 파악하는 데 목표를 둔다. 이를 위해 과학고등학교 2학년 학생 8명을 대상으로 설계한 적분 지도 방안에 따라 수업을 실시했으며, 전 수업 과정을 녹화, 녹음한 자료와 활동지 등의 자료를 수집하고 분석하였다. 분석 결과, 연구에 참여한 학생들은 누적 개념이 내재된 맥락에서 출발하여 동료 학생들과 상호 소통하면서 부정적분과 정적분의 관계에 연결되는 세 가지 지식 요소인 '누적함수의 순간 변화율', '부정적분을 이용한 정적분의 계산', '누적함수를 이용한 부정적분의 결정'을 구성하였다. 연구결과를 바탕으로, AiC 관점은 부정적분과 정적분 관계의 학습을 지원하는 잠재력을 가지고 있으며, 이를 다른 학습영역으로 확장하여 고등학교 수학수업을 개선하는 데에도 활용할 수 있음을 논의하였다.

VTS 적용을 위한 펄스 적분 기법 (Pulse Integration Technique for VTS Application)

  • 박동화;정세영;최관범;김병두
    • 한국통신학회논문지
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    • 제39C권7호
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    • pp.521-527
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    • 2014
  • 해상관제서비스(VTS, Vessel Traffic Service)에서 사용되는 대부분의 해상감시레이더(SSR, Sea Surveillance Radar)는 마그네트론 기반의 Non-Coherent 방식이 사용되고 있으며, 표적에 대한 탐지 성능을 만족시키기 위하여 신호 대 잡음비(SNR, Signal to Noise Ratio) 개선 기능이 있는 펄스 적분(Pulse Integration) 기법을 사용하고 있다. 특히, 펄스 적분 기법은 신호 대 잡음비의 개선을 통하여 표적 탐지 성능에 중요한 영항을 미칠 뿐만 아니라, 신호 간섭(Interference) 및 스파이크 잡음(Noise Spike)을 개선하는 효과를 갖는다. 본 논문에서는 Non-Coherent 레이더를 사용하는 VTS 시스템에 펄스 적분 기법을 적용하기 위해 MATLAB을 이용한 모의실험을 수행하고, 자주 사용되는 펄스 적분 기법들 간의 성능 분석을 통해 최적의 펄스 적분 기법을 검증하고자 한다.

트랜스컨덕턴스(gm)를 이용한 전류모드 능동필터의 이득 및 주파수 제어 (The Gain & Frequency Control of Current-Mode Active Filter with Transconductance-gm Value)

  • 이근호;조성익;방준호;김동룡
    • 전자공학회논문지C
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    • 제35C권6호
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    • pp.30-38
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    • 1998
  • 본 논문에서는 능동필터 설계시 기본 블록으로 이용될 수 있으며, 저전압 고주파에서 동작 가능한 새로운 구조의 CMOS 전류모드 적분기를 제안하였다. 더불어 전압조절을 통해 그 이득과 주파수를 제어할 수 있는 트랜스컨덕턴스 제어회로를 설계하였다. 제안된 적분기는 CMOS 상보형 회로로 구성하였으며, 따라서 적분기의 단위이득주파수에 영향을 주는 적분기의 트랜스컨덕턴스를 증가 시켰다. 제안된 적분기의 단위이득 주파수는 NMOS-gm을 가지는 기존의 적분기에 비하여 두 배 가까이 증가되었다. 또한 트랜스컨덕턴스 제어회로를 이용하여 능동필터의 공정시 나타날 수 있는 오차를 줄이고, 그 용도에 따라 주파수와 이득제어를 가능하게 하였다. 이의 응용회로로서 3차 체비셰프 저역필터를 0.8㎛ CMOS 파라메터를 이용하여 설계하였으며, 이러한 결과들은 소신호 해석 및 0.8㎛ 공정 파라미터를 갖는 HSPICE 시뮬레이션을 통하여 검증되었다.

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