• 생물환경조절학회지
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• 제16권1호
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• pp.32-39
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• 2007

발아율이 저조한 한지형 잔디인 Kentucky bluegrass 와 Tall fescue종자를 식물생장조절제인 $GA_3$와 BAP를 처리하여 발아율을 극대화시킬 수 있는 최적 처리조건을 구명하였다. Kentucky bluegrass 초종에서는 $GA_3$ 처리는 농도에 관계없이 BAP 단독 또는 및 $GA_3$와 BAP혼용처리보다 발아증진 효과가 높았으며, 처리기간은 6일 처리가 3일 처리보다 좋았다. 따라서 최적 처리조건은 $GA_3$ $1000{\mu}M$농도로 6일간 처리였으며, 무처리보다 발아율을 $10{\sim}38%$ 향상시킬 수 있었다. Tall fescue 종자는 생장조절제를 처리하면 발아율이 향상되는 경향이나 현저한 수준은 아니었다. 최적 생장조절제 처리조건은 $GA_3\;1000{\mu}M$용액으로 3일간 처리였는데, 무처리 종자에서 비해 발아율을 10%증진시켰다. $GA_3$ 처리된 Kentucky bluegrass와 Tall fescue 종자는 묘출현율이 무처리에 비해 $8{\sim}9%$ 향상되었고, 묘출현속도는 1.2일 빨랐다. 또한 건물 중, 초장 및 뿌리생장 등 초기생육이 무처리에 비해 향상되었으나, 유의성은 인정되지 않았다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.213-216
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• 2002

A double-heterostructure AIGaAs/GaAs PHEMT (Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor) using digital recess has been successfully realized. Futhermore, the differences of gm,nax, fT, fmax between two samples are as low as 0.62%, 1.58% and 2.56 % respectively. Experimental results are presented demonstrating the etch rate and Process invariability with respect to hydrogen peroxide and acid exposure times with uniformity among devices on a sample.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.373-373
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• 2013

높은 효율의 InGaN/GaN 전광소자는 현대 조명 산업에 필수적인 역할을 하고 있다. 그러나 전광소자의 효율을 높이는 데에는 여러가지 한계들이 있다. 예를 들면 높은 전류에서의 효율저하, GaN 의 전위결함에 의한 비발광 재결합의 발생 등이 있다. 이러한 한계를 극복하고자 InGaN/GaN 전광소자의 효율을 높이기 위해 사파이어 기판의 표면을 거칠게 바꾸는 방법, 무분극 전광소자, 표면 플라즈몬 등 여러가지 많은 방법들이 개발되고 있다. c-plane InGaN/GaN LED 기반의 표면 플라즈몬 실험은 많은 연구가 수행되고 있으나, m-plane InGaN/GaN LED 기반의 표면 플라즈몬은 아직 연구가 진행되지 않았다. 본 실험의 목적은 표면 플라즈몬 효과를 이용하여 semi-polar InGaN/GaN LED의 광효율을 개선하는 것이다. 유기금속화학 증착 장비로 m-plane sapphire위에 $6{\mu}m$ 의 GaN 버퍼층을 증착하고 표면의 평탄화를 위해 $2{\mu}m$의 n-GaN을 증착하였다. 그 위에 3개의 다중양자우물 층을 증착하였고, 10 nm의 도핑이 되지않은 GaN를 증착하였다. 표면 플라즈몬 현상을 일으키기 위해 Ag박막을 10, 15, 20 nm 증착하여 급속 열처리 방법으로 $300^{\circ}C$에서 20분 열처리 하였다. 형성된 나노입자를 측정하기 위해 주사전자현미경으로 표면을 분석하였다. 표면플라즈몬에 의한 InGaN/GaN 광 세기를 측정하고자 여기 파장이 385 nm인 photoluminescence (PL) 를 사용하였다. 또한 내부양자효과의 증가를 확인하기 위해 PL을 이용하여 온도를 10~300 K까지 20 K 간격으로 광세기를 측정하였다. 향상된 내부 양자효과가 표면 플라즈몬에 의한 것임을 증명하기 위해 time-resolved PL을 이용하여 운반자 수명시간을 구하였다.

• 전자공학회논문지A
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• 제31A권9호
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• pp.139-145
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• 1994

InGaAsP/InP PBH-DFB-LD emitting at 1.55${\mu}$m wavelength has been fabricated for 2.5Gbps optical fiber communcations. For fabrication of PBH-DFB-LD, Interference expose for grating formation 3-step LPE epitaxial growth were used. Fabricated PBH-DFB-LD operates in single longitudinal mode with larger than 35dB SMSR and wider than 3dB bandwidth of 3GHz. A 8${\mu}$m mesa structure was introduced by channel etching to reuce parasitic capacitance. To reduce pad capacitance, we designed a small electrode. 0.27mW/mA in the case of spectrum shows single logitudinal mode operation with larger thatn 30dB SMSR measured at 5mW.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 1989년도 제4회 파동 및 레이저 학술발표회 4th Conference on Waves and lasers 논문집 - 한국광학회
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• pp.172-175
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• 1989

1.3${\mu}{\textrm}{m}$ surface-emitting GaInAsP/InP LED was fabricated by two-phase supercooling LPE technique. The lattice mismatch of the grown DH wafer was typically 0.03%. The processes involve SiO2 CVD, lithography, Zn diffusion, lift-off, lapping, annealing, and wire bonding. The fabricated LED shows the optical power of 600㎼ at 70mA driving current, differential resistance of 4$\Omega$, the f3dB of 35MHz, and the FWHM of 1040{{{{ ANGSTROM }}. The peak wavelength of the fabricated LED was at 1.29${\mu}{\textrm}{m}$(100mA).

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2003년도 하계학술발표회
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• pp.34-35
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• 2003

광통신 분야에서 광신호의 장거리 전송에 따른 세기 감소를 보강하기 위해 쓰이는 광섬유증폭기는 현재 1.3 $\mu\textrm{m}$ 대역, 1.45 $\mu\textrm{m}$ 대역 및 1.5 $\mu\textrm{m}$ 대역에서 작동하는 희토류 이온 첨가 광섬유 광증폭기가 개발되어 쓰이고 있다. 한편 ETRI에서는 기존 광통신에 쓰이는 광 증폭기에 추가해 더 넓은 파장대를 광통신에 쓸 수 있도록 하는 새로운 파장대역의 광 증폭기 구현을 가능케하고 나아가 광통신 용량을 기존보다 휠씬 더 큰 10 Tbps급 이상으로 늘이기 위해 1.6 $\mu\textrm{m}$ 파장대인 U 밴드대 광증폭기용 광섬유인 Pr 첨가 셀레나이드 유리 조성의 신소재를 개발하였는데, 본 연구에서는 Ge-Sb-Ga-Se 계열의 Pr 첨가 셀레나이드 유리의 굴절률을 분광타원 법 (spectroscopic ellipsometry)을 사용하여 결정하였다. (중략)

• 한국재료학회지
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• 제24권4호
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• pp.214-220
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• 2014

In this research, a precipitation method was used to synthesize ${\beta}-Ga_2O_3$ powders with various particle morphologies and sizes under varying precipitation conditions, such as gallium nitrate concentration, pH, and aging temperature, using ammonium hydroxide and ammonium carbonate as precipitants. The obtained powders were characterized in detail by XRD, SEM, FT-IR, and TG-DSC. From the TG-DSC result, GaOOH phase was transformed to ${\beta}-Ga_2O_3$ at around $742^{\circ}C$, and weight loss percent was about 14 % when $NH_4OH$ was used as a precipitant. Also, ${\beta}-Ga_2O_3$ formed at $749^{\circ}C$ and weight loss percent was about 15 % when $(NH)_2CO_3$ was used as a precipitant. XRD results showed that the obtained $Ga_2O_3$ had pure monoclinic phase in both cases. When $(NH)_2CO_3$ was used as a precipitant, the particle shape changed and became irregular. The range of particle size was about $500nm-4{\mu}m$ based on various concentrations of gallium nitrate solution with $NH_4OH$. The particle size was increased from $1-2{\mu}m$ to $3-4{\mu}m$ and particle shape was changed from spherical to bar type by increasing aging temperature over $80^{\circ}C$.

• 한국전자파학회논문지
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• 제14권7호
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• pp.705-711
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• 2003

본 연구에서는 고출력 소자로서 각광받고 있는 AlGaN/GaN HEMT 2$\times$100 $\mu\textrm{m}$ 소자(사파이어 기판)에 대해 열 효과가 포함된 대신호 모델링을 수행하였다. 완성된 대신호 모델을 이용하여 9 mm, 15 mm 사이즈 소자로의 스케일링을 통해 전력증폭기를 설계하였으며 제작된 결과와 비교, 해석하였다. 대신호 모델링은 수렴성과 해석 속도면에서 탁월한 장점을 갖는 수식 기반의 경험적 방법을 사용하였다. Pulsed I-V 측정을 통하여 열모델의 가장 중요한 파라미터인 열 시상수 및 열 저항을 추출하였으며 이를 통하여 완벽한 열 모델 제작이 가능하였다. 제작된 전력증폭기 모듈의 측정결과와 비교를 통하여 본 연구에서 제안된 열 모델이 매우 정확함을 확인할 수 있으며 전력증폭기와 같이 큰 사이즈의 소자를 사용해야 하는 회로의 경우에는 열 효과가 포함된 모델을 사용하여 더욱 정확한 모델링 결과를 얻을 수 있음을 확인할 수 있다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 1996년도 Advance Program of 13th optics andquantum Electronics conference, 1996제13 회 광학 및 양자전자 학술 발표회 논문 요약집
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• pp.8-8
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• 1996

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1993년도 춘계학술발표회
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• pp.72-73
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• 1993