• 한국응용곤충학회지
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• 제10권2호
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• pp.117-120
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• 1971

이화명충의 유충, 번데기, 성충에 $Co^{60}$ gamma ray를 조사하여 웅성불임기술에 관한 자료를 얻기위한 실험결과를 요약하면 다음과 같다. 1) 번데기의 성비는 암컷 2,903에 대해 숫컷은 2,924이었다. 2) 번데기의 $(LD_{50})$은 암컷이 26KR, 숫컷이 26.7KR이었다. 3) 처리한 숫컷성충과 교미한 암컷의 평균 산란수는 고선량일수록 감소하며 난괴수는 증가하였다. 4) 숫컷의 $(SD_{90})$은 23KR이었으며 30KR 이상에서는 거이 불임이 유기되었다. 5) 웅성불임을 유기 시키기 위하여 방사선을 조사시키는 시기는 번데기 시기가(3-6일령) 가장 적합하다고 본다

• 한국산업정보학회논문지
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• 제7권4호
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• pp.37-45
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• 2002

본 연구에서는 다짐 성토의 밀도 및 수분을 측정하기 위해서 중성자 검출기는 2개 그리고 감마선 검출기는 5개를 사용하여 설계하였고, 또한 방사능 대비 방사선 방출수가 다른 선원에 비하여 우수한 Co-60 감마선원과 Cf-252 중성자 선원을 본 시스템에 이용하는 것이 정밀도를 향상시키기 위하여 유리하다는 것을 알 수 있었다. 특히 중성자와 감마선의 상호 반응으로 인한 간섭을 제거하기 위하여 2개의 중성자와 5개의 감마선 검출부 사이에 차폐체인 납을 각각 설치하였으며, 제시된 기준값 이하로 완전히 차폐하기 위한 최적 설계를 수행하였다. 이러한 최적 선계에 의하여 휴대용으로 사용될 본 시스템은 각 검출부 사이에 차폐체를 설치함에 따라 5.2[kg]의 무게를 경감할 수 있었고, 이는 산업 현장에서 쉽게 이동하고 간편하게 사용될 수 있을 것으로 사료된다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 추계학술대회 논문집 학회본부 B
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• pp.754-756
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• 1999

In this paper, we have developed a high-sensitivity SNRD(Semiconductor Nuclear Radiation Detector) using silicon PIN photodiode. The SNRD is constructed with silicon PIN photodiode(S3590-05), preamplifier and shaping amplifier. To show the effectiveness of SNRD, nuclear radiation experiments are conducted with $\gamma$-ray Ba-133, Cs-137 and Co-60. The SNRD is different in characteristics of the energy spectrum to scintillation detectors. However, the SNRD have a good linearity on $\gamma$-ray energy and activity. The results of this paper can be applied to electronic personal dosimeter.

• International Journal of Safety
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• 제8권1호
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• pp.14-17
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• 2009

The $Co^{60}$ $\gamma$-ray irradiation effects on the electrical and thermal characteristics of low density polyethylene crosslinked by Dicumyl peroxide (DCP) were investigated. We experimented on electrical properties as following; electrical tree inception and growing type for applying AC step voltage, AC breakdown strength, volume resistivity with increasing dosage. Also, chemical analyses were performed TGA, gel fraction. These electrical properties changed depending upon its crosslinking degree and byproducts from crosslinking reactions. Crosslinking reactions were considered causing by $\gamma$-ray irradiation and DCP had contained in low density polyethylene.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제6권3호
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• pp.151-154
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• 1974

녹주석의 열형광현상을 이용하여 감마선 측정가능성을 glow 곡선분석방법으로 연구하였다. 80-200mesh의 녹주석분말은 감마선에 대해 좋은 열형광반응을 보였고 상온에서 안정됨을 알았다. 감마선에 대한 녹주석의 열형광반응은 10mR에서 $10^3$R까지는 선형적관계를 갖고 있었으며, $10^3$R에서 $10^{6}$R까지는 비선형적관계를 갖고 있다. 녹주석에 의한 감마선측정이 가능하다.

• 대한수의학회지
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• 제16권1호
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• pp.7-10
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• 1976

An agglutinability between naturally infected positive chicken serum of pullorum disease and hyperimmumized rabbit antiserum was compared. And the following results were obtained and summarized. 1. On the agglutinability, Salmonella pullorum antigen which irradiated gamma-ray was more excellent than another both formalized and heated antigen. 2. Time of judgemented as positive titer in the tube agglutination test to the naturally infected positive chicken serum was it most suitable for 12 hours at $37^{\circ}C$. 3. Agglutination titer of positive immune chicken serum against gamma-ray irradiate Salmonella pullorum were as 320~640x.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제4권2호
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• pp.124-127
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• 2004

W/n-GaN Schottky diodes were irradiated with $^{60}Co\;{\gamma}-rays$ to doses up to 315Mrad. The barrier height obtained from current-voltage (I-V) measurements showed minimal change from its estimated initial value of ${\sim}0.4eV$ over this dose range, though both forward and reverse I-V characteristics show evidence of defect center introduction at doses as low as 150 Mrad. Post irradiation annealing at $500^{\circ}C$ increased the reverse leakage current, suggesting migration and complexing of defects. The W/GaN interface is stable to high dose of ${\gamma}-rays$, but Au/Ti overlayers employed for reducing contact sheet resistance suffer from adhesion problems at the highest doses.

• 한국자원식물학회지
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• 제25권1호
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• pp.142-151
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• 2012

식물유전자원의 소재를 확대하고자 동진 1호 벼의 건조 종자에 감마선($^{60}Co$, 300 Gy)을 조사하여 선발한 조기출수 계통의 유전적 변이성을 분석하였다. 선발한 조기출수 계통의 $M_7$(2010년)과 $M_8$(2011년) 세대에서 평균 출수기는 대조품종인 동진 1호(중만생종) 보다 각각 11일(${\gamma}$-2 계통), 10일(${\gamma}$-5 계통), 6일(${\gamma}$-1 계통), 5일(${\gamma}$-3 계통), 4일(${\gamma}$-4 계통)이 빠르게 나타났다. ISSR 분석 결과, 선발계통의 유전적 다형성은 ${\gamma}$-2 계통 5.9%, ${\gamma}$-1 계통 7.5%, ${\gamma}$-4 계통 15.1%, ${\gamma}$-3 계통 15.3%, X-1 계통 19.4%, ${\gamma}$-5 계통 23.4%로 대조품종의 4.3% 보다 높게 나타나 방사선 조사로 DNA 수준에서 변이가 증가되었음을 확인하였다. 엽록체 DNA(rps16-trnK 영역) 분석 결과, 염기 길이는 대조 품종과 같은 664 bp인 반면, 총 5개 염기서열 영역에서 치환 변이가 발생하였고 그 중 6 bp 및 587 bp 영역의 변이는 선발 계통에서만 나타났다.

• 대한안전경영과학회:학술대회논문집
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• 대한안전경영과학회 2002년도 추계학술대회
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• pp.253-259
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• 2002

The value of charge currnet, discharge current, ${\varepsilon}r^'$,${\varepsilon}r^{'}$ residual voltage was measured inorder to investigate electric properties in Ethylene Prophylene Rubber for is irradiated C0$^{60}$$\gamma$ ray 0~38.1 Mrad. The value of charge current and the discharging current of the EPR is influenced by C0$^{60}$-$\gamma$- irradiation dose. The charging current and the discharging current of EPR increas, depending on the ratio of degradation. As the irradiatin dose is increased, the peak of residual voltage moves to the slorter time. The properties specific electric constant due to time variation was appeared dispersion by plentiful C0$^{60}$$\gamma$- irradiation dose. The increase of peak in ${\varepsilon}r^{'}$ is attrib uted to the irratiation dose almost proportionally.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 춘계학술대회 논문집 센서 박막재료연구회 및 광주 전남지부
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• pp.75-79
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• 2008

In this paper, we measured the activation energy of the Bisphenol A type Epoxy resin (DGEBA)-Jeffamine system according to an irradiation. We put the mixed solutions to the silicon mold after mixing both DGEBA(216g) and Jeffamine(93.9g), curing agent of amine system. The mixed solutions were cured in the atmosphere during 24hours after finishing the first curing during 4hours in the vacuum oven under $80^{\circ}C$. The mixed solutions were cured in the atmosphere during 24hours after finishing the second curing during 12hours in the vacuum oven under $60^{\circ}C$ again. Prepared samples were irradiated to the dose rate of 8kGy/hr with 500kGy, 700kGy, 1000kGy, 1500kGy, 2000kGy, 2500kGy. Experimental results indicated activation energy of the samples reduced as the irradiation dose increased because of the peroxides of the Epoxy created by the oxidation and the radiation.