High Dose |
Kim, Jihyun
(Department of Chemical Engineering, University of Florida)
Ren, F. (Department of Chemical Engineering, University of Florida) Schoenfeld, D. (Department of Nuclear and Radiological Engineering, University of Florida) Pearton, S.J. (Department of Materials Science and Engineering, University of Florida) Baca, A.G. (Sandia National Laboratories) Briggs, R.D. (Sandia National Laboratories) |
1 | E. R. Brown, Solid-State Electron. 43 1918(1998) DOI ScienceOn |
2 | S. J. Cai, Y. S. Tang, R. Li, Y. Y. Wei, L. Wong, Y. L. Chen, K. L. Wang, C. Mary, R. D. Schrimpf, J. C. Keay, K. F. Galloway, IEEE Trans. Electron. Dev. 47 304(2000) DOI ScienceOn |
3 | B. Luo, J. W. Johnson, F. Ren, K. K. Allums, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, A. M. Dabiran, A. M. Wowchack, C. J. Polley, P. P. Chow, D. Schoenfeld, and A. G. Baca, Appl. Phys. Lett. 80 604(2002) DOI ScienceOn |
4 | Jihyun Kim, S. Nigam, D. Schoenfeld, G. Y. Chung, and S. J. Pearton, Electrochem. Solid-State Lett. 6 G303(2003) |
5 | A. Zeitouny, M. Eizenberg, S. J. Pearton, and F. Ren, J. Appl. Phys. 88 2048(2000) DOI ScienceOn |
6 | Jihyun Kim, F. Ren, A. G. Baca and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 82 3263(2003) DOI ScienceOn |
7 | B. J. Baliga, Power Semiconductor Devices(PWS Publisher, Boston, 1996) |
8 | R. Ren, A. P. Zhang, G. T. Dang, X. A. Cao, H. Cho, S. J. Pearton, J.-I. Chyi, C. M. Lee, and C. C. Chuo, Solid-State Electron, 44 619(1999) DOI ScienceOn |
9 | A. P. Zhang, G. Dang, F. Ren, J. Han, A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, J. M. Redwing, H. Cho, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 76 3816(2000) DOI ScienceOn |
10 | A. P. Zhang, J. W. Johnson, F. Ren, J. Han, A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, J. M. Redwing, K. P. Lee, S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett., 78 823(2001) DOI ScienceOn |
11 | J.-I. Chyi, C. M. Lee, C. C. Chuo, X. A. Cao, G. T. Dang, A. P. Zhang, F. Ren, S. J. Pearton, S. N. G. Chu, and R. G. Wilson, Solid-State Electron., 44 613(2000) DOI ScienceOn |
12 | G. T. Heydt, B. J. Skromme, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 483 3(1998) |
13 | Z. Z. Bandic, P. M. Bridger, E. C. Piquette, T. C. McGill, R. P. Vaudo, V. M. Phase, J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett., 74 1266(1999) DOI ScienceOn |
14 | T. G. Zhu, D. J. H. Lambert, B. S. Shelton, M. M. Wong, U. Chowdhury, and R. D. Dupuis, Appl. Phys. Lett. 77 2918(2000) DOI ScienceOn |
15 | J. W. Johnson, J. R. LaRoche, F. Ren, B. P. Gila, M. E. Overberg, C. R. Abernathy, J.-I. Chyi, C. C. Chuo, T. E. Nee, C. M. Lee, K. P. Lee, S. S. Park, Y. J. Park, and S. J. Pearton, Solid-State Electron., 45 405(2001) DOI ScienceOn |
16 | J. W. Johnson, A. P. Zhang, W.-B. Luo, F. Ren, S. J. Pearton, S. S. Park, Y. J. Park, J.-I. Chyi, IEEE Trans. Electron. Dev. 49 32(2002) DOI ScienceOn |
17 | A. P. Zhang, G. Dang, F. Ren, J. Han, A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, J. M. Redwing, X.A. Cao, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 76 1767(2000) DOI ScienceOn |
18 | A. P. Zhang, G. T. Dang, F. Ren, H. Cho, K. P. Lee, S. J. Pearton, J.-I. Chyi, T. E. Nee, C. M. Nee, and C. C. Chuo, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 407(2001) DOI ScienceOn |
![]() |