수열육성법 (Hydrothermal growth technique)으로 연수정을 육성하고 원료, 용제, 발색제, 종자결정 및 irradiation등의 요소가 육성된 결정에 미치는 영향에 대하여 고찰하였다. UV-visible spectrum분석에 의해 육성된 결정과 천연 연수정의 광학적 특성 을 비교하였다. 본 연구결과로 결함이 적고 연색 (연색)이 선명한 길이 120mm. 폭 35mm, 두께 14m (135g)의 연수정 육성에 성공하였다.

Pd-Te계의 상평형도를 시차열분석, X선회절분석, 전자현미분석, 반사현미경을 사용해 연구하였다. 본 계의 0-50 at.%Te 부분의 새로운 상관계가 정립되었다. 본 계에는 Pd17Te4, Pd20Te7, Pd8Te3, Pd7Te3, PdgTe4, Pd3Te2, PdTe, PdTe2 등 8개의 화합물이 존재하며 이중 Pd17Te4와 Pd7Te3는 처음 보고되는 신종 화합물이다. Pd17Te4는 등축정계이며 공간군 Fd3r에 속하며 단위포 크기 (a)는 12. 678(5)차이다. PdaTe.4와Pd7Te3의 X선회절분말자료는 사방정계의 단위포 a=12.843(3), b=15.126(3), c=11.304(2)A와 단사 정계의 단위포 a=7.444(1), b=13.918(2), c=8.873 (2)il, β=92.46(2)에 의해 각각 격자지수화가 가능하였다. 본계에 존재하는 합성 화합물의 일부 물리적, 광학적 자료를 새로 보고하였다.

완전히 Ca2+ 이온으로 치환된 탈수구조(a=12 2f3(2) .41와 이 결정에 요오드가 흡착된 구조(a= 12.258(2) 입)를 21살에서 입방공간군 Pm3m를 사 용하여 단결정 X-선 회절법으로 구조를 해석하였다. 탈수구조는 I>3 w (I)인 206개의 반사를 사용하 여 Rw값이 0.081까지 정밀화되었고 요오드가 흡착 된 구조는 173개의 반사를 사용하여 Rw값이 0.084 까지 정밀화되었다. 각각의 구조에서 단위세포당 6 개의 Ca2+ 이온은 6-링의 산소와 결합하면서 3개 의 다른 3회 회전축상에 위치하였다. 탈수한 칼슘 치환 제올라이트 A는 80살에서 단위세포당 여섯개의 요오드 분자를 흡착하며 각 요오드 분자는 골조 산소 원자와 전하이동 착물을 형성하였다(I-0=3. 32(3) A, I-I=2.7l (2) A 그리고 I-I-0=180℃).

1,3-Diazatricyclo (5.2.1.O5.10) decade-2,4dione, C8H10N2O2의 단위세포 상수는a=6.585(7), b=9.089(4), c=12.937(10)A, β=95.72(5)˚, V=770.43, Dc=1.4391c0, 1=1.Ocm-1,7 =295 ˚K, 공간군은 P21/n이고 단사 정계이며 Z =4이 다. λ(Mo K u ) =0.7093A을 사용한 698개 의 회절 반점에 대한 최종 신뢰도 R값은 0.037이다. 본 화합물은 N1-(w-butenyl)uracil의 분자내 (2+2) 광고리화 반응 생성물이며, (5.1. 2.O5.10) tricyclic 계에 속한다. Inversion symmetry에 의해 관련된 한 쌍의 분자들은 uracil 부분의 02와H3간 의 강한 수소 결합을 하고있다

급냉 응고한 알루미늄-전이금속 합금으로부터 얻은 정 20면체상에 대한 쌍정 모델을 제시하였다. 이러한 쌍정모델을 이응하여 다중회절을 고려 한 전자 회절도를 계산하였다. 5회 대칭을 갖는 계산된 회절도는 실험에서 얻은 회절도와 잘 일치하였다. 따라서 본 연구에서 제시한 쌍정모델은 정 20면체상과 밀접한 연관이 있으리라 판단된다.

본 연구에서는 고밀도 광원 활용에 의한 유기금속화합물의 광분해 반응을 이용하여 AmBv 형광 전재료의 Hetero-epitaxy를 고찰하였다. 실제로 ArF Excimer laser(파장 193nm)에 의 하여 III족원으로 trlmethylgallium과 V족원으로 Ammonia의 2분자간 광분해 반응을 이용, (001)면 Sapphire 기판상에 증착시켰다. 생성되는 성막상태는 주사식 전자현미경, X-ray 회절 및 전자선 회절법 (RED)에 의하여 평가하였다. Laser광려기 유무에 따라 결정병합 상태 및 결정형태에 현저한 차이를 관찰할 수 있었으며, 특히 결정격자의 방위성에 큰 영향을 주고 있음이 주목되었다. 광원 조사방법은 수직조사에 의한 기판면 여기보다는 수평조사에 의 한 기상 반응물 여기가 더 효과적 이였다. Laser 광여기에 의한 성막층의 격자형성은 다음 과 같은 2가지 Model중 하나로 설명 할 수 있었다. (001)면 Sapphire//wurzite형 GaN의 (001) 면 또는 (001)면 Sapphire//wurzite형 GaN인의 (001) 면 -t Twinned Zincblende형의 GaN(111)면

We have investigated bulk and hetero-epitaxial growth of GaAs single crystal. Various growth techniques such as HB, HZM, and VGF for high quality bulk GaAs were successfully developed by appling the specially designed DM(direct monitoring) furnace. Al GaAs/GaAs superlattice structure and In(x)Ga(1-x) As/GaAs epilayers were also grown by MOCVD and VPE, respectively. The characterization of GaAs single crystals and epilayers was made by X-ray diffraction, Hall effect, PL, chemical etching and angle lapping technique.