화합물 VP6N3018C243H60의 두 가지 가능한 공간군은 PT,a=14.O22(1), b=12.644(2), c=12.640(1)A, a=80.38(1), β=102.12(1), y =102.16(1), V=2124.1A3, Z=2, u=0.47cm-1,d==1.46g/cm3, Fo>4c IfoI인 3350윤의 독립반사강도에 대하여 R=0.083 과 C2/c, a=19.32(2), b=16.32(2), c=14.02(1)A, β= 105.98(5), V=4348.2A3, Z=4, Fo>4o IFoI인 1590개의 독립반사강도에 대하여 R=0.083 이다. 주간군 Pi의 경우 단위포내에 두 분자가 있는데 각 분자내의 바나둠 원자가 특수치치에 있어 중심대칭에 의하여 한 분자를 이루고 있으므로 단위포내의 비대칭단위는 두개의 bis(timetalhosphate)vanadate 반분자와 3개의 tetraethylammDnium분자로 되어있다. 공문군 C2/c의 경우 bis(trimetaphosphate)vanadate 한분자의 vanadium 원자가 중심대1칭을 갖는 변광단동치에 있으며, 3개의 tetrethylammonium 분자중 한 분자내의 CL2, N2, C25 원자들을 2-회회전대칭축이 지나므로 bis(trimetaphosphate)vanadate 반분자와 tetraethylammonium 3/2 분자가 비대칭단위를 이루고 있다. 두 경우 공히 vanadium원자를 배위하고 있는 6개의 산소원자가 8함체를 이루며 nitrogen원자와 결합하고 있는 4개의 carbon 원자들은 모두 disorder되어 있어 nitrogen원자의 주권에 있는 8개의 carbon 원자들은 불규칙한 12면체를 이루고 있다.

구조물에 매설된 광센서나, 기판위에 필름상으로 성장시켜 제조한 광디바이스등에서 보이는 바와 같이 변 형이나 온도변화가 존재할 경우 이방성을 가진 일반적인 결정 내에서의 빛의 진행의 변화를 검토하였다. 이방 성을 가지는 결정 내에서의 빛의 진행을 나타내는 굴절율을 계산하였고 변형이나 온도변화가 존재할 경우 이 복굴절율들의 변화를 표시하였다. 그리고 등방성 매질로 모델을 단순화하였을 경우에 빛의 진행을 검토하여 선행연구자들의 결과와 비교 검토하였다

트리풀르오로메칠트리페닐 1,2,4-트리오키소란(C21H15F3O3)은 삼사정계인 공간군 P1으로 a=10.477(1), b=11.056(1), c=9.917(3)A, a=104.7(1), B=122.7(1), r=63.9(1)°, Z=2, V=867.9(3) A3, Dc=1.43 g/cm3, λ(Mo BCn)=0.71069 A, μ=0.0116 cm-1, F(000)=384, 그리고 I ) 1.0 o(I) 인 1713 개의 관측 된 회절점에 대한 R 값은 0.067 였다. 직접법에 의하여 구조를 풀었으며 전행열-최소자숭법에 의하여 정밀화하였고 C-H결합길이는 0.96 A 에 고정하였다. 106.6°의 두 사이각을 갖는 페닐고리(2)와 고리(3)는 트리오키소란분자평면의 위쪽에 있으나 CF3기와 페닐고리(1)은 아래쪽으로 있다. 트리오키소란 꼬리는 봉투모양의 구조를 갖고 있으며 그의 두 탄소 원자(C(2)와 C(3))는 탄소원자의 내각에 거의 비슷한 각으로 치환기들과 연결되어 있다. 분자들은 van der Waals 힘에 의하여 결합되었고 가장 가까운 거리는 0(2) 와 F(2)(-x, 1+y,1-z) 사이의 3.256 A 이다.

대장균의 IciA 단백질은 DnaA 단백질의 작용장소에 결합하여 DNA의 복제가 개시되는 것을 막는다. 따라 서 IciA단백질은 세포주기의 주요 단계에서 결정적인 역할을 한다. 이러한 IciA 단백질의 구조와 기능간의 관 계를 연구하기 위하여 X-선 결정학을 이용하여 삼차원 구조를 결정하고자 한다. 그 첫 단계로 IciA단백질 결정화를 시도하였다. sodium formate를 침전제로 이용하여 결정을 얻을 수 있었다.

(0001),(1012) 및 (1120)면 sapphire 기판위에 성장되는 (0001), (1120) 및 (1011)면 GaN epitaxy 박막을 Ga/HCI/NH3/He 계를 사용한 HVPE(halide vapor phase epitaxy)방법에 의하여 성장시키는 연구를 수행하였다. 박막의 표면조직과 결정구조는 XRD, RHEED와 SEM으로 분석하였으며, 성장된 막의 화학적 조성은 XPS로 관찰되었다. (1120) sapphire위에는 각각 (0001)과 (1120) GaN epitaxy 박막의 두가지 배향관계가 관찰되었다. (0001)면 GaN epitaxy 박막은 (0001)과 (1120)면 sapphire 기판위에서 1050℃ 의 고온으로 성장시킬 때 이차원적인 성장구조를 보여주였으며, (1120) sapphire 기판위에 성장된 (1011) GaN 박막이 주사전자현미경과 RHEED 분석결과 가장 좋은 표면조직과 결정구조를 보여주었다.

Hen egg white Iysozyme과 equine serum albumin을 모델 단백질로 하여 'heterogeneous' vapor diffusion실험을 수행하였다. 즉, droplet과 reseroir용액에 각각 다른 침전제를 사용하여 vapor diffusion에 의하여 평형에 이르도록 하였다. 실험 결과는 NSI 혹은 ammonium sulfate 대신 polyethylene glycol이 reservoir 용액에 포함되므로써 droplet과 reservoir 용액 사이의 평형 속도가 감소되는 것을 보여 주었다. Heterogeneous vapor diffusion 법을 통하여 reservoir용액에 포함된 이온성 염과 비이온성 침전제의 양을 적절히 조절하여 평형속도를 조절할 수 있음을 보였다.

Hot Tungsten Filament법에 의해 실리콘(Si), 몰리브데늄(Mo), 타이타늄(Ti), 텅스텐(W) 기판 위에 다이아몬드 박막을 증착시시키고 SEM, X선 회절분석 및 Raman spectroscopy로 분석하였다. 증착시간에 따른 증착실험의 결과로부터 내열금속위에 증착한 다이아몬드박막의 경우에는 먼저 탄화물 층이 형성되고, 그 이후에 다이아몬드가 핵형성되어 성장함을 알 수 있었다. 내열금속에 증착한 다이아몬드 박막은 5기판 위에 증착한 것과 비교할 때, 핵이 많이 형성되었고 facet이 잘 발달된 입자가 적었다. 5기판 뿐만 아니라 내열금속 기판 위에 다이아몬드막을 증착시킬 경우, 다이아몬드의 Raman 피크는 천연 다이아몬드에 비해 높은 주파수쪽으로 이동되었다. 이와같은 Raman 피크의 이동은 다이아몬드와 기판 사이의 열충격보다는 완충층의 역활을 하는 탄화물과 다이아몬드 사이의 열충격을 고려할 때 효과적으로 설명이 가능하였다. 생성된 탄화물의 형태와 다이아몬드 사이에 열충격이 가장 큰 Mo기판의 경우, 다이아몬드 Rarirm 피크의 이동이 가장 크게 나타났으며 Ti, W, Si기판의 순서로 이동이 적게 관찰되었다.