Journal of the Korean Society of Propulsion Engineers
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v.21
no.5
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pp.80-87
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2017
The performance of a pyrotechnic device that consists of donor/acceptor pair separated by a bulkhead relies on shock attenuation characteristics of the gap material and shock sensitivity of the donor and acceptor explosives. In this research, a micro Kapton flyer was accelerated by an exploding foil initiator (EFI) to figure out shock sensitivity of hexanitrostilbene (HNS) to impact. The averaged shock pressure and duration imparted to the explosive by flyer impact are measured by using a velocity interferometer for any reflector (VISAR) and impedance matching technique. Consequently, this research shows the possibility to determine the critical flyer velocity for initiating the miniaturized pyrotechnic unit by determining the relations between the impact velocity, the amplitude and width of impact loading.
Kim, E.S.;Kang, S.M.;Choi, Y.J.;Kim, D.J.;Lee, J.K.;Rho, B.J.
한국전산유체공학회:학술대회논문집
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2008.03b
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pp.54-60
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2008
The atomization characteristics of the dual air supplying twin-fluid nozzle were investigated experimentally using PIV and PDA systems. The two-fluid nozzle is composed of three main parts: the feeding injector to supply fluid that is controlled by a PWM (pulse-width modulation) mode, the adaptor as a device with the ports for supplying the carrier and assist air and the main nozzle to produce the spray. The main nozzle has the swirl tip with four equally spaced tangential slots, which give the injecting fluid an angular momentum. The angle of the swirl tip varied with 0$^{\circ}$ 30$^{\circ}$, 60$^{\circ}$ and 90$^{\circ}$, and the ratios of carrier air to assist air and ALR(total air to liquid) were 0.55 and 1.23, respectively. The macroscopic behavior of the spray was investigated using PIV system, and the mean velocity, turbulent intensity and SMD distributions of the sprays were measured using PDA system. As the results, the mean axial velocity at the spray centerline decrease with the increase of the swirl angle. The turbulent intensities of the axial and radial velocity were increased with the increase of the swirl angle. The mean SMD (Sauter mean diameter) of the radial direction along the axial distance shows the lowest value at the swirl angle of 60$^{\circ}$.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.50
no.1
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pp.6-10
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2001
In this study, we investigated the optical properties of sub-wavelength a-Si thin film transmission gratings, especially the polarization effect, the phase difference and the birefringence by using linearly polarized He-Ne laser beam (632.8nm). The a-Si transmission grating of the thickness $of < 0.1 \mum$ with four-type period($\Lambda = 0.4 \mum and 0.6 \mum$ for sub-wavelength and $\Lambda = 1.0 \mum and 1.4 \mum$ for above-wavelength) on quartz substrates have been fabricated using 50 KeV Ga+ Focused-Ion-Beam(FIB) Milling and $CF_4$Reactive-Ion-Etching(RIE) method. Finally, we obtained the trating array of a-Si thin film with a period $0.4 \mum, 0.6 \mum, 1.0 \mum, 1.4 \mum$ which have nearly equal finger spacing and width, sucessfully. Especially, for gratings with $\Lambda = 0.6 \mum(linewidth=0.25 \mum, linespace=0.35\mum), the \etamax at \theta_в=17.0^{\circ}$ is estimated to be 96%. As the results, we believe that the sub-wavelength grating arrayed a-Si thin film has the applicability as the optical device and components.
Polystyrene (PS) microspheres were used to good advantage as a template material to prepare macroporous $TiO_2$ thin films. This is enabled to run the thermal decomposition of the PS without the collapsing of the 3-D macroporous framework during the calcination step. $TiO_2$ thin films were deposited onto the colloidal templated substrates at room temperature by RF sputtering, and then samples were thermally treated at $450^{\circ}C$ for 40.min in air to remove the organic colloidal template and induce crystallization of the $TiO_2$ film. The macroporous $TiO_2$ thin film exhibited a quasi-ordered partially hexagonal close-packed structure. Burst holes, estimated to be formed during PS thermal decomposition, are seen as the hemisphere walls. the inner as well as the outer surfaces of the hollow hemispheres formed by the method of thermal decomposition can be easily accessed by the diffusing gas species. As a consequence, the active surface area interacting with the gas species is expected to be enlarged about by a factor of fourth as large as compared to that of a planar films. Also the thickness at neighboring hemisphere could be controlled a few nm thickness. If the acceptor density becomes as large that depletion width reaches those thickness, the device is in the pinch off-situation and a strong resistance change should be observed.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1999.05a
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pp.617-620
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1999
In this study, the polarization e(fecal and the birefringence effect of amorphous germanium (a-Ge) thin films were investigated by using linearly polarized He-Ne laser beam. The a-7e thin films were deposited on the quarts substrate by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) and thermal vacuum evaporation In order to obtain the optimum grating arrays, inorganci resists such as Si$_3$N$_4$ and a-Se$_{75}$ Ge$_{25}$ , were prepared with the optimized thickness by Monte Carlo (MC) simulation. As the results of MC simulation, the thickness ofa-Se$_{75}$ Ge$_{25}$ resist was determined with Z$_{min}$ of 360$\AA$ . The resists were exposed to Ga$^{+}$-FIB with accelerating energies of 50 keV, developed by wet etching, and a-Ge thin film was etched by reactive ion-etching (RIE). Finally, we were obtained grating arrays which grating width and linewidth are 0.8${\mu}{\textrm}{m}$, respectively and we studied the polarization and birefringence effect in transmission grating array made of high refractive amorphous material, and the applicability as waveplates and polarizers in optical device.e.e.
Kim, Kwan-Young;Jang, Jae-Man;Yun, Dae-Youn;Kim, Dong-Myong;Kim, Dae-Hwan
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.10
no.2
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pp.134-142
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2010
A comparative study on the trade-off between the drive current and the total gate capacitance in double-gate (DG) and triple-gate (TG) FinFETs is performed by using 3-D device simulation. As the first result, we found that the optimum ratio of the hardmask oxide thickness ($T_{mask}$) to the sidewall oxide thickness ($T_{ox}$) is $T_{mask}/T_{ox}$=10/2 nm for the minimum logic delay ($\tau$) while $T_{mask}/T_{ox}$=5/1~2 nm for the maximum intrinsic gate capacitance coupling ratio (ICR) with the fixed channel length ($L_G$) and the fin width ($W_{fin}$) under the short channel effect criterion. It means that the TG FinFET is not under the optimal condition in terms of the circuit performance. Second, under optimized $T_{mask}/T_{ox}$, the propagation delay ($\tau$) decreases with the increasing fin height $H_{fin}$. It means that the FinFET-based logic circuit operation goes into the drive current-dominant regime rather than the input gate load capacitance-dominant regime as $H_{fin}$ increases. In the end, the sensitivity of $\Delta\tau/{\Delta}H_{fin}$ or ${{\Delta}I_{ON}}'/{\Delta}H_{fin}$ decreases as $L_G/W_{fin}$ is scaled-down. However, $W_{fin}$ should be carefully designed especially in circuits that are strongly influenced by the self-capacitance or a physical layout because the scaling of $W_{fin}$ is followed by the increase of the self-capacitance portion in the total load capacitance.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.36
no.2
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pp.158-163
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2023
Recently, the global demands for high voltage power semiconductors are increasing across various industrial fields. The use of electric cars with high safety and convenience is becoming practical, and IGBT modules of 3.3 kV and 1.2 kA or higher are used for electric locomotives. Delicate design and advanced process technology are required, and research on the optimization of high-voltage IGBT parts is urgently needed in the industry. In this study, we attempted to design a simulation process through TCAD (technology computer-aid design) software to optimize the process conditions of the fielding process among the core unit processes for an especial high yield voltage. As well, the prior circuit technology design and a ring pattern with a large number of ring formation structures outside the wafer similar to the chip structure of other companies were constructed for 3.3 kV NPT-IGBT through a unit process demonstration experiment. The ring pattern was designed with 21 rings and the width of the ring was 6.6 ㎛. By changing the spacing between patterns from 17.4 ㎛ to 35.4 ㎛, it was possible to optimize the spacing from 19.2 ㎛ to 18.4 ㎛.
Seismic isolation is one of the most widely implemented and accepted seismic protection systems to limit or avoid damages from unforeseeable earthquakes. As an energy absorption device, however, the supplemental lead itself tends to pollute the environment. Consequently, it is predicted that the use of lead would be controlled. Considering the pollution caused by lead, several researchers are interested in the viability of using steel in place of lead. In this study, first, based on the results of a non-linear finite element analysis, the excellent deformation capacity of a very tough steel damper was demonstrated by comparing it with that of the SS400 damper and determining the effects of main parameters (the aspect ratio, thickness, and width) on the deformation capacity. Second, an optimum shape and design equation for a U-shaped damper with an opening based on stress distribution was suggested.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.25
no.11
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pp.1367-1372
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1988
In this paper, we have optimized the computation of the CSP - LOC (Channel Substrate Planar-Large Optical Cavity) structure to design the gith power (Ga, Al) As/GaAs CSP-LOC laser diode. The parameters of the device on the bases of experimental datas include the effects of the various layer thickness, material absorption coefficients, stripe width and so forth. At active layer ($d_2$)=0.08 um with optical layer ($d_3$)=0.5 um and $d_2$ = 0.1 um with $d_3$ = 0.4 um, we find the narrower beam divergence and stable high power in the lowest-order mode without the phenomenon of spatial hole burning. The results of theoretical computation show good agreement with experimental measurements made on LPE grown CSP-LOC. Finally, we developed an practical program and the program is applicable to the CSP-LOC lasers with any materials.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.11a
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pp.345-346
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2008
We have studied an emission spectra of top-emssion organic light-emitting diodes(TEOLED) due to a change of cathode and organic layer thickness. Device structure is Al(100nm)/TPD(xnm)/$Alq_3$(ynm)/LiF(0.5nm)/cathode. And two different types of cathode were used; one is LiF(0.5nm)/Al(25nm) and the other is LiF(0.5nm)/Al(2nm)/Ag(30nm). While a thickness of hole-transport layer of TPD was varied from 35 to 65nm, an emissive layer thickness of $Alq_3$ was varied from 50 to 100nm for two devices. A ratio of those two layer was kept to be about 2:3. Al and Al/Ag double layer cathode devices show that the emission spectra were changed from 490nm to 560nm and from 490nm to 560nm, respectively, when the total organic layer increase. Full width at half maximum was changed from 67nm to 49nm and from 90nm to 35nm as the organic layer thickness increases. All devices show that view angle dependent emission spectra show a blue shift. Blue shift is strong when the organic layer thickness is more than 140nm. Devece with Al/Ag double layer cathode is more vivid.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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