A Study on the Mode Characteristics of CSP-LOC Laser Diode for High Power

고출력 CSP-LOC 레이저 다이오드의 모우드 특성에 관한 연구

In this paper, we have optimized the computation of the CSP - LOC (Channel Substrate Planar-Large Optical Cavity) structure to design the gith power (Ga, Al) As/GaAs CSP-LOC laser diode. The parameters of the device on the bases of experimental datas include the effects of the various layer thickness, material absorption coefficients, stripe width and so forth. At active layer ($d_2$)=0.08 um with optical layer ($d_3$)=0.5 um and $d_2$ = 0.1 um with $d_3$ = 0.4 um, we find the narrower beam divergence and stable high power in the lowest-order mode without the phenomenon of spatial hole burning. The results of theoretical computation show good agreement with experimental measurements made on LPE grown CSP-LOC. Finally, we developed an practical program and the program is applicable to the CSP-LOC lasers with any materials.

본 논문은 최적의 고출력용 (GaAl) As/GaAs CSP-LOC 레이저 다이오드 구조를 설계하기 위하여 컴퓨터 시뮬레이션 하였다. 실험 데이터를 근거로한 레이저다이오드의 설계변수로 각 층의 두께, 흡수계수, 스트라이프 폭등이 사용되었고 활성층(d2)와 광 도파로층(d3)의 두께가 각각 0.08um, 0.5um일때와 0.1um, 0.4um일때 최적의 안정된 고출력용 CSP-LOC 구조를 얻었다. 따라서 본 노문에서는 실용적인 반도체레이저의 컴퓨터 시뮬레이션 프로그램을 개발하였고 임의의 재료를 갖는 CSP-LOC 구조에 이 프로그램의 적용이 가능하다.