• 대한전자공학회논문지SD
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• 제40권9호
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• pp.644-650
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• 2003

본 논문은 밀리미터파 대역에서 사용될 PHEMT의 특성향상을 위한 연구의 일원으로 게이트 식각에 따른 소자의 특성 변화를 연구하였다. PHEMT는 ohmic 금속을 리세스 패턴으로 사용한 wide 리세스와 게이트 패턴을 리세스 패턴으로 사용한 narrow 리세스의 두가지를 이용하여 제작하였다. 제작된 PHEMT의 최대 전달컨덕턴스(g/sub m/)는 wide 리세스를 이용한 경우 332.7 mS/mm, narrow 리세스를 이용한 경우 504.6 mS/mm의 값을 각각 얻었다. 소신호 주파수 특성으로, wide 리세스를 이용하여 제작한 PHEMT는 전류 이득 차단주파수(f/sub T/) 113 GHz, 최대 공진 주파수(f/sub max/) 172 GHz를 각각 얻었다. Narrow 리세스를 이용하여 제작한 PHEMT의 전류 이득 차단주파수(f/sub T/)와 최대 공진 주파수(f/sub max/)는 101 GHz, 142 GHz를 각각 얻었다. 측정된 결과는 소신호 모델에서 각 파라미터의 변화와 비교, 분석하였다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.249-252
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• 2002

we have studied the characteristics of PHEMT's with gate recess etching method. The DC characterization of PHTMT fabricated with the wide single recess methods is a maximum drain current density of 319.4 ㎃/mm and a peak transconductance of 336.7 ㎳/mm. The RF measurements were obtained in the frequency range of 1~50GHz. At 50GHz, 3.69dB of 521 gain were obtained and a current gain cut-off frequency(f$_{T}$) of 113 CH and a maximum frequency of oscillation(f$_{max}$) of 172 Ghz were achieved from this device. On the other hand, a maximum drain current of 367 mA/mm, a peak transconduclancc of 504.6 mS/mm, S$_{21}$ gain of 2.94 dB, a current gain cut-off frequency(f$_{T}$) of 101 CH and a maximum frequency of oscillation(f$_{max}$) of 113 fa were achieved from the PHEMT's fabricated by the .narrow single recess methods.methods.

• 한국추진공학회:학술대회논문집
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• 한국추진공학회 2011년도 제36회 춘계학술대회논문집
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• pp.57-60
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• 2011

GCSC 분사기의 리세스 길이와 기체/액체의 운동량 플럭스 비(MFR) 변화에 따른 분무 특성을 고압 챔버를 이용한 고압수류시험을 통해 알아보았다. 물과 질소를 사용하였고, back-lit strobe imaging 기법을 이용하여 분무형상을 촬영하였다. 시험결과 MFR이 작을 때(액체 유속 고정)는 분무각이 큰 hollow cone 형상을 보이고, MFR이 증가함에 따라 분무각이 작은 solid cone 형상의 분무를 보였다. 또한 리세스가 짧은 분사기일수록 더 큰 MFR에서 solid cone 형상의 분무를 보였다.

• ETRI Journal
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• 제13권4호
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• pp.10-24
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• 1991

본 연구에서는 기상 성장법 (VPE : vapor phase epitaxy) 으로 성장된 $n^+(Si:2X10^18cm^-3)$/$n(Si:1x10^17cm^-3)$구조의 시편 위에 SiN 과 감광막 등 식각 선택비가 서로 다른 두 물질로 보호된 소스와 드레인 사이의 게이트 형성 영역을 건식식각과 습식식각방법으로 리세스 에칭을 하여 형성한 후, 게이트를 자기정렬하여 형성시킬 수 있는 이중 리세스공정 기술을 개발하였고, 이를 통하여 전력용 MESFET 소자를 제작하였다.게이트 형성부분의 wide recess 폭은 건식식각으로 SiN을 측면식각(lateral etch) 함으로써 조절하였는데, 이 방법을 사용하여 MESFET 소자의 임계전압을 조절할 수 있고, 동시에 소스-드레인 항복전압을 30V 까지 향상시킬 수 있었다. 소스-드레인 항복전압은 wide recess 폭이 증가함에 따라, 그리고 게이트 길이가 길어짐에 따라 증가하는 경향을 보여주었다. 이 방법으로 제작한 여러종류의 MESFET 중에서 게이트 길이가 $2\mum$이고 소스-게이트 간격이 $3 \mum$인 MESFET의 전기적 특성은 최대 트랜스컨덕턴스가 120 mS/mm, 게이트 전압이 0.8V 일 때 포화드레인전류가 170~190mA/mm로 나타났다. 제작된 MESFET이 ($NH_4$)$_2$$S_x$ 용액에 담금처리될때 , 공기중에 노출된 게이트-드레인 사이의 n-GaAs층의 표면이 유황으로 보호되어 공기노출에 의한 표면 재산화막의 형성이 억제되었기 때문으로 사료된다.

• Tribology and Lubricants
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• 제11권2호
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• pp.15-23
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• 1995

A zero-load slider is composed of two outside rails which produce a lift force pushing up the slider from the disk surface and a wide reverse step region which produces a suction force attracting the slider to the disk surface. In this paper, the flying characteristics of zero-load sliders are obtained by using an optimization technique. In the pressure calculation module, the FIFD scheme is used to solve the modified Reynolds equation. The BFGS method and a line search algorithm is employed to predict the static flying attitude. To investigate the effect of the geometric- parameters of zero-load sliders on the flying characteristics, recess depth, front step width, rail width, and taper height are varied and the corresponding flying attitudes are obtained. Simulation results demonstrate that recess depth and rail width have significant influences on the flying characteristics.

• ETRI Journal
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• 제27권3호
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• pp.304-311
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• 2005

We report on the fabrication of an AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT) using a dielectric-defined process. This process was utilized to fabricate $0.12\;{\mu}m\;{\times}\;100 {\mu}m$ T-gate PHEMTs. A two-step etch process was performed to define the gate footprint in the $SiN_x$. The $SiN_x$ was etched either by dry etching alone or using a combination of wet and dry etching. The gate recessing was done in three steps: a wet etching for removal of the damaged surface layer, a dry etching for the narrow recess, and wet etching. A structure for the top of the T-gate consisting of a wide head part and a narrow lower layer part has been employed, taking advantage of the large cross-sectional area of the gate and its mechanically stable structure. From s-parameter data of up to 50 GHz, an extrapolated cut-off frequency of as high as 104 GHz was obtained. When comparing sample C (combination of wet and dry etching for the $SiN_x$) with sample A (dry etching for the $SiN_x$), we observed an 62.5% increase of the cut-off frequency. This is believed to be due to considerable decreases of the gate-source and gate-drain capacitances. This improvement in RF performance can be understood in terms of the decrease in parasitic capacitances, which is due to the use of the dielectric and the gate recess etching method.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 추계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.17-20
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• 2000

We have enhanced the yield of 0.25 ${\mu}{\textrm}{m}$ T-gate $Al_{0.25}$G $a_{0.75}$As/I $n_{0.2}$G $a_{0.8}$As P-HEMT using three-layer E-beam lithography process and selective etching process. The three-layer resist structure (PMMA/copolymer/ PMMA=2000 $\AA$/3000 $\AA$/2000 $\AA$) and three developers (Benzene：IPA=1：1,Methanol：IPA =1：1,MIBK：IPA=1：3) were used for fabrication of a wide-head T-gate by the conventional double E-beam exposure technology. Also 1 wt% citric acid： $H_2O$$_2$：N $H_{4}$OH(200m1：4ml：2.2ml) solution were used for uniform gate recess. The etching selectivity of GaAs over $Al_{0.25}$G $a_{0.75}$As is measured to be 80. So these P-HEMT processes can be used in X-band MMIC LNA fabrication.ion.ion.ion.

• 전자공학회논문지A
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• 제29A권2호
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• pp.77-79
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• 1992

We propose a self-aligned and double recessed technique for GaAs power MESFETs application. The gate length and the wide recess width are defined by a selective removal of the SiN layer using reactive ion etching(RIE) while the depth of the channel is defined by chemical etching of GaAs layers. The threshold voltages and the saturation drain voltage could be sucessfully controlled using this technique. The lateral-etched distance increases with the dry etching time and the source-drain breakdown voltage of MESFET increases up to about 30V at a pinch-off condition. The electrical characteristics of a MESFET with a gate length of 2 x10S0-6Tm and a source-gate spacing of 33 x10S0-6Tm show maximum transconductance of 120 mS/mm and saturation drain current density of 170-190mA/mm at a gate voltage of 0.8V.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제39권1호
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• pp.31-38
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• 2002

0.35㎛-비아(via) 식각공정을 개선하기 위하여 C₂F/sub 6/가스의 식각특성을 분석하였다. 실험한 재료는 TEOS/SOG/TEOS 막을 올린 8인치 웨이퍼이며, 실험의 기법은 직교행열(Orthogonal array matrix) 실험 방식을 활용하였다. 산화막 식각에 이용된 장비는 transformer coupled plasma(TCP) source 방식이며 고밀도 플라즈마(HDP)장비이다. 실험의 결과는, 실험변수의 범위 내에서 C₂F/sub 6/는 0.8㎛/min-1.l㎛/min 범위의 식각속도를 보이며 균일도(Uniformity)는 ±6.9%미만으로 측정되었다. CD 변화(skew)는 식각 전과 후를 비교하여 10% 미만이었고 그 결과 비등방성(anisotropic) 식각의 특성이 우수하였다. C₂F/sub 6/를.20sccm 공급할 때 문제점이 발견되지 않았지만 14sccm을 공급하면 SOG 막의 내벽이 침식당하는 문제점이 있었다. 결과적으로 C₂F/sub 6/는 HDP TCP에서 빠른 식각비와 넓은 공정창(process window)을 가진 식각특성을 나타내었다.

• 한국수자원학회논문집
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• 제30권6호
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• pp.777-785
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• 1997

이 연구는 강우시 산지사면의토양체와 대공극에서 발생하는 지표하 호우류를 구분하여 측정한 후 이들의 수문학적 특성을 밝히고자 수행하였다. 측정 시설은 미국 Georgia 주에 위치한 지질국 산하 Panola 시험유역의 상류 산지사면에 약 20m 길이의 조사구를 암반 깊이까지 파고 2m 간격으로 집수구를 설치하였다. 대공극류는 조사구 토양단면에 있는 13개의 대공극 중 유출이 발생한 6개의 대공극에 집수통을 설치하여 측정하였다. 1996년 3월 6일부터 7일까지 95.5mm의 강우가 내렸으며 이 때 발생한 대공극류와 기질류를 측정하여 분석하였다. 대공국류는 기질류보다 약 10시간 앞서 첨두유출이 발생하므로 유역의 첨두유출을 형성하는데 보다 큰 영향을 미쳤다. 강우가 종료된 후 대공극류는 약 12시간 이내에 멈춘 반면 기질류는 약 3일 이상 지속되어 감수부를 형성하는데 보다 큰 영향을 미쳤다. 기질루와 대공극류의유출량은 집수구에 따라 최대 8,655.3$\ell$에서 최초 17.8$\ell$로 공간적 변이가 매우 크게 나타났으며 이 변이는 지표 지형보다 기반암 표면의 지형과 밀접한 관계가 있었다.