In this paper, a disk-type piezoelectric transformer for the high power was investigated with the variation of road resistance. The diameter and thickness of a disk-type piezoelectric transformer was 45mm and 4mm, respectively. The piezoelectric ceramics was composed to PZT-PMN-PSN. The ratio of driving electrode and generating electrode is 2:1. The poling direction of driving part and generating part are the same. A voltage step-up ratio increased with increasing the load resistance, $R_L$, so it reached 60 under no road resistance. Also, the maximum efficiency of 97% was obtained.
This paper deals with the parallel operation of inverters. To enlarge capacity of inverter system and reduce current ripples on inverter output side, two or more inverters are operated in parallel. Up to now six-step inverters and sinusoidal PWM inverters are considered in parallel operation, but using space-vector PWM inverters we can get many advantages of reducing ripple current energy and torque ripple and so on. As we can choose effective voltage vectors more freely than single operation, inverter output current ripples can be reduced by shifting beginning and end point of switching state back and forth.
A boost converter proposed in this paper operates with high power factor due to input current of sinusoidal waveform. If there were no input LPF, the current is got to be discontinuos form in proportion to AC input voltage magnitude under the constant duty factor switching. Thereupon, the harmonics of input current waveform is reduced and the LPF is made with few elaboration and the control circuit is simple. The switching devices in proposed circuit are operated with soft switching by the partial resonant method. The patial resonant circuit makes use of a reactor using step-up and a capacitor of loss-less snubber. The result is that switching loss is very low and efficiency of system is high.
본 논문은 입력 전류 리플이 없고 낮은 스위치 전압 스트레스를 갖는 고승압 부스트-세픽 DC-DC 컨버터를 제안한다. 제안된 컨버터는 부스트 단의 보조회로에 의해 입력 전류 리플이 상당히 제거되었으며 세픽 단에 결합 인덕터를 적용하여 높은 전압 이득을 달성하였다. 또한 스위치 전압 스트레스는 클램핑 회로에 의해 감소되었으며 따라서 상대적으로 낮은 $R_{ds(on)}$ 갖는 MOSFET을 사용하여 컨버터의 효율이 개선되었다. 추가적으로 결합 인덕터의 누설 인덕터로 인하여 출력 다이오드의 역회복 손실이 완화되었다. 제안된 컨버터는 이론적 해석과 200[V]-200[W]하드웨어 시작품을 제작하여 검증하였다.
Koo, Yoon Sung;Song, Wan Soo;Park, Byeong Gyu;Ahn, Min Gyu;Hong, Sang Jeen
반도체디스플레이기술학회지
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제19권4호
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pp.18-21
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2020
Undetected wafer slip during the lift pin-down motion in semiconductor equipment may affect the center to edge variation, wafer warpage, and pattern misalignment in plasma equipment. Direct measuring of the amount of wafer slip inside the plasma process chamber is not feasible because of the hardware space limitation inside the plasma chamber. In this paper, we demonstrated a practice for the wafer lift pin-up and down motions with respect to the gear ratio, operating voltage, and pulse width modulation to maintain accurate wafer position using remote control linear servo motor with an experimentally designed chamber mockup. We noticed that the pin moving velocity and gear ratio are the most influencing parameters to be control, and the step-wised position control algorithm showed the most suitable for the reduction of wafer slip.
$CF_4$ gas is one of the most useful gases in modern technologies for semiconductor fabrication. However, there are many problems which should be solved in order to fabricate semiconductor device, for example, etching speed drop due to ion charge-up and etching selectivity drop due to the high electron energy. One of useful method in order to suppress their damages above is pulsed-time modulated plasma (PM). However, transient responses of charged particles occur when the source power is turned-on and -off in PM method. To control plasma properties in detail, such a transient phenomenon must be investigated. In this paper, we investigate $CF_4$ RF plasma properties under a one-dimensional fluid model. And also for dynamic and stable control of $CF_4$ plasmas, we investigated the transient behavior of the plasmas after step up or down of the amplitude of the power source voltage $V_s$(t). Fundamental properties of transient $CF_4$ plasmas was discussed. Furthermore, we intend to discuss new method for pulsed-time plasma modulation.
본 논문에서는 새로운 무손실 스너버 회로를 설계하여 적용한 PWM-PFC 스텝-업 컨버터에 대해 제안한다. 제안된 컨버터는 전류불연속 제어모드에 의해 제어회로 구성이 간단하고 회로 구성소자의 용량을 줄일 수 있다. 또한 입력전류는 스위치의 듀티율 일정제어에 의한 교류 입력전압의 크기에 비례한 불연속적인 펄스열의 정현파상으로 된다. 그 결과 입력역률은 거의 단위역률로 주어지고 듀티율 일정제어에 의해서 제안된 컨버터는 제어기법이 간단하게 된다. 일반적으로 입력전류 불연속제어에 의한 컨버터의 경우, 사용된 스위치의 턴-온 동작은 영전류 스위칭으로 되는 장점이 있지만, 스위치의 턴-오프 동작은 최대 전류에서 스위칭되어 스위칭 손실을 증대시키고 스위치의 과중한 스트레스를 가져오게 된다. 이것은 컨버터의 효율을 저하 시키는 요인이다. 본 논문에서는 부분공진 회로로 동작되는 새로운 무손실 스너버 회로를 설계하여 스위치들의 턴-온, 턴-오프 동작을 소프트 스위칭으로 만들어 컨버터의 효율을 더욱 증대시킨다 제안된 PWM-PFC 스텝-업 컨버터는 컴퓨터 시뮬레이션과 실험을 통하여 그 타당성이 입증된다.
본 논문에서는 HEMP(High-altitude Electromagnetic Pulse)와 같은 외부전자파 환경에 노출된 EMP 방호시설에 연결된 전송선로에 유기된 HEMP 위협에 대한 전도성 방호 성능 평가를 위한 E1 펄스에 대해 연구한다. 기존 E1 펄스 발생장치는 Marx Generator 고전압 승압 방식을 사용하지만, 본 연구에서는 광대역 출력전압(30~350 kV) 가변이 용이한 Tesla Transformer 방식을 사용한다. E1 펄스 발생장치의 구성 요소인 제어기, 전원장치, 고전압 승압장치, 펄스성형장치도 각각 분석한다. Tesla Transformer를 이용한 E1 펄스는 시뮬레이션을 통해 성능을 예측하고, 실제 개발된 장비를 이용하여 결과를 검증한다.
현대 사회에서 다양한 전기기기들의 시스템 회로를 동작시키기 위해서는 여러 직류 전원이 필요하다. 회로의 정상적인 동작을 위해 안정된 직류의 공급이 필수적으로 요구되고 이를 위한 컨버터의 중요성은 매우 크다고 할 수 있다. 본 연구는 부하 변동에 상관없이 출력전압의 안정적인 공급을 유지할 수 있도록 승압형 DC-DC 컨버터인 KY 컨버터에 3-극점 2-영점 전압 제어기를 적용한 PWM DC-DC 컨버터 회로를 제안하였다. 제안된 컨버터 회로의 정상 동작 특성을 입증하기 위해 기존의 컨버터 회로와 비교하여 PSIM 시뮬레이션 프로그램과 PCB 기판에서의 회로 동작 실험을 수행하였다.
최근, 연료전지는 새로운 발전시스템으로 주목받고 있다. 연료전지는 저전압/대전류의 전기적 특성을 가진다. 그러므로 일반 상용부하에 적용하기 위해서는 승압용 컨버터와 인버터가 필요하다. 제안된 시스템은 연료전지의 전압을 380[Vdc]로 승압하기 위한 절연형 DC-DC 컨버터와 단상 220[Vac]로 변환하기 위한 LC 필터를 가진 PWM 인버터로 구성된다. 또한, 연료전지 발전시스템용 양방향 DC-DC 컨버터는 부하 응답 특성을 개선시키기 위하여 구성하였다. 본 논문에서는 풀 브리지 컨버터와 단상 인버터를 설계하고 제작하였으며, 시뮬레이션과 실험을 통해 연료전지 발전 시스템이 분산전원에 적용이 가능함을 보여준다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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