• 한국정보통신학회논문지
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• 제26권10호
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• pp.1567-1570
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• 2022

This paper, we presents a RF protection technique of antenna switch by improving the power handling capability in worst case environment mode for mobile phone applications without critical payment of circuit performances such as insertion loss, isolation and ACBV (AC breakdown voltage). By applying a additional capacitive path located in front of the antenna in cell-phone, it performs the effective reduction of input power in high voltage standing wave ratio (VSWR) condition. Under the all-path off condition which causes a high VSWR, it achieved 37.7dBm power handling level as high as 5.7dB compared to that of conventional one at 2GHz. In addition, insertion loss and isolation performances were 0.31dB and 42.72dB at 2 GHz, respectively which were almost similar to that of the conventional circuit. The proposed antenna switch was fabricated in 130nm CMOS SOI technology.

• International Journal of Contents
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• 제2권1호
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• pp.29-33
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• 2006

The common-source low noise amplifier(LNA) with inductive degeneration using a genetic algorithm is designed and tested for a down converter in an industrial, scientific and medical (ISM) band application and a wireless broadband internet service (WiBro). The genetic algorithm optimizes the reflection coefficients to be well matched the input and output ports between multistage transistor amplifiers, and it generates low voltage standing wave ratio as well as gain flatness of the amplifier. The stability and the gain flatness of the LNA have been improved by combining the matching circuits and the series feedback microstrip lines with inductive degeneration at common-source port. In the frequency range of ISM band and WiBro application operating at $2.3GHz{\sim}2.5GHz$, the measured power gain and maximum voltage standing wave ratio (VSWR) of the LNA are $41{\pm}0.5dB$ and 1.3, and the noise figure of the LNA is lower than 0.85dB. The above results are agreed well with the theoretical values of the amplifiers.

• 한국통신학회논문지
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• 제31권3A호
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• pp.356-359
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• 2006

A monolithic SiGe HBT variable gain driver amplifier(VGDA) with high dB-linear gain control and high linearity has been developed as a driver amplifier with ground-shielded microstrip lines for 5-GHz transmitters. The VGDA consists of three blocks such as the cascode gain-control stage, fixed-gain output stage, and voltage control block. The circuit elements were optimized by using the Agilent Technologies' ADSs. The VGDA was implemented in STMicroelectronics' 0.35${\mu}m$ Si-BiCMOS process. The VGDA exhibits a dynamic gain control range of 34 dB with the control voltage range from 0 to 2.3 V in 5.15-5.35 GHz band. At 5.15 GHz, maximum gain and attenuation are 10.5 dB and -23.6 dB, respectively. The amplifier also produces a 1-dB gain-compression output power of -3 dBm and output third-order intercept point of 7.5 dBm. Input/output voltage standing wave ratios of the VGDA keep low and constant despite change in the gain-control voltage.

• 한국전자파학회논문지
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• 제24권4호
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• pp.394-402
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• 2013

본 논문은 GaN(Gallium Nitride) HEMT(High Electron Mobility Transistor)를 이용한 S대역 레이더용 전력증폭기 설계하고 제작된 스위칭 모드 전력증폭기의 ruggedness 시험에 관련된 내용을 기술하였다. 고효율 특성을 위해 전력증폭기를 Class-F로 설계하였으며, 측정을 위한 입력 신호는 $100{\mu}s$의 pulse width 및 10 %의 duty cycle인 pulse 신호를 사용하였다. 제작된 Class-F 전력증폭기의 중심 주파수에서 측정한 결과, 8.7 dB의 전력 이득과 42 dBm의 출력 전력, 54.2 %의 전력 부가 효율(PAE) 및 62.6 %의 드레인 효율이 측정되었다. 또한, 전력증폭기의 신뢰성 시험의 일환으로 Ruggedness 시험을 위한 실험 구성을 제안하고, VSWR(Voltage Standing Wave Ratio)을 변화시켜 출력 전력과 효율을 측정하였다. 설계된 전력증폭기가 VSWR 변화에 따라 출력 전력 32.6~41.1 dBm까지 변화하고, 드레인 효율은 23.4~63 %까지 변하는 특성을 얻을 수 있었다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제6권3호
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• pp.8-11
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• 1969

In the precision measurement of the voltage standing wave ratio (VSWR) or reflection coefficient by means of the slotted line technique, one of the important factors is the maximum error due to the discontinuities and multi-reflection in the slotted line. Particularly, this error becomes a critical factor when the VSWR or the reflection coefficient to be measured is very small. In this paper, the exact expression of this error is obtained by means of the Signal flow graph method.

• 한국전자파학회논문지
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• 제22권10호
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• pp.990-998
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• 2011

본 논문에서는 GPS L2/L1, GLONASS 통합 수신기용 다중 대역 단일 패치 안테나를 설계 및 제작하였다. 설계된 안테나는 이중 급전 방식이고, 슬롯을 가진 단일 마이크로스트립 패치와 임피던스 매칭 회로로 구성되어 있다. 설계하고자 하는 안테나의 주요 목표 규격은 동작 주파수 대역인 GPS L2(1,227.6 MHz)/L1(1,575.42 MHz), GLONASS(1,602 MHz)에서 정재파비(VSWR: Voltage Standing Wave Ratio) 2.0 이하, 우선회 원형 편파(RHCP: Right-Hand Circularly Polarization) 특성, 30 dB 이상의 능동형 안테나 이득, 3 dB 이하의 축비이며, 시험을 통하여 주요 규격이 만족됨을 확인하였다.

• 전기전자학회논문지
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• 제22권2호
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• pp.413-419
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• 2018

이중 대역저지 특성을 가지는 UWB(Ultra Wide Band) 안테나를 설계 및 구현하였다. 슬롯을 포함한 평면 방사패치, 스트립선로 양쪽의 기생소자와 아랫면의 접지면으로 제안된 안테나가 구성되어있다. 평면 방사 패치 내에 있는 슬롯과 기생소자가 각각 해당 대역을 저지한다. 슬롯은 WiMAX(World interoperability for Microwave Access, 3.30~3.70 GHz) 대역을, 기생소자는 X-Band(7.25~8.395 GHz) 대역을 저지하는데 각각 기여한다. 제안된 안테나의 설계하고 성능을 평가하는데 Ansoft의 HFSS(High Frequency Structure Simulator)가 사용되었다. 전산모의실험결과는 저지 대역인 3.30~3.86 GHz, 7.21~8.39 GHz를 제외한 구간에서 VSWR(Voltage Standing Wave Ratio)는 2.0 이하를 보였다. 구현된 안테나의 VSWR 측정 결과는 저지 대역인 3.25~3.71 GHz, 7.25~8.46 GHz를 제외한 3.10~10.60 GHz 구간에서 VSWR 값이 2.0 이하로 나타났다.

• 전기학회논문지
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• 제65권6호
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• pp.1083-1088
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• 2016

25.8kV GIS part generated by sensors to measure contact an inflow of noise depending on the extent of the measured discharge occurs often not easy. Partial discharge signal measurement sensor suitable for developing a more useful measurements at the scene to this, partial discharge waveform analysis developed a sensor, and to utilize forSensor on the development of the most important is VSWR decided to (voltage standing wave ratio) voltage standing-wave ratio less than 1.5 and decided less than at the full spectrum bands that are measured, this time Return loss, as measured value by absolute criteria 14.0 dB produced the sensor, designed to or more. UHF 1.5~0.5 GHz bandwidth spectrum to be measured in GIS. UHF bands were designed to be able to measure the best signal. Recently, 25.8kV GIS production company has been increasing variety of GIS were made open spacer in partial discharge in accordance with the not very easy to detect the signal. The sensor is designed height of four cm external spacer is attachment GIS in an influx of outside noise measurement, and be so manufactured as to facilitate the least we've done. Also, since partial discharge which occur can measure the frequency of the 170kV GIS external partial-discharge signals that occur at the scene of insulation applied to the spacer. Features, and also derived good results using global positioning. Also measured discharge point about sensors that are stable and the reliability of the development and local substation equipment failure occurring signal analysis through the discharge for the prevention of widely. There should be to believe that used.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제15권3호
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• pp.632-638
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• 2011

본 논문은 고주파 시스템 온 칩 응용을 위한 온 칩 검사 대응 설계 (Design-for-Testability, DFT) 회로를 제안한다. 이러한 회로는 고주파 회로의 주요 성능 변수들 즉, 입력 임피던스, 전압이득, 잡음지수, 입력 전압 정재비 (VSWRin) 및 출력 신호대 잡음비 (SNRout)를 고가의 장비없이 측정 가능하다. 이러한 고주파 검사 회로는 DFT 칩으로부터 측정된 출력 DC 전압에 실제 고주파 소자의 성능을 제공하는 자체 개발한 이론적인 수학적 표현식을 이용한다. 제안한 DFT 회로는 외부 장비를 이용한 측정 결과와 비교해 볼 때 고주파 회로의 주요 성능 변수들에 대해 5.25GHz의 동작주파수에서 2%이하의 오차를 각각 보였다. DFT 회로는 고주파 소자 생산뿐만 아니라 시스템 검사 과정에서 칩들의 성능을 신속히 측정할 수 있으므로 불필요한 소자 복사를 위해 소요되는 엄청난 경비를 줄일 수 있으리라 기대한다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제14권3호
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• pp.1445-1450
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• 2013

본 논문에서는 1.7-2.7 GHz 대역에서 동작하는 이동통신 기지국용 광대역 직렬 급전 보우타이 다이폴 쌍(series-fed bow-tie dipole pair; SBDP) 안테나를 제안하였다. 기존의 직렬 급전 다이폴 쌍(series-fed dipole pair; SDP) 안테나에서 사용하는 직선 스트립 다이폴 소자 대신에, 제안된 안테나는 보우타이 모양의 다이폴 소자를 사용하였다. 시뮬레이션 분석 결과, 양 끝으로 벌어진 각도가 증가할수록 안테나의 가장 낮은 동작 주파수가 저주파수 대역으로 이동하였으며, 이를 이용하여 저주파수 대역으로 이동한 만큼 다이폴 소자의 길이를 줄일 수 있다. 양 끝으로 벌어진 각도가 10도인 SBDP 안테나를 FR4 기판(비유전율 4.4, 두께 1.6 mm) 상에 제작하였고, SDP 안테나와 비교하여 폭이 10% 줄어들었다. 제작된 SBDP 안테나를 측정한 결과, 전압 정재파비(voltage standing wave ratio; VSWR)가 2 이하인 임피던스 대역폭은 48.8% (1.69-2.78 GHz), 이득은 5.8-6.3 dBi, 전후방비는 14-17 dB이다.