oxide 층의 위치와 두께 조절을 통하여 oxide-VCSEL이 단일모드로 동작하는 활성영역의 반경을 확장하는 방법을 Self-consistent effective-index 방법을 이용하여 제시하였다. 이렇게 활성영역이 넓어지면 고속, 고신뢰도, 고출력 동작에 유리한 단일모드 VCSEL을 만들 수 있게 된다. 고출력을 위하여 단일모드로 동작하는 활성영역을 확대하는 방법을 하면 다음과 같다. 첫째 oxide 층은 활성층에서 멀리 떨어진 곳에 위치시켜야 한다 둘째, oxide 층은 얇게 만들어야 한다. 셋째, oxide층을 node에 위치시켜야 한다. 그리고 고출력을 위하여 p-DBR 쌍의 수를 줄이는 것은 단일모드 동작조건을 변화시키지 않는다. 이 방법을 사용하면 단일모드로 동작하는 oxide-aperture 크기를 3m% 이상 키울 수 있다.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제8권1호
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pp.80-84
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2008
We systematically investigated the resistive switching properties of thin $TiO_2$ films on Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrates that were embedded with a Co ultra thin layer. An in-situ sputtering technique was used to grow both films without breaking the chamber vacuum. A stable bipolar switching in the current-voltage curve was clearly observed in $TiO_2$ films with an embedded Co ultra thin layer, addressing the high and low resistive state under a bias voltage sweep. We propose that the underlying origin involved in the bipolar switching may be attributed to the interface redox reaction between the Co and $TiO_2$ layers. The improved reproducible switching properties of our novel structures under forward and reverse bias stresses demonstrated the possibility of future non-volatile memory elements in a simple capacitive-like structure.
In this study, two large pile load tests were performed in the deep sand gravel deposit of Nakdong river basin so that the characteristics of the load transfer was identified. The fully instrumented rectangular barrette pile in the size of $1.5\times3.0m$ and the circular bored pile of the diameter 1.5 m were placed into the ground below 50 m. Under the applied loads of 2,400 tonf and 4,000 tonf, the test results of the load transfer showed the portion of 83% and 93% of the applied loads on the barrette pile and the bored pile, respectively, were supported by the skin friction along the pile shaft. It was revealed that the most of these skin friction mobilized in sand layer underlying clay layer having N-value more than 30 and that the friction per unit area of the bored pile was larger than the friction of barrette pile. However, if embedded in the stiff sand graval layer, the both piles were proven to be sufficient for using as the friction piles.
The $Cr_2AlC$ carbides oxidized at 700, 850 and $1000^{\circ}C$ in air from 70 hours up to 360 days. They oxidized according to the reaction; $Cr_2AlC+O_2{\rightarrow}{\alpha}-Al_2O_3+CO(g)$. The scales consisted primarily of the thin, essentially pure $Al_2O_3$ layer and the underlying Al-dissolved $Cr_7C_3$ layer. They grew via the outward diffusion of Al and carbon, and the inward diffusion of oxygen. The oxidation resistance of $Cr_2AlC$ was excellent due to the formation of the protective $Al_2O_3$ layer. Even when $Cr_2AlC$ oxidized at $1000^{\circ}C$ for 360 days, the ${\alpha}-Al_2O_3$ layer was only about 4 ${\mu}m$-thick.
Structually organized mono- and multilayers were developed on gold for the catalytic and affinity biosensing using hyper-branched dendrimers. For the catalytic biosensing interface, a new approach to construct a multilayered enzyme film on the electrode surface was developed. The film was prepared by layer-by-layer depositions of dendrimers and periodate-oxidized glucose oxidase. The voltammograms obtained from the GOx/dendrimer multilayered electrodes revealed that bioelectrocatalytic response is directly correlated to the number of deposited bilayers. From the analysis of voltammetric and ellipsometric signals, the coverage of active enzyme per layer during the layering steps was estimated, demonstrating the spatially-ordered multilayer formation. As an extension of the study, dendrimers having various degrees of ferrocenyl modification were prepared and used. The resulting electrodes were electrochemically characterized, and the density of ferrocenyl groups, active enzyme coverage, and sensitivity were estimated. For the affinity-sensing surrface, a biosensor system based on avidin-biotin interaction was developed. As the building block of affinity monolayer, G4 dendrimer having partial ferrocenyl-tethered surface groups was prepared and used. And the biotinylated and electroactive dendritic monolayer was used for the affinity-sensing surface interacting with avidin. Electrochemical characterization of the resulting biosensor was conducted using free enzyme in electrolyte in terms of degree of surface coverage with avidin and subsequent surface shielding.
Recent technical advances in OLEDs (organic light emitting devices) requires more and more the improvement in low operation voltage, long lifetime, and high luminance efficiency. Inverted top emission OLEDs (ITOLED) appeared to overcome these problems. This evolved to operate better luminance efficiency from conventional OLEDs. First, it has large open area so to be brighter than conventional OLEDs. Also easy integration is possible with Si-based driving circuits for active matrix OLED. But, a proper buffer layer for carrier injection is needed in order to get a good performance. The buffer layer protects underlying organic materials against destructive particles during the electrode deposition and improves their charge transport efficiency by reducing the charge injection barrier. Hexaazatriphenylene-hexacarbonitrile (HAT-CN), a discoid organic molecule, has been used successfully in tandem OLEDs due to its high workfunction more than 6.1 eV. And it has the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) level near to Fermi level. So it plays like a strong electron acceptor. In this experiment, we measured energy level alignment and hole current density on inverted OLED structures for hole injection. The normal film structure of Al/NPB/ITO showed bad characteristics while the HAT-CN insertion between Al and NPB greatly improved hole current density. The behavior can be explained by charge generation at the HAT-CN/NPB interface and gap state formation at Al/HAT-CN interface, respectively. This result indicates that a proper organic buffer layer can be successfully utilized to enhance hole injection efficiency even with low work function Al anode.
In this study, we report the vertically aligned ZnO nanowires by using different type of Ga-doped ZnO (GZO) thin films as seed layers to investigate how the underlying GZO film micro structure affects the distribution of ZnO nanowires. Arrays of highly ordered ZnO nanowires have been synthesized on GZO thin film seed layer prepared on p-Si substrates ($7-13{\Omega}cm$) with utilize of a pulsed laser deposition (PLD). With the vapor-liquid-solid (VLS) growth process, the ZnO nanowire synthesis carries out no metal catalyst and is cost-effective; furthermore, The GZO seed layer facilitates the uniform growth of well-aligned ZnO nanowires. The influence of the growth temperature and various thickness of GZO seed layer have been analyzed. Crystallinity of grown seed layer was studied by X-Ray diffraction (XRD); diameter and morphology of ZnO nanowires on seed layer were investigated by field emission scanning electron microscopy (FE-SEM). Our results suggest that the GZO seed layer with high c-axis orientation, good crystallinity, and less lattice mismatch is key parameters to optimize the growth of well-aligned ZnO nanowire arrays.
오버레이 네트워크는 하부계층의 네트워크에 변화가 있어도 응용계층의 트리에는 변화를 줄 필요가 없으며, 오버레이 네트워크가 멀티캐스트를 지원하지 않는 노드들이 존재하는 환경에서도 만들어질 수 있게 해준다. 오버레이 프로토콜은 동적인 그룹을 모니터링하는 반면, 하부계층의 유니캐스트 프로토콜은 동적인 네트워크를 책임짐으로써, 동적인 환경에서도 제어 오버헤드를 줄이고, 프로토콜의 오퍼레이션을 안정적으로 만든다. 그러나, 만약 오버레이 멀티캐스트 프로토콜이 구성원의 위치정보를 모른다면, 효율적인 멀티캐스트 트리를 만드는 것은 매우 어렵다. 그래서, 위치정보를 이용한 계층적 오버레이 멀티캐스트 구조(HOMA: Hierarchical Overlay Multicast Architecture)를 본 논문에서 제안한다. 제안된 구조는 멀티캐스트에 참여하는 호스트들만으로 정적인 지역을 기반으로 동적 그룹을 만들어서 상위 계층에서는 그룹을 대표하는 호스트들 간의 오버레이 멀티캐스트 망을 형성하근 하위 계층에서는 지역에 속한 멀티캐스트 호스트들 간의 멀티캐스트를 지원하는 응용 계층의 2-계층 오버레이 멀티캐스트이다. 이것은 GPS를 사용하고, 지리적 영역을 활용하며 노드의 이동에 크게 영향을 받지 않는 지역 기반의 상위 계층의 오버레이 멀티캐스트 트리를 보여준다. 시뮬레이션 결과는 멀티캐스트의 효율성의 문제를 효과적으로 해결하였음을 보여준다.
The double-layered Ti/Si barrier metal is demonstrated for the source/drain Cu interconnections in oxide semiconductor thin-film transistors (TFTs). The transmission electromicroscopy and ion mass spectroscopy analyses revealed that the double-layered barrier structure suppresses the interfacial reaction and the interdiffusion at the interface after thermal annealing at $350^{\circ}C$. The underlying Si layer was found to be very useful for the etch stopper during wet etching for the Cu/Ti layers. The oxide TFTs with a double-layered Ti/Si barrier metal possess excellent TFT characteristics. It is concluded that the present barrier structure facilitates the back-channel-etch-type TFT process in the mass production line, where the four- or five-mask process is used.
In the entrained-flow coal gasifier, coal ash turns into a molten slag most of which deposits onto the wall to form liquid and solid layers. Critical viscosity refers to the viscosity at the interface of the two layers. The slag layers play an important role in protecting the wall from physical/chemical attack from the hot syngas and in continuously discharging the ash to the slag tap at the bottom of the gasifier. For coal with high ash melting point and slag viscosity, CaO-based flux is added to coal to lower the viscosity. This study evaulates the effect of critical viscosity temperature and ash/flux ratio on the slag behavior using numerical modelling in a commercial gasifier. The changes in the slag layer thickness, heat transfer rate, surface temperature and velocity profiles were analyzed to understand the underlying mechanism of slag flow and heat transfer.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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