• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2002년도 동계연구발표회 논문개요집
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• pp.66-67
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• 2002

Magnetic tunnel junction에서는 spin의 tunneling이 가장 기본적인 현상이기 때문에 tunnel junction의 특성은 tunnel barrier의 성질에 크게 의존한다. Tunnel barrier로는 지금까지 $Al_2$O$_3$가 주로 사용되고 있다. 하지만 $Al_2$O$_3$의 경우는 barrier height가 2-3 eV로 높기 때문에 저 저항의 tunnel junction을 형성하기 위해서는 Al의 두께가 1nm 이하로 낮아져야 한다. 따라서 이를 극복하기 위해서 $Al_2$O$_3$ 보다 낮은 barrier height를 갖는 절연막을 tunnel barrier로 사용하고자 하는 연구가 많이 진행되고 있다 (예를 들면 TaOx [1], ZrOx [2], GaOx [3], and HfOx [4]). (중략)

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
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• pp.943-946
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• 2003

This paper proposes new SPICE Macro-Model of MTJ(Magnetic Tunnel Junction). This Macro-Model has five I/O terminals, reproduces MR characteristics including hysteresis and behaves correctly to time varying input signals. Furthermore, this Model can be easily modified to various MTJs with different characteristics by simply varying internal parameters.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2002년도 동계연구발표회 논문개요집
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• pp.68-69
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• 2002

Magnetic tunnel junctions은 최근 자기저항용 재료나 MRAM용 소자로 사용하기 위한 연구가 활발하게 진행되고 있다. Magnetic tunnel junction을 저자계, 저전력용 소자로 사용되기 위해서는, 작은 switching field 값과 uniform한 switching field 분포를 가져야 한다. Micromagnetic simulation을 통하여 free layer의 두께와 포화 자화 값이 감소함에 따라서 switching field가 감소함을 알 수 있었다. 본 연구에서는 얇은 free layer를 사용하여 magnetic tunnel junction을 제조하고, 얇은 free layer가 자기저항에 미치는 영향에 대하여 알아보았다. (중략)

• EDISON SW 활용 경진대회 논문집
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• 제3회(2014년)
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• pp.495-497
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• 2014

Combining the quantum transport theory with new field of Spin Caloritronics, we investigate on the influence of thermal gradient on the magneto tunnel junction structure under various circumstances. The results indicate enhancement in performance of spintronic device is possible using thermal energy.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제14권6호
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• pp.728-732
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• 2014

Macro-model of magnetic tunnel junction (MTJ) for spin transfer torque magnetic random access memory (STT-MRAM) has been developed. The macro-model can describe the dynamic behavior such as the state change of MTJ as a function of the pulse width of driving current and voltage. The statistical behavior has been included in the model to represent the variation of the MTJ characteristic due to process variation. The macro-model has been developed in Verilog-A.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2000년도 International Symposium on Magnetics The 2000 Fall Conference
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• pp.325-326
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• 2000

Low temperature diagnosis was performed as a probe for the integrity of MTJ(Magnetic tunnel junction) process which is optimised for the given plasma oxidation condition. TMR ratio increased slowly with decreasing temperature than that expected from spin wave exitation theory〔1〕. Junction resistance (RJ) does not follow T$\^$-$\frac{1}{2}$/ law below 200 K, indicating another conduction path besides spin polarized tunneling is involved at low temperature. Temperature dependence of conductance dip and bias dependence of TMR with temperature are discussed, from which the quality of tunnel barrier and its formation process can be inferred.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제14권11호
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• pp.934-940
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• 2001

Magnetic properties were investigated for Si/SiO$_2$/NiFe(300 )/A1$_2$O$_3$(t)/Co(200 ) junction related with the parameters of $Al_2$O$_3$. Insulating $Al_2$O$_3$ layer was formed by depositing a 5~40 thick Al layer, followed by a 90~120s RF plasma oxidation in an $O_2$ atmosphere. Magnetoresistance was not observed for tunnel junction with 5~10 thick Al layer, but magnetoresistance was observed large for tunnel junction with 15~40 thick Al layer. Oxidation time did not largely influence magnetoresistance. Tunnel magnetoresistance effect depended on magnetization behavior of two ferromagnetic layers. Tunneling junction was confirmed through nonlinear I-V curve. In this work, tunneling magnetoresistance(TMR) up to 30 % was observed. This apparent TMR is an artifact of the nonuniform current flow over the junction in the cross geometry of the electrodes.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제40권2호
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• pp.98-103
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• 2003

본 논문에서는 Magnetic Tunnel Junction (MTJ)의 새로운 SPICE Macro-Model에 대해서 제안하였다. 제안된 Macro-Model은 다섯 개의 터미널을 가지고 있으며 MTJ의 MR 특성인 hysteresis 성질을 그대로 구현하고 있으며, 시간에 따라 변하는 입력 신호에 대해서도 정확하게 동작하도록 구성되어 시다. 또한 MTJ의 MR 특성을 파라미터 변수값으로 입력을 받을 수 있도록 하여 MTJ의 특성변화에 대해서도 용이하게 적용될 수 있도록 하였다.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2002년도 동계연구발표회 논문개요집
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• pp.60-61
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• 2002

현재 Magnetic Tunnel Junction는 고밀도 자기저항 헤드 및 비휘발성 메모리(MRAM)등의 자기저항 특성을 이용한 소자에 응용하기 위해 많은 연구가 진행되고 있다[1]. 하지만 Magnetic Tunnel Junction(MTJ)을 실제 소자로서 제작하여 사용하기 위해서는 smooth하고 pinhole이 없으며, 절연층 내부에 disorder나 defect가 없는 절연층을 형성해야 한다. (중략)

• 한국초전도학회:학술대회논문집
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• 한국초전도학회 2007년도 High Temperature Superconductivity Vol.XVII
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• pp.48-48
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• 2007