• 제목/요약/키워드: trench depth

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트렌치 위를 통과하는 장파의 변형 (Transformation of Long Waves Propagating over Trench)

  • 정태화;서경덕;조용식;박승현
    • 한국해안해양공학회지
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    • 제19권3호
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    • pp.228-236
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    • 2007
  • 비대칭 트렌치 지형 위를 통과하는 장파의 해석 해를 유도하였다. 트렌치 내부의 수심은 트렌치 중심으로부터 거리의 멱에 비례하여 감소한다. 장파의 가정을 사용하여 지배 방정식인 완경사 방정식을 변수 계수를 갖는 이차 상미분 방정식으로 변환하였으며 멱급수를 이용하여 해석 해를 구하였다. 수치 모델과의 비교를 통하여 해석 해의 타당성을 확인하였다. 다양한 조건에서 해석 해를 계산하여 그 결과를 분석하였다.

1 um 미만의 나노트렌치 게이트 구조를 갖는 1,200 V 고효율 트렌치 게이트 필드스톱 IGBT 설계에 관한 연구 (Design of 1,200 V Class High Efficiency Trench Gate Field Stop IGBT with Nano Trench Gate Structure)

  • 강이구
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제31권4호
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    • pp.208-211
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    • 2018
  • This paper details the design of a 1,200 V class trench gate field stop IGBT (insulated gate bipolar transistor) with a nano gate structure smaller than 1 um. Decreasing the size is important for lowering the cost and increasing the efficiency of power devices because they are high-voltage switching devices, unlike memory devices. Therefore, in this paper, we used a 2-D device and process simulations to maintain a gate width of less than 1 um, and carried out experiments to determine design and process parameters to optimize the core electrical characteristics, such as breakdown voltage and on-state voltage drop. As a result of these experiments, we obtained a wafer resistivity of $45{\Omega}{\cdot}cm$, a drift layer depth of more than 180 um, an N+ buffer resistivity of 0.08, and an N+ buffer thickness of 0.5 um, which are important for maintaining 1,200 V class IGBTs. Specially, it is more important to optimize the resistivity of the wafer than the depth of the drift layer to maintain a high breakdown voltage for these devices.

마리아나 해구에 인접한 서태평양 심해평원의 정점 WP21GPC04에서 수집된 해양 퇴적물의 깊이에 따른 원소 및 광물 분포 변화 (Depth-dependent Variations in Elemental and Mineral Distribution in the Deep Oceanic Floor Sediments (WP21GPC04) near the Mariana Trench in the Western Pacific Ocean)

  • 허준태;윤서희;김종욱;고영탁;이용재
    • 자원환경지질
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    • 제56권5호
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    • pp.581-588
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    • 2023
  • 본 연구에서는 2021년 WP21 탐사를 통해 수집한 마리아나 해구 주변 해양퇴적물(WP21GPC04)에 대한 깊이 별 원소 분포 및 광물 구성에 대한 분석을 수행하였다. 마이크로 X선 형광법(μ-XRF)을 통해 분석된 WP21GPC04 해양 퇴적물의 평균 화학조성은 깊이에 따른 특징적인 변화 없이 평균 SiO2 53.91 wt%, FeO 4.48 wt%, Al2O3 16.56 wt%, MgO 2.56 wt%, CaO 4.79 wt%, Na2O 3.52 wt%, K2O 5.48 wt%를 보이며, 이를 Mariana pelagic clay와 평균 해양 퇴적물의 원소 분포인 GLOSS (global subducting sediment)의 성분과 비교하였다. 방사광 X선 회절법(Synchrotron-XRD)을 이용하여 분석된 광물 구성은 깊이에 따라 다소 차이가 있음을 확인하였다. 석영, 운모, 사장석은 모든 깊이에서 확인된 반면 녹니석은 상대적으로 얕은 깊이에서만 확인되었고, 제올라이트 계열인 필립사이트와 휼란다이트는 퇴적 깊이에 따라 점진적인 함량의 변화를 보였다. 이는 해양 퇴적물의 퇴적 시기에 따른 환경에 변화가 있었거나 유사한 상 안정성에 의한 공생관계로 해석될 수 있다. 본 연구 결과는 서태평양 마리아나 해구 주변의 퇴적 환경 변화와 섭입하는 해양 퇴적물의 상 분포 및 거동에 따른 섭입대 특성 연구에 대한 기초 자료를 제공할 것이다.

초연약 준설토의 증발 및 건조특성 분석 (Evaporation and Desiccation of Soft Dredged Clay)

  • 정하익;오인규;지성현;이승원;이영남;김수삼
    • 한국지반공학회:학술대회논문집
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    • 한국지반공학회 2000년도 가을 학술발표회 논문집
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    • pp.217-222
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    • 2000
  • An understanding of the behaviour of soft clay soils is important in a large number of civil engineering applications, including dredging operations, land reclamation and slurry management such as disposal and storage. Although the details of the behaviour depend on parameters such as the soil mineralogy, the pore water chemistry, the organic content and the microbiology, there are general features that are typical in many cases. The purpose of this paper is to present and discuss some of evaporation and desiccation observed in laboratory experiments under controlled conditions. Desiccation of dredged material is basically removal of water by evaporation which is controlled by weather and material type, etc. This study shows that (1) solar radiation, (2) wind velocity, (3) material depth, (4) trench depth are important factors in desiccation of dredged ultra soft clay.

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모형토조시험을 통한 준설매립토의 건조특성에 관한 연구 (Desiccation Characteristics of Dredged Soft Clay by Large Model Test)

  • 정하익;오인규;지성현;이승원;이영남
    • 한국지반공학회:학술대회논문집
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    • 한국지반공학회 2001년도 봄 학술발표회 논문집
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    • pp.591-596
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    • 2001
  • The purpose of this paper Is to present and discuss some of evaporation and desiccation observed in laboratory experiments under controlled conditions, and is to improve PTM(Progressive Trenching Method) operating technique. PTM is the technically feasible and economically justifiable dewatering and desiccation technique for dredged material containment areas. A series of laboratory experiments with large model test were carried out to get evaporation rate and strength increase. Surface desiccation of dredged material is basically changed by evaporation characteristics which is controlled by weather and trench type, etc. This study shows that trench depth and rain fall are important factors in desiccation of dredged soft clay.

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Bearing capacity of strip footings on a stone masonry trench in clay

  • Mohebkhah, Amin
    • Geomechanics and Engineering
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    • 제13권2호
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    • pp.255-267
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    • 2017
  • Soft clay strata can suffer significant settlement or stability problems under building loads. Among the methods proposed to strengthen weak soils is the application of a stone masonry trench (SMT) beneath RC strip foundations (as a masonry pad-stone). Although, SMTs are frequently employed in engineering practice; however, the effectiveness of SMTs on the ultimate bearing capacity improvement of a strip footing rested on a weak clay stratum has not been investigated quantitatively, yet. Therefore, the expected increase of bearing capacity of strip footings reinforced with SMTs is of interest and needs to be evaluated. This study presents a two-dimensional numerical model using the discrete element method (DEM) to capture the ultimate load-bearing capacity of a strip footing on a soft clay reinforced with a SMT. The developed DEM model was then used to perform a parametric study to investigate the effects of SMT geometry and properties on the footing bearing capacity with and without the presence of surcharge. The dimensions of the SMTs were varied to determine the optimum trench relative depth. The study showed that inclusion of a SMT of optimum dimension in a soft clay can improve the bearing capacity of a strip footing up to a factor of 3.5.

다결정 실리콘의 선택적 성장을 이용한 깊은 트랜치 격리기술 (A New Method for Deep Trench Isolation Using Selective Polycrystalline Silicon Growth)

  • 박찬우;김상훈;현영철;이승윤;심규환;강진영
    • 한국진공학회지
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    • 제11권4호
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    • pp.235-239
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    • 2002
  • 식각된 트랜치의 내부에 다결정 실리콘 측벽을 형성하고, 감압 화학기상 증착법(RPCVD: Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition)을 이용해서 이를 선택적으로 성장시킴으로써 트랜치를 채우는 새로운 트랜치 격리방법을 제안하였다. 공정진행 결과, 측벽의 초기깊이와 선택적으로 성장되는 실리콘의 두께가 트랜치의 최종형태를 결정하는 가장 중요한 요소임을 확인할 수 있었다. 이 방법은 CMP 공정을 거치지 않고도 트랜치의 내부만이 실리콘으로 채워진 구조를 구현함으로써, 공정을 단순화할 뿐만 아니라 불균일 연마와 흠집발생 등 기존의 CMP 공정에서 발생할 수 있는 문제들을 방지할 수 있다는 장점을 지니고 있다.

레이저를 이용한 트렌치 제작 및 응용 연구 (Laser microstructuring of trench and its application to optical waveguide)

  • 최훈국;유동윤;손익부;노영철;김영식;김수용;김완춘;김진봉
    • 한국레이저가공학회지
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    • 제18권1호
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    • pp.7-11
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    • 2015
  • In this paper, micro trench structure is fabricated by femtosecond laser for inserting optical reflecting wavelength filter in planar waveguide. The width and depth of the trench is controlled by femtosecond laser machining condition. Also, large scale of single channel with 500um and 1000um on silica plate is fabricated by femtosecond laser, and roughness of the channel surface is polished by $CO_2$ laser for the insertion of the filter. Then, the characteristic of the planar waveguide inserted the filter is verified.

분리된 게이트 구조를 갖는 필드 스톱 IGBT의 전기적 특성에 관한 연구 (A Study on Electrical Characteristics of Field Stop IGBT with Separated Gate Structure)

  • 조형성;이장현;리긍연;강이구
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제36권6호
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    • pp.609-613
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    • 2023
  • In this paper, a 1,200 V Si-based IGBT used in electric vehicles and new energy industries was designed. A field stop IGBT with a separate gate structure, which is the proposed structure, was designed to change trench depth and split gate width variables. Then, the general trench structure and electrical characteristics were compared and analyzed. As a result of conducting the trench depth experiment, it was confirmed that the breakdown voltage was the highest at 6 ㎛, and the on-state voltage drop was the lowest at 3.5 ㎛. In the separate gate width experiment, it was confirmed that the breakdown voltage decreased as the variable increased, and the on-state voltage drop increased. Therefore, it may be seen that it is preferable not to change the width of the separate gate. In addition, experiments show that there is no difference in on-state voltage drop compared to a structure in which a general field stop structure has a separate gate structure. In other words, it is determined that adding a dummy gate with a separate gate structure to the active cell will significantly improve the on-voltage drop characteristics, while confirming that the on-voltage drop does not change, and while having excellent characteristics in terms of breakdown voltage.

고종횡비 실리콘 트랜치 건식식각 공정에 관한 연구 (Profile control of high aspect ratio silicon trench etch using SF6/O2/BHr plasma chemistry)

  • 함동은;신수범;안진호
    • 한국재료학회:학술대회논문집
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    • 한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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    • pp.69-69
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    • 2003
  • 최근 trench capacitor, isolation trench, micro-electromechanical system(MEMS), micro-opto-electromechanical system(MOEMS)등의 다양한 기술에 적용될 고종횡비(HAR) 실리콘 식각기술연구가 진행되어 지고 있다. 이는 기존의 습식식각시 발생하는 결정방향에 따른 식각률의 차이에 관한 문제와 standard reactive ion etching(RIE) 에서의 낮은 종횡비와 식각률에 기인한 문제점들을 개선하기 위해 고밀도 플라즈마를 이용한 건식식각 장비를 사용하여 고종횡비(depth/width), 높은 식각률을 가지는 이방성 트랜치 구조를 얻는 것이다. 초기에는 주로 HBr chemistry를 이용한 연구가 진행되었는데 이는 식각률이 낮고 많은양의 식각부산물이 챔버와 시편에 재증착되는 문제가 발생하였다. 또한 SF6 chemistry의 사용을 통해 식각률의 향상은 가져왔지만 화학적 식각에 기인한 local bowing과 같은 이방성 식각의 문제점들로 인해 최근까지 CHF3, C2F6, C4F8, CF4등의 첨가가스를 이용하여 측벽에 Polymer layer의 식각보호막을 형성시켜 이방성 구조를 얻는 multi_step 공정이 일반화 되었다. 이에 본 연구에서는 SF6 chemistry와 소량의 02/HBr의 첨가가스를 이용한 single_step 공정을 통해 공정의 간소화 및 식각 프로파일을 개선하여 최적의 HAR 실리콘 식각공정 조건을 확보하고자 하였다.

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