• 전기의세계
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• v.24 no.6
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• pp.24-27
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• 1975

Thyristor motor 또는 Commutatorless motor는 특수한 전동기의 명칭이 아니라 분배기를 사용한 자제식인버어터에 의해 제어되는 동기전동기 system의 총칭이고 특히 이와 같은 system에 적합한 동기전동기의 연구는 Alexanderson, Stohr의 무정류전동기의 이론적 고찰에서부터 시작하였다. Thyristor motor는 최근의 다이리스터의 발달에 따라 이 소자의 Switching 회로를 다상화하여 직류전동기의 정류자, 브러시를 다이리스터에 의한 스위칭작용으로 치환시키고, 직류정도기와 거의 등가되는 특성을 얻도록 연구되었고 Thyristor motor의 탄생을 Motors have graduated from the laboratory into commercial applications라고 발표하였다. 여기서 다이리스터를 사용한 가변주파수에 의한 동기전동기의 속도제어 system으로서의 구체적인 2-3의 회로예로서 이 새로운 전동기를 해설하고자 한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.07a
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• pp.271-275
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• 2004

A fast switching thyristor with a superior trade-off property between the on-state voltage drop and the turn-off time could be fabricated by the proton irradiation method. After fabricating symmetric thyristor dies with a voltage rating of 1,600V from $350{\mu}m$ thickness of $60{\Omega}cm$ NTD-Si wafer and $200{\mu}m$ width of N-base drift layer, the local carrier lifetime control by the proton irradiation was performed with help of the HI-13 tandem accelerator in China. The thyristor samples irradiated with 4.7MeV proton beam showed a superior trade-off relationship of $V_{TM}=1.55V\;and\;t_q=15{\mu}s$ attributed to a very narrow layer of short carrier lifetime(${\sim}1{\mu}s$) in the middle of its N-base drift region. To explain the small increase of $V_{TM}$, we will introduce the effect of carrier compensation by the diffusion current at the low carrier lifetime region.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07d
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• pp.2187-2188
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• 2006

본 연구의 목적은 Pspice를 이용하여 SI Thyristor의 구조적인 특징과 스위칭 동작을 설명하면서도 비교적 간략화된 등가모델을 개발하는 것에 있다. 이러한 목표로 등가모델은 SI Thyristor의 구조적 형태에 기반을 두어 BJT 소자를 이용한다. 또 게이트 구조와 스위칭 매커니즘을 고려한 MOSFET, Steady state Turn on 상태에서 dominant 모델인 PIN Diode로 구성되어 있다. 개발된 등가모델을 스너버회로와 함께 스위칭 과도응답을 시뮬레이션하였으며 그 결과는 실제 실험결과와 비교하여 검증하였다. 비교적 간단하게 고안된 회로를 통해 Turn On/off 동작에서 스위칭 특성을 예측할 수 있으므로 펄스파워용 스위치로서 SI Thyristor의 시동특성을 해석하는 데 본 등가모델을 활용할 수 있을 것으로 전망한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07d
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• pp.2185-2186
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• 2006

본 연구의 목적은 Pspice를 이용하여 SI Thyristor의 구조적인 특징과 스위칭 동작을 설명하면서도 비교적 간략화된 등가모델을 개발하는 것에 있다. 이러한 목표로 등가모델은 SI Thyristor의 구조적 형태에 기반을 두어 BJT 소자를 이용한다. 또 게이트 구조와 스위칭 매커니즘을 고려한 MOSFET, Steady state Turn on 상태에서 dominant 모델인 PIN Diode로 구성되어 있다. 개발된 등가모델을 스너버회로와 함께 스위칭 과도응답을 시뮬레이션하였으며 그 결과는 실제 실험결과와 비교하여 검증하였다. 비교적 간단하게 고안된 회로를 통해 Turn On/off 동작에서 스위칭 특성을 예측할 수 있으므로 펄스파워용 스위치로서 SI Thyristor의 시동특성을 해석하는 데 본 등가모델을 활용할 수 있을 것으로 전망한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07a
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• pp.553-554
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• 2006

본 연구의 목적은 Pspice를 이용하여 SI Thyristor의 구조적인 특징과 스위칭 동작을 설명하면서도 비교적 간략화 된 등가 모델을 개발하는 것에 있다. 이러한 목표로 등가모델은 SI Thyristor의 구조적 형태에 기반을 두어 BJT 소자를 이용한다. 또 게이트 구조와 스위칭 매커니즘을 고려한 MOSFET, Steady state Turn on 상태에서 dominant 모델인 PIN Diode로 구성되어 있다. 개발된 등가모델을 스너버회로와 함께 스위칭 과도응답을 시뮬레이션 하였으며, 그 결과는 실제 실험결과와 비교하여 검증하였다. 비교적 간단하게 고안된 회로를 통해 Turn On/Off 동작에서 스위칭 특성을 예측할 수 있으므로 펄스파워용 스위치로서 SI Thyristor의 시동특성을 해석하는데 본 등가모델을 활용할 수 있을 것으로 전망한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07b
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• pp.1219-1220
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• 2006

본 연구의 목적은 Pspice를 이용하여 SI Thyristor의 구조적인 특징과 스위칭 동작을 설명하면서도 비교적 간략화된 등가 모델을 개발하는 것에 있다. 이러한 목표로 등가모델은 SI Thyristor의 구조적 형태에 기반을 두어 BJT 소자를 이용한다. 또 게이트 구조와 스위칭 매커니즘을 고려한 MOSFET, Steady state Turn on 상태에서 dominant 모델인 PIN Diode로 구성되어 있다. 개발된 등가모델을 스너버회로와 함께 스위칭 과도응답을 시뮬레이션하였으며 그 결과는 실제 실험결과와 비교하여 검증하였다. 비교적 간단하게 고안된 회로를 통해 Turn On/Off 동작에서 스위칭 특성을 예측할 수 있으므로 펄스파워용 스위치로서 SI Thyristor의 시동특성을 해석하는 데 본 등가모델을 활용할 수 있을 것으로 전망한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07c
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• pp.1679-1680
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• 2006

본 연구의 목적은 Pspice를 이용하여 SI Thyristor의 구조적인 특징과 스위칭 동작을 설명하면서도 비교적 간략화된 등가 모델을 개발하는 것에 있다. 이러한 목표로 등가모델은 SI Thyristor의 구조적 형태에 기반을 두어 BJT 소자를 이용한다. 또 게이트 구조와 스위칭 매커니즘을 고려한 MOSFET, Steady state Turn on 상태에서 dominant 모델인 PIN Diode로 구성되어 있다. 개발된 등가모델을 스너버회로와 함께 스위칭 과도응답을 시뮬레이션하였으며 그 결과는 실제 실험결과와 비교하여 검증하였다. 비교적 간단하게 고안된 회로를 통해 Turn On/off 동작에서 스위칭 특성을 예측할 수 있으므로 펄스파워용 스위치로서 SI Thyristor의 시동특성을 해석하는 데 본 등가모델을 활용할 수 있을 것으로 전망한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2003.11b
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• pp.87-90
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• 2003

There are generally two temperature control methods using ac voltage regulators - the phase control method and the on-off control method. The phase control method uses thyristor's angles of extinction for the output power regulation and the on-off control method uses the control of on and off times for the output power regulation. Both of methods have the problems that are the unbalance of the three phase and surge current caused system's destruction. The main object of this study proposes a solution of problems of surge currents and unbalance of three phase when thyristor voltage regulator is switching. To solve the problem, It is proposes that the solution of surge currents is using a tap transformer and an additional switch with adjustable resistance and applies zero crossing of switching voltage of two input line to power load. This method is discuss and verified by computer simulations and experiments.

• Journal of Power Electronics
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• v.17 no.6
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• pp.1683-1693
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• 2017

This paper analyses the harmonic pollution to power grids caused by thyristor-controlled devices. It also formulates a mathematic derivation for the voltage spikes in thyristor-controlled branches to explain the harmonic and EMI derived from the reverse-recovery characteristics of the thyristor. With an equivalent nonlinear time-varying voltage source, a detailed simulation model is established, and the periodic dynamic switching characteristic of the thyristor can be explicitly implied. The simulation results are consistent with the probed results from on-site measurements. An improved trigger system with gate-shorted circuit structure is proposed to reduce the voltage spikes that cause EMI. The experimental results indicate that a prototype with the improved trigger system can effectively suppress the voltage spikes.

• The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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• v.54 no.1
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• pp.30-34
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• 2005

This study shows the lasing characteristics of InGaAs/InGaAsP multiple-quantum-well waveguide-type depleted optical thyristor (DOT) using the vertical window. The measured switching voltage and current are 3.36 V and 10 ㎂, respectively. The lasing threshold current is 131 mA at 25 ℃. The output peak wavelength is 1570 nm at a bias current of 1.22 Ith and there is not input signal anymore in the output port. The vertical injection depleted optical thyristor - laser diode (VIDOT-LD) using the vertical-injection structure shows very good isolation between input and output signal.