Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.10
no.2
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pp.224-227
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2006
We have chained 459nm blue laser radiation generated by intracavity sum frequency generation( SFG ) due to the mixing of the 1064 nm laser output of a Nd:YVO4 pumped by diode and the 809nm radiation from higg-power semiconductor laser(500mW). The maximum blue output power of 0.95 mW was obtained using 400 mW input power of semiconductor laser at the type II phase matching condition (${\psi}=90^{\circ}\;{\theta}=90^{\circ}$). The threshold input power of blue laser generation was 120 mW.
${\bullet}$ Silicon Carbide (SiC) had excellent material properties as the base material for next generation of power semiconductor. In developing SiC MOSFET, gate oxide reliability issues had to be first overcome before commercial application. Besides, a high and stable gate-source voltage threshold $V_{GS(th)}$ is also an important parameter for operation robustness. SiC MOSFET with such characteristics can directly use existing high-speed IGBT gate driver IC's. ${\bullet}$ The linear voltage drop characteristics of SiC MOSFET will bring lower conduction loss averaged over full AC cycle compared to similarly rate IGBT. Lower switching loss enable higher switching frequency. Using package with auxiliary source terminal for gate driving will further reduce switching losses. Dynamic characteristics can fully controlled by simple gate resistors. ${\bullet}$ The low switching losses characteristics of SiC MOSFET can substantially reduce power losses in high switching frequency operation. Significant power loss reduction is also possible even at low switching frequency and low switching speed. in T-type 3-level topology, SiC MOSFET solution enable three times higher switching freqeuncy at same efficiency.
The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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v.25
no.1
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pp.29-36
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2020
In this study, a variable step algorithm is proposed on the basis of the perturb and observe method. The proposed algorithm can follow the maximum power point (MPP) quickly when solar irradiance changes rapidly. The proposed technique uses the voltage change characteristic at the MPP when the environment changes because of insolation or temperature. The MPP is tracked through the voltage control using a variable step method. This method determines the sudden change of solar irradiance by setting the threshold value and operates in fast tracking mode to track the MPP rapidly. When the operation point reaches the MPP, the mode switches to the variable step mode to minimize the steady state error. In addition, the output disturbance is decreased through the optimization of the control method design. The performance of the proposed MPPT algorithm is verified through simulation and experiment.
KSII Transactions on Internet and Information Systems (TIIS)
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v.12
no.11
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pp.5382-5403
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2018
In this paper, for a spectrum sensing purpose, we heuristically established a test statistic (TS) from a sample covariance matrix (SCM) for multiple antennas based cognitive radio. The TS is formulated as a scaled-energy which is calculated as a sum of scaled diagonal entries of a SCM; each of the diagonal entries of a SCM scaled by corresponding row's Euclidean norm. On the top of that, by combining theoretical results together with simulation observations, we have approximated a decision threshold of the TS which does not need prior knowledge of noise power and primary user signal. Furthermore, simulation results - which are obtained in a fading environment and in a spatially correlating channel model - show that the proposed method stands effect of noise power mismatch (non-uniform noise power) and has significant performance improvement compared with state-of-the-art test statistics.
We investigate the lateral far-field pattern characteristics, including divergence angle change and far-field pattern analysis as output power increases, of narrow-emitter-width 850 nm GaAs/AlGaAs laser diodes (LDs). Each LD has a cavity of 1200 and 1500 ㎛ and narrow emitter width of 2.4 ㎛ for the top and 4.6 ㎛ for the bottom. The threshold currents are 35 and 40 mA, and L-I kinks appear at power levels of 326 and 403 mW, respectively. The divergence angle tends to increase due to the occurrence of first-order lateral mode and the thermal lensing effect. But with the L-I kink, the divergence angle decreases and the far-field pattern becomes asymmetric. This is due to coherent superposition between the fundamental and the first-order lateral mode. We provide detailed explanations for these observations based on high-power laser diode simulation results.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.14
no.12
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pp.1239-1247
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2003
OFDM(orthogonal frequency division multiplexing) communications system is very attractive for the high data rate transmission in the frequency selective lading channel. Since OFDM has high PAPR(peak-to-average power ratio), OFDM signal may be distorted by the nonlinear HPA(high power amplifier). In this paper, we propose the DSI(dummy sequence insertion) method for OFDM communication system. Some sub-carriers are inserted for PAPR reduction. They carry the specified dummy data sequence which are used for only PAPR reduction and do not work as side information like the conventional PTS(partial transmit sequence) or SLM(selected mapping) method. We use the complementary sequence and the combination of the correlation sequence as the dummy sequence. Flipping technique is used for the DSI method to get the effective PAPR reduction. It is important that BER of the proposed method is independent of the damage of the dummy data sequence. And DSI method has better spectral efficiency than the conventional block coding. On the other hand, threshold PAPR method is applied to cut down the processing time. However, this DSI method is not better than the conventional PTS method in the respect of the PAPR reduction performance. The DSI method includes the threshold PAPR lower than the PAPR of the OFDM signal, reduces the processing time and improves the BER performance.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.39
no.10
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pp.65-73
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2002
Two CMOS composite transistors with an improved operating region by reducing the threshold voltage are proposed in this paper. And also, as an application of the proposed composite transistors, the transconductor is designed. The proposed composite transistor I and II employ a P-type folded composite transistor and a composite diode in order to decrease the threshold voltage, respectively. The limitation of the operating region of these transistors by current source is described. All circuits are simulated by HSPICE using 0.25${\mu}{\textrm}{m}$ n-well process.
Journal of information and communication convergence engineering
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v.14
no.1
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pp.21-25
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2016
N-screen is a promising technology to improve support for multimedia multicasting, content sharing, content mobility, media scalability, and seamless mobility. In this paper, the WiMedia distributed-MAC (D-MAC) protocol is adopted for development of a seamless N-screen wireless service. Furthermore, to provide a multi-hop, one source multi-use N-screen service through point to point streaming in a seamless D-MAC protocol, a dynamic multi-frame transmission technology is proposed. In this technology, a dynamic time slot allocation scheme and a multi-hop resource reservation scheme are combined. In the proposed dynamic time slot allocation scheme, two thresholds, a hard threshold and a soft threshold, are included to satisfy the power consumption and delay requirements. A multi-frame DRP reservation scheme is proposed to minimize end-to-end delay during the multi-hop transmissions between N-screen devices. The proposed dynamic multi-frame transmission scheme enhances N-screen performance in terms of the multi-hop link establishment success rate and link establishment time compared to the conventional WiMedia D-MAC system.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.06a
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pp.14-15
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2009
Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBTs) are widely used in power device industry. However, to improve the breakdown voltage, IGBTs are suffered from increasing on-state voltage drop due to structural design. In this paper, the new structure is proposed to solve this problem. The proposed structure has double p-floating layer inserted in n-drift layer. The p-floating layers improve the breakdown voltage compared to conventional IGBT without change of other electrical characteristics such as on-state voltage drop and threshold voltage. this is because the p-floating layers expand electric field distribution at blocking state. A electrical characteristic of proposed structure is analyzed by using simulators such as TSUPREM and MEDICI. As a result, on-state voltage drop and threshold voltage are same to a conventional TIGBT, but breakdown voltage is improved to 16%.
The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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v.33
no.4B
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pp.215-223
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2008
Retransmission signals from relays to destination when the destination fails to decode received signal from the source in Automatic Repeat Request (ARQ) protocol make the destination receive signals more reliably. With using omni -direction antenna in the practical system, in communication range of both the source antenna and the destination antenna, there are some relays that can be used to transmit signal to the destination. However, using all relays to transmit signal consume power and bandwidth. In this paper, we propose a new protocol in which the best relays are chosen based on threshold of distance from the source to the relay and the relay to the destination when the relays use decode- and forward (DF) protocol. Simulation results prove the efficiency of the protocol when we compare using only the best relays with using all relays to transmit signal to the destination.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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