본 논문에서는 MRME(multiresolution motion estimation)의 처리속도를 개선하고자, 웨이블릿 계수의 각 대역별 특성을 이용하여 영상의 화질을 유지하면서 계산량을 줄일 수 있는 효율적인 움직임 추정 기법을 제안하였다. 일반적으로 동영상의 연속한 프레임간에는 유사성이 높기 때문에, 기저대역에서 블록간 MAD(mean absolute difference) 값을 임계치와 비교하여 먼저 움직임 벡터의 존재 여부를 파악한다. 움직임이 없는 영역으로 판단되어지면, 웨이블릿 변환의 특성에 따라 고주파 부대역에 대해서도 움직임이 없는 것으로 판단한다. 반대로 움직임이 있는 영역으로 판단되어질 경우는 고주파 부대역의 에너지 성분을 비교하여 선별적으로 움직임을 추정함으로써 계산량을 줄일 수 있다. 모의 실험 결과 제안된 기법에서 MRME와 비교하여 거의 대등한 PSNR을 유지하면서 30~50%의 처리속도 향상을 보였다.
This paper presents the fabrication of polycrystalline thin film transistor(TFT) using sequential lateral solidification(SLS) of amorphous silicon. The fabricated SLS TFT showed high Performance suitable for active matrix liquid crystal display(AMLCD). The SLS process involves (1) a complete melting of selected area via irradiation through a patterned mask, and (2) a precisely controlled pulse translation of the sample with respect to the mask over a distance shorter than the super lateral growth(SLG) distance so that lateral growth extended over a number of iterative steps. The SLS experiment was performed with 550$\AA$ a-Si using 308nm XeCl laser having $2\mu\textrm{m}$ width. Irradiated laser energy density is 310mJ/$\textrm{cm}^2$ and pulse duration time was 25ns. The translation distance was 0.6$\mu$m/pulse, 0.8$\mu$m/pulse respectively. As a result, a directly solidified grain was obtained. Thin film transistors (TFTs) were fabricated on the poly-Si film made by SLS process. The characteristics of fabricated SLS p -type poly-Si TFT device with 2$\mu\textrm{m}$ channel width and 2$\mu\textrm{m}$ channel length showed the mobility of 115.5$\textrm{cm}^2$/V.s, the threshold voltage of -1.78V, subthreshold slope of 0.29V/dec, $I_{off}$ current of 7$\times$10$^{-l4}$A at $V_{DS}$ =-0.1V and $I_{on}$ / $I_{off}$ ratio of 2.4$\times$10$^{7}$ at $V_{DS}$ =-0.1V. As a result, SLS TFT showed superior characteristics to conventional poly-Si TFTs with identical geometry.y.y.y.
[ $1.06/1.32{\mu}m$ ] dual-wavelength medical laser was developed and preliminary clinical comparisons at these two wavelengths were performed for dental application. We could develop a compact laser system 1) by lasing two wavelengths from the same Nd:YAG rod, and 2) by introducing high-voltage switching power supply modules. Experiment on gingiva of pig jaw showed higher thermal damage at $1.32{\mu}m$. Depending on particular procedures, each wavelength has its own advantages and disadvantages. For cutting, however, using conical tips rather than bare fibers provided better results with low threshold of cutting energy and less surrounding thermal damage. Appling light-absorbing dye on target area appeared to induce more damage during laser irradiation. However, histological studies showed no significant difference whether dye was applied or not.
In this paper, hybrid air-water discharges were used to develop an optimal condition for providing a high level of water decomposition for hydrogen yield. Electrical and optical phenomena accompanying the discharges were investigated along with feeding gases, flow rates, and point-to-plane electrode gap distance. The primary focus of this experiment was put on the optical emission of the near UV range, with the energy threshold sufficient for water dissociation and excitation. The $OH(A^{2+},'=0\;X^2,"=0$) band's optical emission intensity indicated the presence of plasma chemical reactions involving hydrogen formation. In the gaseous atmosphere saturated with water vapor the OH(A-X) band intensity was relatively high compared to the liquid and transient phases although the optical emission strongly depended on the flow rate and type of feeding gas. In the gaseous phase discharge phenomenon for Ar carrier gas transformed into a gliding arc via the flow rate growth. OH(A-X) band's intensity increased according to the flow rate or residence time of He feeding gas. Reciprocal tendency was acquired for $N_2$ and Ar carrier gases. The peak value of OH(A-X) intensity was observed in the proximity of the water surface, however in the cases of Ar and $N_2$ with 0.5 SLM flow rate peaks shifted to the region below the water surface. Rotational temperature ($T_{rot}$) was estimated to be in the range of 900-3600 K, according to the carrier gas and flow rate, which corresponds to the arc-like-streamer discharge.
Wood biomass including forest residues, waste wood, and construction residuals has been widely generated in Korea, but forest biomass from the National Forest Management Operation Project plays a big role in generating wood biomass. Unfortunately the promotion policy of woody energy organized by the Forest Service in Korea concentrates more on demand creation rather than on supply expansion. Therefore, in order to utilize insufficient wood resources effectively, it is greatly required to develop uses for maximizing their added value. In particular, more attention to the use of the second generation biomass has been paid in foreign countries because there is a threshold that the first generation biomass cannot produce enough biofuel without threatening food supplies and biodiversity. In Korea, wood pellets are regarded as the alternative clean fuels to oils and coals that emit green house gases into the atmosphere. However, using wood as pellet raw materials can not be an economic way because the value of wood disappears right after burning in the boiler in spite of its contribution to the decrease of carbon emission. Differently from wood pellets, kraft pulping process using woody biomass produces black liquor as a by-product which can be used to generate electricity, bioenergy and biochemicals through gasification. Thus, it can be more economical to make a torrefaction of lignocellulosic biomass such as low-quality wood and agricultural leftovers as raw materials of pellets.
The electrical and optical properties of amorphous In-Tin-Zinc-Oxide(ITZO) deposited at room temperature using rf-magnetron sputtering were investigated. The amorphous ITZO thin films were obtained at the composition of In:Sn:Zn = 6:2:2, 4:3:3, and 2:4:4, but the ITZO (8:1:1) showed a crystalline phase of bixbyite structure of In2O3. The resistivity of ITZO could be controlled by oxygen pressure in the sputtering ambient. The resistivity of post-annealed ITZO thin films exhibited the dependence on the amount of Indium. Optical energy band gap and transmittance increased as the amount of indium in ITZO increased. For the device application with ITZO, the bottom-gated thin-film transistor using ITZO as a active channel layer was fabricated. It showed a threshold voltage of 1.42V and an on/off ratio of $5.63{\times}10^7$ operated with saturation field-effect mobility of $14.2cm^2/V{\cdot}s$.
Park, Tae-Soon;Oh, Pil-Jae;Hwang, Sun-Tae;Lee, Kun-Jai
Nuclear Engineering and Technology
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제19권2호
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pp.107-114
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1987
$^{137}$Cs 용액을 추적자로 사용하여 동시와 역동시 계수방법에 의해 $^{137}$Cs 용액의 방사능을 측정하였다. 본 연구에서의 측정선원은 $^{137}$Cs과 추적자를 혼합하여 제작하였으며 혼합 비율은 동시와 역동시 계수 방법에서 각각 1/3과 1/5로 하였다. $^{137}$Cs용액의 비 방사능은 $\beta$채널 저에너지 문턱 준위 변화와 효율외삽 방법에 의해 산출되었다. 동시와 역동시 계수 방법에 의해 산출된 결과는 기준일 현재 552.78kBq/g과 554.32kBq/g이었으며 합성오차는 각각 1.60kbq/g과 1.51kBq/g이었다. 두 개의 결과는 오차범위 내에서 잘 일치함을 보여준다.
본 연구는 천적 곤충을 운송하는 동안 제품의 품질을 유지할 수 있는 포장 표준화 방안을 마련하고자 수행되었다. 먼저 4개 업체의 천적 제품 유통 현황을 분석한 결과, 평균 배송 소요시간인 36 ~ 48시간동안 평균 25.6℃(최저온도: 18.1℃, 최고온도: 30.7℃)를 유지하는 것을 확인하였다. 계절별 최적의 포장방법을 구축하기 위하여 0 ~ 30℃ 범위에서 5℃ 간격으로 7개의 외부온도조건을 설정하였다. 또한 보냉제의 취급방법별 내부온도 유지성능평가를 실시해 14건의 포장조합을 도출하였다. 도출한 포장조합을 외부온도조건에 맞춰, 포장 후 12시간 이내의 직접 배송 또는 36 ~ 48시간이 소요되는 일반 배송기간 동안 최소한의 에너지로 천적의 생존을 유지할 수 있는 발육영점온도에 근접한 3.0 ~ 9.9℃로 유지할 수 있는 포장조합을 제시하였다.
본 논문은 두 배의 rail-to-rail 입력 전압 범위를 갖는 저-전력 0.6-V 10-bit 200-kS/s successive approximation register(SAR) analog-to-digital converter(ADC)를 제안한다. 제안된 near-threshold voltage(NTV)의 전원 전압을 갖는 회로는, 본질적인 입력 신호 전력 부족을 두 배의 rail-to-rail 입력 전압 범위를 구현함으로써 극복하였다. 이 회로는 일반적인 NTV 회로에 비해 4배의 입력 신호 전력을 갖게 되고, 그로써 SAR ADC의 신호 대 잡음비(signal-to-noise ratio, SNR)를 개선했다. 제안된 ADC는 65-nm CMOS 공정을 이용하여 제작되었다. 0.6-V 전원 전압과 $2.4-V_{pp}$(차동쌍)의 입력 전압, 200-kS/s에서 ADC의 SNDR은 59.87 dB이며 전력 소모는 364.5-nW이다. ADC 코어가 차지하는 면적은 $84{\times}100{\mu}m^2$이다.
In this work, we evaluated the structural, electrical and optical properties of $Ge_8Sb_2Te_{11}$ and Cu-doped $Ge_8Sb_2Te_{11}$ thin films prepared by rf-magnetron reactive sputtering. The 200-nm-thick deposited films were annealed in a range of $100{\sim}400^{\circ}C$ using a furnace in an $N_2$ atmosphere. The amorphous-to-crystalline phase changes of the thin films were investigated by X-ray diffraction (XRD), UV-Vis-IR spectrophotometry, a 4-point probe, and a source meter. A one-step phase transformation from amorphous to face-centered-cubic (fcc) and an increase of the crystallization temperature ($T_c$) was observed in the Cu-doped film, which indicates an enhanced thermal stability in the amorphous state. The difference in the optical energy band gap ($E_{op}$) between the amorphous and crystalline phases was relatively large, approximately 0.38~0.41 eV, which is beneficial for reducing the noise in the memory devices. The sheet resistance($R_s$) of the amorphous phase in the Cu-doped film was about 1.5 orders larger than that in undoped film. A large $R_s$ in the amorphous phase will reduce the programming current in the memory device. An increase of threshold voltage ($V_{th}$) was seen in the Cu-doped film, which implied a high thermal efficiency. This suggests that the Cu-doped $Ge_8Sb_2Te_{11}$ thin film is a good candidate for PRAM.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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