본 연구에서는 전자파 차폐용 도전성 개스킷 소재로 활용할 수 있는 은입자 충전 실리콘 복합 페이스트에 대한 전기전도성 및 응력-변형율 특성을 분석하였다. 불규칙한 구형의 은(Ag)입자와 상온습기경화형(RTV) 실리콘수지를 도입하여 복합 페이스트의 퍼콜레이션 농도(임계 농도)를 전기전도도 측정 결과로부터 결정하였다. 약 28%의 은입자 함량에서 퍼콜레이션 현상이 발생하였으며, 이 농도에서 급격한 감소를 보이는 은입자/실리콘 복합 페이스트의 체적 비저항, 인장강도 및 연신률의 특성 변화에 관하여 고찰하였다. 또한, 커플링제의 선택적 방법을 통해 퍼콜레이션 농도 이상으로 충전된 복합 페이스트의 응력-변형율 특성을 효과적으로 개선할 수 있음을 제시하여 주었다.
다중벽 탄소 나노튜브(Carbon nanotube, MWNTs)의 우수한 전기적 기계적 특성과 폴리우레탄의 우수한 기계적 물성을 이용하여 우수한 전기 전도성 복합체를 제조하기 위하여 말단기가 polyurethane로 기능화 된 탄소 나노튜브(PU-g-MWNTs)를 제조하였다. 말단기에 형성된 폴리우레탄과 고분자 메트릭스 간의 상용성으로 인한 계면 접합력으로 인해 기능화된 CNT 복합체 기능화 되지 않은 CNT에 비해 우수한 분산성을 나타내었다. PU-g-MWNT/PU 복합체의 전기 전도성을 PU-g-MWNT의 농도에 따라 측정하였으며 percolation threshold 이론에 의해 해석하였다. 그 결과 PU-g-MWNT/PU 복합체의 전기전도성은 임계농도 0.78 wt%과 임계지수 0.945를 가짐을 확인하였다.
Background: Shipbuilding involves intensive welding activities, and welders are exposed to a variety of metal fumes, including manganese, that may be associated with neurological impairments. This study aimed to characterize total and size-fractionated manganese exposure resulting from welding operations in shipbuilding work areas. Methods: In this study, we characterized manganese-containing particulates with an emphasis on total mass (n = 86, closed-face 37-mm cassette samplers) and particle size-selective mass concentrations (n = 86, 8-stage cascade impactor samplers), particle size distributions, and a comparison of exposure levels determined using personal cassette and impactor samplers. Results: Our results suggest that 67.4% of all samples were above the current American Conference of Governmental Industrial Hygienists manganese threshold limit value of $100{\mu}g/m^3$ as inhalable mass. Furthermore, most of the particles containing manganese in the welding process were of the size of respirable particulates, and 90.7% of all samples exceeded the American Conference of Governmental Industrial Hygienists threshold limit value of $20{\mu}g/m^3$ for respirable manganese. Conclusion: The concentrations measured with the two sampler types (cassette: total mass; impactor: inhalable mass) were significantly correlated (r = 0.964, p < 0.001), but the total concentration obtained using cassette samplers was lower than the inhalable concentration of impactor samplers.
황산염 환원 반응이 혐기성 조건 하에서 수소에 대하여 경쟁관계에 있는 메탄생성 및 환원성 탈염소화 반응에 미치는 영향을 평가하기 위한 회분식 실험을 수행하였다. 황산염 환원반응은 수소문턱농도가 2 nM로 탈염소화 반응과 유사하여 낮은 수소 농도에서 탈염소화를 저해하였으며 메탄생성균이 cDCE의 탈염소화를 저해시키는 것과는 달리 PCE의 cDCE 변환 과정부터 탈염소화를 억제하였다. 또한 황산염은 메탄생성을 억제하여 메탄생성균이 수소경쟁에서 제외되었는 바, 이는 메탄생성의 수소문턱농도(10 nM)가 상대적으로 높기 때문이다. 황산염이 존재하는 경우 탈염소화 효율은 식종 미생물의 농도에 큰 영향을 받지 않았는 바, 이는 식종 미생물 증가에 의해 탈염소화뿐만 아니라 황산염 환원반응도 동시에 촉진되었기 때문이다.
MSG의 맛 표현용어를 설문조사를 통하여 수집분석하고 관능검사를 통한 MSG의 감응역가를 다른 기본 맛의 역가와 비교하였으며, MSG가 다른 기본 맛 성분에 첨가되었을때 일어나는 맛의 강도변화를 관능적 방법으로 측정하였다. 96명의 설문 응답자로부터 수집분석한 자료에 의하면 MSG 자체의 맛은 느끼한 맛(58%)과 역겨운 맛(24%)으로 주로 표현되었으나 음식에 첨가됨으로써 기대 되는 맛은 감칠 맛(79%)으로 주로 표현(表現)되었다. 관능검사자들이 MSG 수용액을 직접 맛보고 표현한 용어로는 최소 감각농도 부근의 낮은 농도에서는 느끼한 맛, 쓴맛, 단맛 등이 감지되었으나 최소 감미농도 이상에서는 느끼한 맛과 짠맛이 주로 표시되었다. MSG 수용액의 최소 감각농도는 0.002mole 수준이었으며 최소 감미농도는 0.006mole 수준이었다. MSG와 기본 맛 성분(成分)과의 상호작용을 보면 MSG가 식염용액에 첨가되면 짠맛의 상승작용을 나타내었다. 그러나 MSG가 설탕용액에 첨가되면 첨가된 MSG 농도가 낮은 때(0.01M)에는 다소 단맛의 상승효과를 나타내었으나 MSG 농도가 높아지면 단맛의 억제효과를 나타내었다. MSG를 구연산용액에 첨가했을 때는 전반적으로 신맛의 억제효과가 나타났다.
본 연구에서는 두개의 게이트단자를 가진 차세대 나노소자인 DGMOSFET에 대하여 문턱전압이하영역에서 발생하는 단채널효과 중 문턱전압 및 드레인유도장벽감소의 변화를 스켈링이론에 따라 분석하고자 한다. 포아송방정식의 분석학적 해를 구하기 위하여 전하분포함수에 대하여 가우시안 함수를 사용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였으며 이때 가우시안 함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차 그리고 소자 파라미터인 채널의 두께, 도핑농도 등에 대하여 문턱전압 특성의 변화를 관찰하였다. 본 연구의 모델에 대한 타당성은 이미 기존에 발표된 논문에서 입증하였으며 본 연구에서는 이 모델을 이용하여 문턱전압이하 특성을 분석할 것이다. 분석결과 스켈링이론 적용시 문턱전압 및 드레인유도장벽감소 현상이 변화하였으며 변화정도는 소자 파라미터에 따라 변화한다는 것을 관찰하였다.
The drain current of the SB MOSFET was analytically modeled by an equation composed of thermionic emission and tunneling with consideration of the image force lowering. The depletion region electron concentration was used to model the channel electron concentration for the tunneling current. The Schottky barrier width is dependent on the channel electron concentration. The drain current is changed by the gate oxide thickness and Schottky barrier height, but it is hardly changed by the doping concentration. For a GaN SB MOSFET with ITO source and drain electrodes, the calculated threshold voltage was 3.5 V which was similar to the measured value of 3.75 V and the calculated drain current was 1.2 times higher than the measured.
An accurate method for extracting both Si film doping concentration and front or back silicon-to-oxide fixed charge density of fully depleted SOI devices is proposed. The method utilizes the current-to-voltage and capacitance-to-voltage characteristics of both SOI NMOSFET and PMOSFET which have the same doping concentration. The Si film doping concentration and the front or back silicon-to-oxide fixed charge density are extracted by mainpulating the respective threshold voltages of the SOI NMOSFET and PMOSFET according to the back surface condition (accumulation or inversion) and the capacitance-to-voltage characteristics of the SOI PMOSFET. Device simulations show that the proposed method has less than 10% errors for wide variations of the film doping concentration and the front or the back silicon-to-oxide fixed charge density.
This paper presents a study on the permittivities of the carbon black/epoxy composite at microwave frequency. The measurements were performed at the frequency band of $1 GHz\~18GHz$. The results show that the complex permittivities of composites depend strongly on the natures and concentrations of the carbon black dispersion. The frequency spectrums of dielectric constants and ac conductivities of composites show the good conformities with descriptions of the percolation theory. The carbon black concentration dependencies do not have conformities with the descriptions of percolation theory and there is no peculiar concentration like percolation threshold, on that concentration, the conductivity of composite jumps up. A new scheme, that is a branch of Lichtenecker-Rother formula, is proposed to obtain a mixing law to describe the complex permittivities of the composites as function frequency and concentration of carbon black.
콘크리트 중의 철근부식은 콘크리트 제조시 초기부터 콘크리트 중에 존재하는 염소이온과 기상작용 등의 환경요인에 의하여 외부로부터 침투하는 염소이온이 어느 값 (임계염화물량) 이상의 경우에 발생한다. 이 때문에 각 국에서는 콘크리트 중의 염소이온량의 상한치를 규제하고 있으며, 국가별 상황에 적절하게 상이한 방법으로 규제하고 있다. 따라서 본 연구에서는 콘크리트 중 염소이온량의 합리적인 규제방법을 제안하기 위하여, 단위시멘트량이 다른 콘크리트 중의 염소이온에 의한 철근부식 임계 염화물량을 실험적으로 산출하였다. 그 결과, 철근부식 임계염화물량은 단위시멘트량의 변화에 따라 크게 변화하는 것을 알 수 있었다. 또한, 실험으로부터 얻어진 철근부식 임계염화물량은 기존의 모델계산의 결과와 잘 일치함을 알 수 있었다. 현행과 같이 철근부식 임계염화물량을 콘크리트 단위체적 당의 양 (콘크리트 총량표기)으로 단위시멘트량에 관계없이 일률적으로 관리하면, 단위시멘트량 등의 콘크리트 배합조건, 환경조건의 변화 등이 철근부식 임계염화물량에 미치는 영향을 고려할 수 없을 것으로 판단된다. 따라서, 철근부식 임계염화물량을 단위시멘트량 당의 양 (시멘트 종량표기)으로 표기하는 것으로, 단위시멘트량에 관계없이 일정한 값으로 표시할 수 있기 때문에 합리적이라고 판단된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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