To study encapsulation method for large-area organic light emitting diodes (OLEDs), red emitting OLEDs were fabricated, on which $Alq_3$ as organic buffer layer and LiF and Al as inorganic protective layers were deposited to protect the damage of OLED by epoxy. And then the OLEDs were attached to flat glass by printing method using epoxy. The basic structure of OLED doped with rubrene of 1 vol.% as emitting layer is ITO(150 nm) / 2-TNATA(50 nm) / ${\alpha}$-NPD(30 nm) / $Alq_3$:Rubrene(30 nm) / $Alq_3$(30 nm) / LiF(0.7 nm) / Al(100 nm). In case of depositing $Alq_3$, LiF and Al and then attaching of flat glass onto OLED, current density, luminance, efficiency and driving voltage were not changed and lifetime was increased according to thickness of Al as inorganic protective layers. The lifetime of OLED/$Alq_3$/LiF/Al_4/glass structure was 139 hours increased by 15.8 times more than bare OLED of 8.8 hours and 1.6 times more than edge sealed OLED of 54.5 hours.
To study encapsulation method for large-area organic light emitting diodes (OLEDs), red emitting OLEDs were fabricated, on which LiF and Al were deposited as inorganic protective films. And then the OLED was attached to flat glass by printing method using epoxy. In case of direct coating of epoxy onto OLED by printing method, luminance and current efficiency were remarkably decreased because of the damage to the OLED by epoxy. In case of depositing LiF and Al as inorganic protective films and then coating of epoxy onto OLED, luminance and current efficiency were not changed. OLED lifetime was more increased through inorganic protective films between OLED and flat glass than that without any encapsulation (8.8 h), i.e., 47 (LiF/Al/epoxy/glass), 62 (LiF/Al/LiF/epoxy/glass), and 84 h (LiF/Al/Al/epoxy/glass). The characteristics of OLED encapsulated with inorganic protective films (attached to flat glass) showed the possibility of application of protective films.
격자 구조형 평면도파로와 원통형 광섬유로 구성된 격자구조형 광섬유 결합기(GAFC)를 제안하였고, 그 최적 전력결합 특성을 종방향 모드 전송선로이론(L-MTLT)에 기초하여 분석하였다. 또한, 격자 구조형 평면도파로에서 입사된 광신호가 단일 모드 광섬유로 결합되기 위한 새로운 최적 조건들을 제시하였다. 수치해석 결과 GAFCs에서 최적 전력결합 특성은 기존에 널리 사용하는 위상정합 조건이 아닌 새로운 조건(즉, 정확한 모드의 최소간격 조건)에서 나타났다.
We numerically demonstrate the performance of a plasmonic lens composed of an array of nanoslits perforated on thin metallic film with slanted cuts on the output surface. Embedding Kerr nonlinear material in nanoslits is employed to modulate the output beam. A two dimensional nonlinear-dispersive finite-difference time-domain (2D N-D-FDTD) method is utilized. The performance parameters of the proposed lens such as focal length, full-width half-maximum, depth of focus and the efficiency of focusing are investigated. The structure is illuminated by a TM-polarized plane wave and a Gaussian beam. The effect of the beam waist of the Gaussian beam and the incident light intensity on the focusing effect is explored. An exact formula is proposed to derive electric field E from electric flux density D in a Kerr-Dispersive medium. Surface plasmon (SPs) modes and Fabry-Perot (F-P) resonances are used to explain the physical origin of the light focusing phenomenon. Focused ion beam milling can be implemented to fabricate the proposed lens. It can find valuable potential applications in integrated optics and for tuning purposes.
ZnS 완충층이 SrS : Ce, Cl 박막 EL cell의 발광휘도 및 효율에 미치는 영향을 조사하였다. ZnS 완충층을 사용한 cell과 사용하지 않은 cell의 구동전압은 각각 210V, 220V 이상이고 주파수 범위는 500 Hz-20kHz로 하였다. 측정범위 내에서 휘도는 주파수와 이동전하밀도의 곱에 비례하고, 한편 이동전하밀도는 주파수에 무관하고 구동전압에 비례한다. 결과적으로 발광효율은 주파수와 구동전압에 무관하다. 완충층을 사용하므로 활성층의 발광특성을 향상시킬 수 있으며, 발광효율은 완충층 유무에 따라 각각 0.12 lm/W, 0.06 lm/W 이다.
본 논문에서는 도파모드공진을 이용한 포화흡수체 반사기를 제안하였다. 포화흡수체로는 탄소나노튜브(CNT)를 사용하였다. 제안된 반사기는 CNT의 두께 변화 없이 modulation depth를 키울 수 있다는 장점이 있다. 제안하는 반사기의 fill factor(F)와 CNT의 두께변화에 따른 modulation depth, 대역폭, 포화되었을 때의 최대 반사율의 특징을 알아보았다. 제안된 반사기는 포화에너지를 줄일 수 있다는 장점이 있고, 100~200nm 얇은 CNT박막에서 50배정도 줄어드는 것을 확인 하였다.
In order to test the recognition ability and accuracy of a target imaging simulator under the irradiation of solar stray light in a laboratory environment, it needs to be fixed on a five-axis turntable during a hardware-in-the-loop simulation test, so the optical system of the simulator should have a long exit pupil distance. This article adopts a secondary imaging method to design a projection optical system suitable for thin-film-transistor liquid crystal displays. The exit pupil distance of the entire optical system is 1,000 mm, and the final optimization results in the 400 nm-850 nm band show that the modulation transfer function (MTF) of the optical system is greater than 0.8 at the cutoff frequency of 72 lp/mm, and the distortion of each field of view of the system is less than 0.04%. Combined with the design results of the optical system, TracePro software was used to model the optical system, and the simulation of the target imaging simulator at the magnitude of -1 to +6 Mv was analyzed and verified. The magnitude error is less than 0.2 Mv, and the irradiance uniformity of the exit pupil surface is greater than 90%, which meets the requirements of the target imaging simulator.
본 논문에서는 LSPR 센서에 적용하기 위한 제한된 높이 100 nm에서 $TiO_2$, $SiO_2$의 다중층을 이용한 LSPR 센서를 디자인을 제안했다. LSPR 센서의 구조는 유전체 층과 나노 구조가 있는 금속층으로 디자인 하였다. 금속층은 금 박막 40 nm와 높이 40 nm, 주기 600 nm, 선폭 300 nm인 나노와이어 구조체를 올려놓은 구조로 디자인하였다. 유전체 층의 높이를 100nm로 제한하고, $TiO_2$, $SiO_2$가 반복되는 구조로 하여 반복층의 개수를 1~4개로 변경하면서 비교 분석하였다. 파장 가변형 SPR을 디자인하기 위해 각도를 75도로 고정하고 파장을 변화시켜 FEM방식으로 계산하였다. 결과로 굴절율이 고정되어 있을 때 다중층의 개수가 증가할수록 공명 파장이 짧아지는 현상을 확인 하였고, 파장의 변화에 더 민감하게 변화하는 것을 측정하였다. 다만, 다중층의 개수가 3개층 이상이 되면 변화하지 않는 것을 확인하였다.
ITO thin films deposited on glass substrate with RF magnetron sputtering were vacuum annealed at 100, 200 and $300^{\circ}C$ for 30 minutes and then effect of annealing temperature on the structural, electrical and optical properties of ITO films were investigated. The structural properties are strongly related to annealing temperature. The annealed films above $100^{\circ}C$ are grown as a hexagonal wurtzite phase and the largest grain size is observed in the films annealed at $300^{\circ}C$. The electrical resistivity also decreases as low as $4.65{\times}10^{-4}{\Omega}cm$ with a increase in annealing temperature and ITO film annealed at $300^{\circ}C$ shows the lowest sheet resistance of $43.6{\Omega}/{\Box}$. The optical transmittance in a visible wavelength region also depends on the annealing temperature. The films annealed at $300^{\circ}C$ show higher transmittance of 80.6% than those of the films prepared in this study.
서서히 용액을 증발시키는 늦은 용액증발법을 이용하여 유기단결정 p-toluene sulfonate(PTS) 덩어리와 박막을 제작하였다. 유기 단결정 PTS 덩어리는 Z-scan 방법을 이용하여 1600 nm, 95fs 레이저 광으로 3차와 5차 비선형 굴절률 $n_{2}$와 $n_{3}$를 측정하였으며, PTS 박막 도파관에서는 다중모드 출력을 관측하였다. 입력광의 세기가 2~5 GW/$cm^{2}$영역에서 PTS의 비선형 광학계수는 $n_{2}=6{\times}10^{-4}cm^{2}$/GW, $n_{3}=-7{\times}10^{-5}cm^{4}/GW^{2}$이고 2광자 흡수와 3광자 흡수는 없었다. 빛의 세기가 강한 5~16 GW/$cm^{2}$영역에서는 비선형 슈레딩거식과 빠른 푸리에변환 광전파방법을 이용하여 시료 내에서 전파광의 모양이 가우시안 광에서 왜곡되어 전파되는 것을 전산모의하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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