Phosphor layers on rear plate of PDP were formed via osmosis coating process in an attempt to improve thickness uniformity of phosphor layer and eventually to enhance luminance and its efficiency of plasma display panel. The phosphor layers were formed uniformly not only on the sidewalls of barrier ribs but also on the dielectric layer of rear plate by the process. The processing parameters affecting the thickness uniformity of the phosphor layer formed by the osmotic coating process were investigated.
Kim, Min-Wan;Kim, Hie-Chul;Kim, Suk-Hwan;Lee, Sang-Woo;Choi, Byung-Ho;Kim, Kyung-Hwan;Sohn, Woo-Keun
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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2004.08a
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pp.1068-1071
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2004
We report the techniques to obtain the high uniformity of the phosphor film thickness in the cold cathode fluorescent lamps, which are widely used as a back-light for the liquid crystal display. The thickness variation of the phosphor layer was sensitive to blowing conditions. The optimum conditions were obtained at flow rate of 15 sccm for 30 min at 40 $^{\circ}C$. The optimum and uniform thickness of a phosphor layer gives good luminous output.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.25
no.1
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pp.88-93
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1988
For coherent optical information processing the thickness uniformity of the spatial light modulators(SLMs)is highly demanded. The liquid crystal display(LCD), which is commercialized as a pocket-sized television, is considered as one of the most cheap 2-dimensional SLM. But usually it has lack of thickness uniformity. Thus phase correction to compensate the thickness nonuniformity must be preceded before it is used as an SLM. In this paper relatively easy phase compensation method applicable to binary SLMs is discussed and experimentally verified by using the optical joint transformantion concept.
The process optimization was carried out to improve the throwing power (TP) and the thickness uniformity of the electroless copper (Cu) plating, which plays a seed layer for the subsequent electroplating. The DOE (design of experiment) was employed to screen key factors out of all available operation parameters to influence the TP and thickness uniformity the most. It turned out that higher Cu ion concentration and lower plating temperature are advantageous to accomplish uniform via filling and they are accounted for based on the surface reactivity. To visualize what occurred experimentally and evaluate the phenomena qualitatively, the kinetic Monte Carlo (MC) simulation was introduced. The combination of neatly designed experiments by DOE and supporting theoretical simulation is believed to be inspiring in solving similar kinds of problems in the relevant field.
Currently, the brain CT scan of the latest equipment lacks the study of parameter change and dose change and especially of noise, uniformity analysis and dose change. Therefore, this study attempted to study the phenomenon that occurs at this time by analyzing tube voltage, slice thickness, and pitch change in exposure parameters when using high specification CT. Experimental results show that uniformity is better when using high voltage, thick slice thickness selection, and minimum pitch. As a result of the combination, the most uniformity condition was 140 kVp, 10 mm and pitch 0.5. Noise was found to be improved regardless of pitch by increasing tube voltage and slice thickness. The radiation dose increased linearly with tube voltage and pitch. Therefore, the results of this study will serve as a reference for the use of High specification brain CT.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.05c
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pp.223-227
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2002
As the channel length of device shrinks below $0.13{\mu}m$, CMP(chemical mechanical polishing) process got into key process for global planarization in the chip manufacturing process. The removal rate and non-uniformity of the CMP characteristics occupy an important position to CMP process control. Especially, the post-CMP thickness variation depends on the device yield as well as the stability of subsequent process. In this paper, every wafer polished two times for the improvement of oxide CMP process characteristics. Then, we discussed the removal rate and non-uniformity characteristics of post-CMP process. As a result of CMP experiment, we have obtained within-wafer non-uniformity (WIWNU) below 4 [%], and wafer-to-wafer non-uniformity (WTWNU) within 3.5 [%]. It is very good result, because the reliable non-uniformity of CMP process is within 5 [%].
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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v.22
no.4
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pp.44-51
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2005
In this paper, a new polishing head with the variable pressure structure was studied to improve the planarization uniformity of the conventional template-metal head. Metal surface waviness and slurry distribution on the pad have been known to affect the polishing uniformity even in the synchronized quill and platen velocities. A polishing head with silicon rubber sheet was used to get a curved pressure distribution. In the experiment, the vertical deflection behavior on the pad was characterized with back pressure in the air chamber. Quill force increased linearly with backpressure. However, backpressure under a quill force made the upward movements of the quill. In the wafer polishing experiments, polishing rate and polishing thickness distribution were severely changed with backpressure. The best uniformity was observed with the standard deviation off.5% level of average polishing removal 215nm at backpressure 12.1kPa.
Ha, Joohwan;Park, Sodam;Lee, Hakji;Shin, Seokyoon;Byun, Changwoo
Journal of the Semiconductor & Display Technology
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v.21
no.3
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pp.101-104
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2022
Mist-CVD is known to have advantages of low cost and high productivity compared to ALD and PECVD methods. It is capable of reacting to the substrate by misting an aqueous solution using ultrasonic waves under vacuum-free conditions of atmospheric pressure. In particular, Ga2O3 is regarded as advanced power semiconductor material because of its high quality of transmittance, and excellent electrical conductivity through N-type doping. In this study, Computational Fluid Dynamics were used to predict the uniformity of the thin film on a large-area substrate. And also the deposition pattern and uniformity were analyzed using the flow velocity and particle tracking method. The uniformity was confirmed by quantifying the deposition cross section with an FIB-SEM, and the consistency of the uniformity prediction was secured through the analysis of the CFD distribution. With the analysis and experimental results, the match rate of deposition area was 80.14% and the match rate of deposition thickness was 55.32%. As the experimental and analysis results were consistent, it was confirmed that it is possible to predict the deposition thickness uniformity of Mist-CVD.
A three-dimensional numerical analysis of the flow and heat transfer characteristic of wood-flour-filled polypropylene melt in an extrusion die was carried out Used for this analysis were Finite Concept Method based on FVM, unstructured grid and non-Newtonian fluid viscosity model. Temperature and flow fields are closely coupled through temperature dependent viscosity and viscous dissipation. With large Peclet, Nahme, Brinkman numbers, viscous heating caused high temperature belt near die housing, Changing taper plate thickness and examining some predefined parameters at die exit investigated the effect of taper plate on velocity and temperature uniformities. In the presence of taper plate, uniformity at die exit could be improved and there existed an optimum thickness to maximize it.
We evaluated and developed a 6th generation large-size polisher in the type of face-up and Oscar. We removed the hillocks of the low temperature poly-silicon (LTPS) thin film with this polisher. The surface roughness of LTPS was lowered from 7.9 nm to 0.6 nm after CMP(chemical mechanical polishing). The thickness of the LTPS is measured through reflectance in real time during polishing, and the polishing process is completed according to this thickness. The within glass non-uniformity (WIGNU) was 6.2% and the glass-to-glass non-uniformity (GTGNU) was 2.5%, targeting the LTPS thickness of 400Å. In addition, the residual slurry after the CMP process was removed through the Core Flow PVA Brush and alkaline chemical.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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