• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제19권2호
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• pp.16-21
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• 2020

How accurately reproducible energy is delivered to the wafer in the process of making thin films using PE-CVD (Plasma enhanced chemical vapor deposition) during the semiconductor process. This is the most important technique, and most of the reaction on the wafer surface is made by thermal energy. In this study, we studied the method of monitoring the change of thermal energy transferred to the wafer surface by monitoring the temperature change according to the change of the thin film formed on the showerhead facing the wafer. Through this research, we could confirm the monitoring of wafer thin-film which is changed due to abnormal operation and accumulation of equipment, and we can expect improvement of semiconductor quality and yield through process reproducibility and equipment status by real-time monitoring of problem of deposition process equipment performance.

• 한국방재학회:학술대회논문집
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• 한국방재학회 2008년도 정기총회 및 학술발표대회
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• pp.815-818
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• 2008

Titanium was oxidized with oxygen plasma and calcinated with rapid thermal annealing for degradation of humic acid dissolved in water. Titania photocatalytic plate was produced by titanium surface oxidized with oxygen plasma by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition(PECVD). RF-power and deposition condition is controlled under 100 W, 150 W, 300 W and 500 W. Treatment time was controlled by 5 min and 10 min. The film properties were evaluated by the X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) and X-Ray Diffraction (XRD). From the experimental results, we found the optimal condition of titania film which exhibited good performance. Moreover photocatalytic capacity was about twice better than thermal spray titania film, and also as good as titania powder.

• 한국재료학회지
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• 제13권1호
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• pp.1-5
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• 2003

Uniform polycrystalline $CoSi_2$layers have been grown in situ on a polycrystalline Si substrate at temperature near $625^{\circ}C$ by reactive chemical vapor deposition of cyclopentadienyl dicarbonyl cobalt, Co(η$^{5}$ -C$_{5}$ H$_{5}$ )(CO)$_2$. The growth behavior and thermal stability of $CoSi_2$layer grown on polycrystalline Si substrates were investigated. The plate-like CoSi$_2$was initially formed with either (111), (220) or (311) interface on polycrystalline Si substrate. As deposition time was increasing, a uniform epitaxial $CoSi_2$layer was grown from the discrete $CoSi_2$plate, where the orientation of the$ CoSi_2$layer is same as the orientation of polycrystalline Si grain. The interface between $CoSi_2$layer and polycrystalline Si substrate was always (111) coherent. The growth of the uniform $CoSi_2$layer had a parabolic relationship with the deposition time. Therefore we confirmed that the growth of $CoSi_2$layer was controlled by diffusion of cobalt. The thermal stability of $CoSi_2$layer on small grain-sized polycrystalline Si substrate has been investigated using sheet resistance measurement at temperature from $600^{\circ}C$ to $900^{\circ}C$. The $CoSi_2$layer was degraded at $900^{\circ}C$. Inserting a TiN interlayer between polycrystalline Si and $_CoSi2$layers improved the thermal stability of $CoSi_2$layer up to $900^{\circ}C$ due to the suppression of the Co diffusion.

• 한국재료학회지
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• 제8권4호
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• pp.345-353
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• 1998

음이온 리간드로 hfac이 배위된 세 가지 종류의 구리(l) 전구체들의 열적 안정성, 기상분해 특성, 증착 특성 등을 연구하였다. $^{1}$H-NMR결과로부터 (hfac) Cu(VTMS) (hfac=hexafluoroacetylacetonate, VTMS=vinyltrimethylsilane)와 (hfac)Cu(VTMS) (VTMOS=vinyltrimethoxysilane)는 열적으로 안정한 화합물이라는 것을 확인할 수 있었으며, (hfac)Cu(ATMS)(STMS=allyltrimethylsilane)는 다른 전구체에 비해 열적으로 불안정한 화합물이라는 것을 확인할 수 있었다. In-situ FT-IR을 이용하여 기상 분해 특성을 연구한 결과 (hfac)Cu(VTMS)의 경우 $150^{\circ}C$부근에서 $Cu(hfac)_{2}$, $240^{\circ}C$부근에서 free한 상태의 hfac의 생성을 확인할 수 있었으며, 이러한 특성이 박막의 증착 속도와 물성에 미치는 영향을 확인하였다. 그리고 이들 전구체들의 증착 특성을 연구하였으며 (hfac)Cu(ATMS)의 경우 아르곤 운반 기체하에서 기판 온도가 $60^{\circ}C$일 때 구리 박막이 증착이 시작되는 것을 관찰할 수 있었는데, 이러한 낮은 증착 온도는 상대적으로 약한 구리와 ATMS의 결합력에 의한 것으로 생각된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.415-415
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• 2008

수분을 첨가한 열화학기상증착으로 $850^{\circ}C$에서 길게 수직 성장한 다중벽 탄소나노튜브를 합성하였다. 실리콘 웨이퍼에 열 증착기로 Al 15 nm를 입히고 그 위에 촉매 층으로 Fe 0.5 nm 를 증착한 기판을 사용하였다. 탄소나노튜브의 성장에는 분위기 가스로 Ar을, 성장 가스로 $C_2H_2$를 사용하였다. 이들 가스를 이용한 합성 중에 약 100 ppm 전후의 수분을 첨가함으로써 탄소나노튜브의 성장 길이를 10 배 가량 증가시켰다. 이것은 합성 중의 수분 첨가로 인해 금속촉매 입자들의 활동성이 증가하였기 때문이다. 수분의 첨가량를 달리하여 합성한 탄소나노튜브의 길이와 정렬도를 관찰하기 위해 주사전자현미경 (scanning electron microscopy, SEM)을 이용하였고, 탄소나노튜브의 정확한 지름과 벽의 개수를 파악하기 위해 투과전자현미경 (transmission electron microscopy)을, 결정성을 파악하기 위해 Raman 분광기를 사용하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제35권1호
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• pp.88-96
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• 1998

The structural and electrical properties of titanium dioxide(TiO2) thin films deposited on p-type (100) si and 4$^{\circ}$off(100) Si substartes by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) have been studied with post rapid thermal annealing. TiO2 thin films of anatase phase were grown at 300-500$^{\circ}C$ using titanium post rapid thermal annealing at a temperature of 800$^{\circ}C$ for 30sec. rutile phase was observed in the condition of the deposition temperature over 350$^{\circ}C$ in the ambient air atmosphere and at 500$^{\circ}C$ in cacuu,. SEM and AFM study show-ed surface roughness were increased slightly from 40${\AA}$to 55${\AA}$ after annealing due to grain growth and phase transformation. From capacitane-voltage measurement of Al/TiO2./p-Si structure after annealing we obtained ideal capacitance-voltage characteristics of MOS structure with dielectric constant of 16-22 in case of (100) Si and about 30- in case of 4$^{\circ}$off(100) Si but showed the higher leakage current.

• 한국표면공학회지
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• 제48권6호
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• pp.297-302
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• 2015

Nanocrystalline diamond(NCD) coated aluminium plates were prepared and applied as heat sinks for LED modules. NCD films were deposited on 1 mm thick Al plates for times of 2 - 10 h in a microwave plasma chemical vapor deposition reactor. Deposition parameters were the microwave power of 1.2 kW, the working pressure of 90 Torr, the $CH_4/Ar$ gas ratio of 2/200 sccm. In order to enhance diamond nucleation, DC bias voltage of -90 V was applied to the substrate during deposition without external heating. NCD film was identified by X-ray diffraction and Raman spectroscopy. The Al plates with about 300 nm thick NCD film were attached to LED modules and thermal analysis was carried out using Thermal Transient Tester (T3ster) in a still air box. Thermal resistance of the module with NCD/Al plate was 3.88 K/W while that with Al plate was 5.55 K/W. The smaller the thermal resistance, the better the heat emission. From structure function analysis, the differences between junction and ambient temperatures were $12.1^{\circ}C$ for NCD/Al plate and $15.5^{\circ}C$ for Al plate. The hot spot size of infrared images was larger on NCD/Al than Al plate for a given period of LED operation. In conclusion, NCD coated Al plate exhibited better thermal spreading performance than conventional Al heat sink.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제7권3호
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• pp.344-349
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• 2006

[ $60{\sim}70nm$ ] 급의 design rule을 가진 고집적 반도체 소자를 제작하려면, 트랜지스터 형성 이후의 공정에서 thermal budget을 줄이기 위하여 공정의 온도를 낮추는 것이 중요하다. 본 연구에서는 고온의 습식 산화막을 대체할 수 있는 저온의 LPCVD (Low-Pressure Chemical Vapor Deposition) $SiO_2$(LTO : Low-Temperature Oxide) 박막 증착공정을 제시하였으며, ONO (Oxide/Nitride/Oxide) 구조의 커패시터를 형성하여 증착된 LTO 박막의 전기적인 신뢰성을 평가하였다. LTO 박막은 5 MV/cm 이하의 전기장 영역에서는 고온의 습식 산화막과 크게 차이가 없는 누설전류 특성을 보였으나, 더 높은 전기장의 영역에서는 훨씬 더 우수함을 보여주었다.

• 한국진공학회지
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• 제20권5호
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• pp.374-380
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• 2011

니켈촉매 막을 증착시킨 산화규산 기판위에 아세틸렌기체와 수소기체를 원료로 육불화황기체를 첨가기체로 탄소코일을 증착하였다. 육불화황이 투입되는 단계에 따라 성장된 탄소코일의 특성(형성 밀도, 형상)을 조사하였다. 육불화황을 연속적으로 주입하였을 경우 선형, 마이크로크기 코일, 나노크기 코일, 그리고 파동형 나노크기 코일 등 다양한 형태의 탄소코일들이 성장하였다. 하지만, 탄소코일 초기 증착단계에서 1분정도의 짧은시간 동안 육불화황을 주입한 경우 나노크기의 탄소코일 형상만을 대부분 얻을 수 있었다. 탄소코일 합성반응시간이 1분 정도 지체된 후의 단계에서 짧은시간 동안의 육불화황 주입은 코일형상 제어를 저해하였다. 따라서, 육불화황의 주입 시간과 주입단계가 탄소 코일의 형상을 결정하는 중요한 요인임을 알 수 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제5권6호
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• pp.706-714
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• 1995

원거리 플라즈마 화학증착법을 이용하여 저온에서 이산화규소박막을 제조하였다. 본 연구 에서는 공정변수인 기판의 온도, 반응기체의 조성 및 분압과 플라즈마 전력에 따른 산화막의 재료적인 물성을 평가하였다. XPS결과에서 산화막은 양론비(O/Si=2)보다 약간 적어 실리콘이 많이 함유된 막으로 나타났다. 이 경우 굴절율과 ESR분석에 의해 미결합된 실리콘의 양이 증가함을 알 수 있었다. SIMS분석에 의해 미량의 질소성분이 계면에 존재하는 것과 실리콘 미결함을 관찰하였다. FT-IR로부터 막내 수소량을 정량화하였으며 결합각 분포는 20$0^{\circ}C$이상에서 열산화막과 비슷한 값을 얻었다. 하지만 열산화막에 비해 높은 식각율을 보여 계면 스트레스에 의해 막내의 결합력이 약해진 것으로 생각된다.