Here, we review the various methods for the preparation of vanadium dioxide ($VO_2$) films and nanowires, and their potential applications to the sensors such as gas sensor, strain sensor, and temperature sensor. $VO_2$ is an interesting material on account of its easily accessible and sharp Mott metal-insulator transition (MIT) at ${\sim}68^{\circ}C$ in the bulk. The MIT is also triggered by the electric field, stress, magnetic field etc. This paper involves exceptionally sensitive hydrogen sensors based on the catalytic process between hydrogen molecules and Pd nanoparticles on the $VO_2$ surface, and fast responsive sensors based on the self-heating effects which leads to the phase changes of the $VO_2$. These features will be seen in this paper and can enable strategies for the integration of a $VO_2$ material in advanced and complex functional units such as logic gates, memory, FETs for micro/nano-systems as well as the sensors.
The structural, optical and electrical properties of ZnO films doped with 1.5 at% of 3A materials(B, Al, Ga, In) were studied by sol-gel process. The films were found to be c-axis (002) oriented hexagonal structure on glass substrate, when post heated at 500 $^{\circ}C$. The surface of the films showed a uniform and nano size microstructure and the crystalline size of doped films decreased. The lattice constants of ZnO:B/Al/Ga increased than that of ZnO, while ZnO:In decreased. All the films were highly transparent(above 90 %) in the visible region. The energy gaps of ZnO:B/Al/Ga were increased a little, but that of ZnO:In was not changed. The resistivities of ZnO:Al/Ga/In were less than 0.1 $\Omega$cm. All the films showed a semiconductor properties in the light or temperature, however ZnO:In was less sensitive to it. A figure of merit of ZnO:In had the highest value of 0.025 $\Omega^{-1}$ in all samples.
전시조명 설계에 있어서는 광방사 에너지의 흡수에 의해 기인하는 광화학 손상이나 온도상승 등의 작용효과를 고려해야 한다. 본 연구에서는 조명에 의한 손상에 매우 민감한 물질은 50[lx](연간적산조도: 120,000lx.h), 어느종도 민감한 물질을 200[lx](연간적산조도: 480,000lx.h)가 보존 및 관람객의 자연스러운 관람분위기를 줄 수 있는 조도기준이고, 광원은 상대손상계수가 작고 방사조도가 낮은 것을 사용하여 조영되도록 하는 기준을 설정하였다. 또한 전시실의 전반조명은 연색성이 높고 색온도가 낮은 광원으로 눈부심등에 의한 시각상의 손상이 없도록 조명하는 것이 좋은 조명이라는 결론을 얻었다.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제9권6호
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pp.231-236
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2008
B, P, and Cs ions were implanted with various parameters into silicon nitride layers prepared by LPCVD. In order to get the maximum impurity concentration at the silicon nitride surface, a high temperature oxide (HTO) buffer layers was deposited prior to the implantation. Alkali ion and pH sensing properties of the layers were investigated with an electrolyte-insulator-silicon (EIS) structure using high frequency capacitance-voltage (HF-CV) measurements. The ion sensing properties of implanted silicon nitrides were compared to those of as-deposited silicon nitride. Band Cs co-implanted silicon nitrides showed a pronounced difference in pH and alkali ion sensing properties compared to those of as-deposited silicon nitride. B or P implanted silicon nitrides in contrast showed similar ion sensitivities like those of as-deposited silicon nitride.
It is well known that the metallo-phthalocyanines (MPcs) are sensitive to toxic gaseous molecules such as NO$_2$ as well as are chemically and thermally stable. Therefore, lots of MPcs have been studied as the potential chemical sensor for NO$_2$gas using quartz crystal microbalance(QCM) or electrical conductivity. In this study, thin films of octa(2-ethylhexyloxy)copper-phthalocyanine were prepared by Langmuir-Blodgett method and characterized by using UV-VIS absorption spectroscopy and ellipsometry. Optimal transfer condition of LB films was investigated and preliminary results of current-voltage(I-V) characteristics of these films exposed to NO$_2$gas as a function of film thickness, temperature and concentration were discussed.
Dynamic deformation of metallic materials mostly accompanies substantial amounts of deformation heat. Since the flow stress of deformation is sensitive to temperature implication of heat due to plastic work is essential to the evaluation of constitutive relations. In this study a series of compression tests were conducted for SAF 2507 super duplex stainless steel and the accumulation of deformation heat was calculated through numerical integration method. Isothermal flow surfaces were deduced from subsequent logarithmic interpolation. Simple closed die forging process was analyzed and optimized with commercial FEM code applying both raw and calibrated material database.
Since polymer materials at elevated temperatures are usually rate-sensitive, the analysis of RTP process requires considering the effect of the rate-dependent. The material behavior that exhibits rate-sensitivity is called visco-plastic. A two-dimensional visco-plastic finite element formulation which constitutive equation is based on the formulation proposed by Perzyna is presented. This Paper is purposed to calcuate pressure distribution on PMMA in compression process and to predict the relationship with defects after demolding process. This paper analyzes, both analytically and numerically, the pressure distributions on the surface of PMMA during open-die RTP process. In this research, PMMA is used to be simulated at $110^{\circ}C$ near the transition temperature.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제16권6호
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pp.308-311
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2015
V2O5/Mn3O4/Nb2O5 codoped zinc oxide varistor ceramics were sintered at a temperature range as low as 875~950℃. The voltage clamping characteristics of V2O5/Mn3O4/Nb2O5 codoped zinc oxide varistor ceramics were investigated at a pulse current range of 1~50 A. The sintering temperature had a significant effect on clamp voltage ratio, which exhibits surge protection capabilities. The varistor ceramics sintered at 875℃ exhibited the best clamping characteristics, in which the clamp voltage ratio was 2.69 at a pulse current of 50 A. The varistor ceramics sintered at 900℃ exhibited the highest electrical stability, where = 3,824 V/cm (initial 3,909 V/cm), and E1 mA/cm2 = 27 (initial 39) after application of a pulse current of 100 A.
In this paper, the heat transfer coefficient measurement techniques using TSP(temperature sensitive paint) were introduced and the results of a comparative study on the heat transfer coefficient measurement by steady state and transient TSP techniques were discussed. The distributions of heat transfer coefficient by a single $60^{\circ}$ inclined impingement jet on a flat surface were measured by both techniques. Tested Reynolds number based on the jet diameter (d) was 30,000 and the distance between jet exit and target plate (L) was fixed at 10d. Results showed that the measured Nusselt number by both techniques indicated significant difference except near the center of impingement jet. Also, the heat transfer coefficients measured by the transient TSP technique were affected by the reference temperature of the jet. Based on the measured data, characteristics of both TSP techniques were analyzed and suggestions for applying them were also given.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제14권1호
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pp.20-23
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2013
When applying superconducting wire to power machines, an investigation needs to be carried out on the characteristics of wire phase changes in connection with the insulating layer. This study examined trends in the increase of the wire's resistance and the characteristics of its recovery from quenching by a current-applied cycle at temperatures of 90 K, 180 K, and 250 K. The procedure was conducted based on the thickness and presence (or absence) of the insulating wire layers. To achieve this, YBCO thin-film wires with the same critical temperatures were prepared with copper and stainless steel stabilizing layers. At levels (-one, three, and five-), with superior performance, polyimide pressure-sensitive adhesive tape was attached to the wires at a very low temperature. The eight prepared test samples were wound around the linear frames. The wire's voltage and current created from the phase change characteristics were measured at the wire's prescribed temperature, using the four-point probe method. The wire's resistance and recovery characteristics were examined for each cycle at temperatures of 90 K, 180 K, and 250 K.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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