The objective of this work was to study the effect of mixed culture solid substrate fermentation of C. tropicalis ZD-3 with A. niger ZD-8 on detoxification of cottonseed meal (CSM), and to investigate the effect of fermentation period, proportion of CSM in substrate, sodium carbonate, minerals and heat treatment on the reduction of free gossypol levels during mixed culture solid substrate fermentation of CSM. Experiment 1: Three groups of disinfected CSM substrate were incubated for 48 h after inoculation with either of the fungi C. tropicalis ZD-3, A. niger ZD-8 or mixed culture (C. tropicalis ZD-3 with A. niger ZD-8). One non-inoculated group was used as the control. Levels of initial and final free gossypol (FG), CP and in vitro CP digestibility were assayed. The results indicated that mixed culture fermentation was far more effective than single strain fermentation, which not only had higher detoxification rate, but also had higher CP content and in vitro digestibility. Experiment 2: CSM substrates were treated according to experimental variables including fermentation period, proportion of CSM in substrate, sodium carbonate, minerals and heat treatment, Then, the treated CSM substrates were inoculated with mixed culture (C. tropicalis ZD-3 with A. niger ZD-8) and incubated at $30^{\circ}C$ for 36 h in a 95% relative humidity chamber. After fermentation ended, FG and CP content of fermented CSM substrate was assayed. The results showed that the appropriate fermentation period was 36 h, and the optimal proportion of CSM in substrate was 70%. Addition of sodium carbonate to CSM substrate was beneficial for fermentative detoxification. Heat treatment could facilitate fermentative detoxification, and supplementation with minerals was instrumental in reducing gossypol levels during mixed culture solid substrate fermentation of CSM.
느타리버섯 봉지 재배의 봉지직경 및 배지량에 따른 생육특성을 비교하여 효율적인 봉지규격을 추정하고자 미송톱밥, 비트펄프, 면실박을 부피비로 50 : 30 : 20으로 혼합한 배지로 봉지 직경 $10{\sim}20\;cm$, 배지량 $600{\sim}2,500\;g$/봉지 범위에서 시험 한 결과 봉지직경이 작을수록 배지량이 많아짐에 따라 배지길이가 길어져 배양일수가 지연되었고 이에 따라 총재배기간이 길었다. 또한 2주기까지의 수량은 같은 봉지직경에서 배지량이 클수록 증가하였고 배지량이 1,200 g/봉지보다 많으면 생물학적효율은 감소하여 100% 보다 낮았으며, 같은 배지량에서 봉지 직경에 따른 수량은 큰 차이 없으나 회수율은 봉지직경이 14 cm 보다 크면 감소하였다. 따라서 재배기간, 수량, 생물학적효율 등을 고려한 효율적인 봉지직경은 $10{\sim}14\;cm$, 배지량 $800{\sim}1,200\;g$/봉지 내외로 추정되었다.
Park, Jae-Yong;Han, Seok-Yoon;Lee, Nam-Hoon;Choi, Jeong-Og;Shin, Ho-Seon
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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pp.873-878
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2008
Doosan Mecatec has developed alignment system for Organic Light-Emitting Diode (OLED) display production using large size substrate. In the present article, The alignment system between the substrate and the mask, which is a core technology for producing the OLED product using the fourth-generation substrate with $730{\times}920mm^2$ or more, will be described by dividing into a substrate loader, a magnet unit, a CCD camera, etc. The substrate loader is optimized through the simulation where the central portion of the substrate droops by about 1.5mm by clamping each of a long side (920mm direction) and a short side (730mm direction) thereof by 6 point and 4 point. A magnet unit using a sheet type of rubber magnet is constituted and a CCD camera model with the specifications capable of minimizing the errors between a clear image and the same image is selected. The system to which an upward evaporation technique of small molecular organic materials will be applied has been developed so that repeatability and position accuracy becomes ${\pm}1{\mu}m$ or less using an UVW type of stage. Also, the vision accuracy of the CCD camera becomes ${\pm}1{\mu}m$ or less and the align process TACT becomes 30sec. or less so that the final alignment accuracy between the substrate and the mask becomes ${\pm}3{\mu}m$ or less. In order to meet an extra-large glass substrate, an evaporation system using an extra-large AMOLED substrate has been developing through a vertical type of an alignment system.
Indium tin oxide (ITO) films were prepared using radio frequency (RF) magnetron sputtering method, magnets were equipped near the target in the sputter to bring the plasma near the target. The effect of magnetic field that brings the plasma near the substrate was compared with that of substrate heating. The effect of substrate heating on the grain size of the ITO thin film was larger than that of the magnetic field. However, the grain size of the ITO thin film was larger when the magnetic field was applied near the substrate during the sputtering process than when the substrate was not heated and the magnetic field was not applied. If stronger magnetic field is applied near the substrate during sputtering, it can be expected that the ITO thin film with good electrical conductivity and high transparency is obtained at low substrate temperature. When magnetic field of 90 Gauss was applied near the substrate during sputtering, the mobility of the ITO thin film increased from 15.2 $cm^2/V.s$ to 23.3 $cm^2/V.s$, whereas the sheet resistivity decreased from 7.68 ${\Omega}{\cdot}cm$ to 5.11 ${\Omega}{\cdot}cm$.
Lots of integration work has been done in order to miniaturize the devices for communication. To do this work, one of key work is to get miniaturized inductor with high Q factor for RF circuitry. However, it is not easy to get high Q inductor with silicon based substrate in the range of GHz. Although silicon is well known for its good electrical and mechanical characteristics, silicon has many losses due to small resistivity and high permittivity in the range of high frequency. MEMS technology is a key technology to fabricate miniaturized devices and LTCC is one of good substrate materials in the range of high frequency due to its characteristics of high resistivity and low permittivity. Therefore, we proposed and studied to fabricate and analyze the inductor on the LTCC substrate with MEMS fabrication technology as the one of solutions to overcome this problem. We succeeded in fabricating and characterizing the high Q inductor on the LTCC substrate and then compared and analyzed the results of this inductor with that on a silicon and a glass substrate. The inductor on the LTCC substrate has larger Q factor value and inductance value than that on a silicon and a glass substrate. The values of Q factor with the LTCC substrate are 12 at 3 GHz, 33 at 6 GHz, 51 at 7 GHz and the values of inductance is 1.8, 1.5, 0.6 nH in the range of 5 GHz on the silicon, glass, and LTCC substrate, respectively.
Development of efficient substrate formulas to improve yield and shorten production time is one of the prerequisites for commercial cultivation of edible mushrooms. In this study, fifteen substrate formulas consisting of varying ratios of palm press fibre (PPF), mahogany sawdust (MS), Gmelina sawdust, wheat bran (WB), and fixed proportions of 1% calcium carbonate ($CaCO_3$) and 1% sucrose were assessed for efficient Lentinus squarrosulus production. Proximate compositions of mushrooms produced on the different substrate formulas were also analysed and compared. Substrate formulations containing 85% PPF, 13% WB, 1% $CaCO_3$, and 1% sucrose were found to produce the highest carpophore yield, biological efficiency and size (206.5 g/kg, 61.96%, and 7.26 g, respectively). Days to production (first harvest) tended to increase with an increase in the amount of WB in the substrate formulas, except for PPF based formulas. The addition of WB in amounts equivalent to 8~18% in substrate formulas containing 80~90% PPF resulted in a decrease in the time to first harvest by an average of 17.7 days compared to 80~90% MS with similar treatment. Nutritional content of mushrooms was affected by the different substrate formulas. Protein content was high for mushrooms produced on formulas containing PPF as the basal substrate. Thus, formulas comprising PPF, WB, $CaCO_3$, and sucrose at 85% : 13% : 1% : 1%) respectively could be explored as starter basal ingredients for efficient large scale production of L. squarrosulus.
This paper presents a novel design of a differential patch antenna for 60-GHz millimeter-wave applications. The design process of the back-to-back (BTB) patch antenna is based on the conventional single-patch antenna. The initial design of the BTB patch antenna (Type-I) has a patch size of 0.66 × 0.98 mm2 and a substrate size of 0.99 × 1.48 mm2. It has a gain of 1.83 dBi and an efficiency of 94.4% with an omni-directional radiation pattern. A 0.4 mm-thick high-resistivity silicon (HRS) is employed for the substrate of the BTB patch antenna. The proposed antenna is further analyzed to investigate the effect of substrate size and resistivity. As the substrate resistivity decreases, the gain and efficiency degrade due to the substrate loss. As the substrate (HRS) size decreases approaching the patch size, the resonant frequency increases with a higher gain and efficiency. The BTB patch antenna has optimal performances when the substrate size matches the patch size on the HRS substrate (Type-II). The antenna is redesigned to have a patch size of 0.81 × 1.18 mm2 on the HRS substrate in the same size. It has an efficiency of 94.9% and a gain of 1.97 dBi at the resonant frequency of 60 GHz with an omni-directional radiation pattern. Compared to the initial design of the BTB patch antenna (Type-I), the optimal BTB patch antenna (Type-II) has a slightly higher efficiency and gain with a considerable reduction in antenna area by 34.8%.
Takeda, K.;Fukunaga, Y.;Tsutsumi, T.;Ishikawa, K.;Kondo, H.;Sekine, M.;Hori, M.
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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pp.93-93
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2016
Large scale integrated circuits (LSIs) has been improved by the shrinkage of the circuit dimensions. The smaller chip sizes and increase in circuit density require the miniaturization of the line-width and space between metal interconnections. Therefore, an extreme precise control of the critical dimension and pattern profile is necessary to fabricate next generation nano-electronics devices. The pattern profile control of plasma etching with an accuracy of sub-nanometer must be achieved. To realize the etching process which achieves the problem, understanding of the etching mechanism and precise control of the process based on the real-time monitoring of internal plasma parameters such as etching species density, surface temperature of substrate, etc. are very important. For instance, it is known that the etched profiles of organic low dielectric (low-k) films are sensitive to the substrate temperature and density ratio of H and N atoms in the H2/N2 plasma [1]. In this study, we introduced a feedback control of actual substrate temperature and radical density ratio monitored in real time. And then the dependence of etch rates and profiles of organic films have been evaluated based on the substrate temperatures. In this study, organic low-k films were etched by a dual frequency capacitively coupled plasma employing the mixture of H2/N2 gases. A 100-MHz power was supplied to an upper electrode for plasma generation. The Si substrate was electrostatically chucked to a lower electrode biased by supplying a 2-MHz power. To investigate the effects of H and N radical on the etching profile of organic low-k films, absolute H and N atom densities were measured by vacuum ultraviolet absorption spectroscopy [2]. Moreover, using the optical fiber-type low-coherence interferometer [3], substrate temperature has been measured in real time during etching process. From the measurement results, the temperature raised rapidly just after plasma ignition and was gradually saturated. The temporal change of substrate temperature is a crucial issue to control of surface reactions of reactive species. Therefore, by the intervals of on-off of the plasma discharge, the substrate temperature was maintained within ${\pm}1.5^{\circ}C$ from the set value. As a result, the temperatures were kept within $3^{\circ}C$ during the etching process. Then, we etched organic films with line-and-space pattern using this system. The cross-sections of the organic films etched for 50 s with the substrate temperatures at $20^{\circ}C$ and $100^{\circ}C$ were observed by SEM. From the results, they were different in the sidewall profile. It suggests that the reactions on the sidewalls changed according to the substrate temperature. The precise substrate temperature control method with real-time temperature monitoring and intermittent plasma generation was suggested to contribute on realization of fine pattern etching.
본 실험은 토마토 플러그묘의 접목활착율과 묘소질 향상을 위한 적정 상토 내 수분함량을 구명하기 위하여 수행되었다. 시험구는 접수와 대목의 상토내 수분함량을 각각 3처리구(고, 중 저)씩, 총 9개의 조합을 설계하여 각 처리구별로 접목활착율과 묘의 생육을 조사하였다. 접수의 상토내 수분 함량의 차이는 접목 활착율에 통계적 유의차는 나타나지 않았으나, 대목의 수분함량은 접목활착율에 영향을 미쳐 수분함량이 낮아질수록 활착율도 저하하는 경향을 보였다. 수분 함량에 따른 묘소질도 접목활착율과 유사한 경향을 보여 접수의 수분함량차이는 생육지표에 큰 영향을 미치지 않았으나, 대목에서는 잎(엽수, 엽장, 엽폭)을 제외한 초장, SPAD함량, 경경은 수분함량의 차이에 따라 유의적 차이를 나타냈다. 묘의 충실도는 상토내 수분 함량이 접수는 중간, 대목은 높은 조합에서 가장 좋게 나타났다. 근권부의 생육에서도 대목의 수분함량이 주로 영향을 미쳐, 수분함량이 저하될수록 전 뿌리 표면적, 전 근장, root tip수 모두가 감소되는 것으로 나타났다.
(Ba,Sr)$TiO_3$[BST] thin films were fabricated on Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrate by RF sputtering. We investigated the effects of substrate temperature on the structural and dielectric properties of BST thin films. Increasing the substrate temperature, barium multi titanate phases were decreased, and BST (100), (200) peaks were increased. The relative dielectric constant and dielectric loss of the BST thin films at the substrate temperature of $500^{\circ}C$ were 300 and 0.018, respectively at l[kHz]. In all films, the dielectric constants decreased. Dielectric losses increased as increasing the frequency. The switching voltage was 5V of the BST thin films at the substrate temperature of $500^{\circ}C$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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