• 제목/요약/키워드: sub-threshold

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OFDM 시스템에서 Adaptive Subcarrier Assignment 기법을 통한 간섭 경감에 관한 연구 (A study on the Adaptive Subcarrier Assignment techniques for interference suppression in OFDM System)

  • 조성구;박용완;최정희;이동학;정원석
    • 한국통신학회논문지
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    • 제29권8A호
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    • pp.889-897
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    • 2004
  • 본 논문에서는 OFDM 방식의 무선통신 시스템에서 동존/이종 혹은 기타 재밍에 의한 통신 성능의 열화 시 간섭을 받은 부반송파를 추정하여, 간섭이 없는 부 반송파만 전송함으로써 어떠한 간섭 상황에서도 정상적인 통신이 가능토록 하는 기법을 제안한다. 제안된 Adaptive Sub-carrier Assignment(ASA) 기법은 수신 단에서 FFT를 거친 각 부 반송파의 수신 전력 값을 추정하여, AWGN환경에서 원 신호의 평균 전력치 값인 문턱값(threshold) 보다 큰 부 반송파는 강한 간섭을 받은 부분으로 송신 단에서 신호전송 시 제외하고, 간섭에 영향을 받지 않은 주파수대역에 대해서만 부반송파에 정보를 보내는 방식으로, 기존의 무선 통신시스템의 물리계층 구조의 변경이 없이 강한 간섭 신호 하에서도 통신을 할 수 있는 시스템 구조를 제공한다. 제안된 ASA방식을 사용하여 OFDM 시스템에서 시뮬레이션을 통해 간섭 신호의 주파수 대역 및 간섭 전력 값에 따른 부 반송파의 간섭 정보를 추정하고, 성능을 분석한다.

SWAT과 SATEEC 모형을 이용한 토양유실량 비교 (Comparison of Soil Loss Estimation using SWAT and SATEEC)

  • 박윤식;김종건;허성구;김남원;임경재
    • 한국수자원학회:학술대회논문집
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    • 한국수자원학회 2008년도 학술발표회 논문집
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    • pp.1295-1299
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    • 2008
  • Soil erosion is a natural process and has been occurring in most areas in the watershed. However, accelerated soil erosion rates have been causing numerous environmental impacts in recent years. To reduce soil erosion and sediment inflow into the water bodies, site-specific soil erosion best management practices (BMPs) need to be established and implemented. The most commonly used soil erosion model is the Universal Soil Loss Equation (USLE), which have been used in many countries over 30 years. The Sediment Assessment Tool for Effective Erosion Control (SATEEC) ArcView GIS system has been developed and enhanced to estimate the soil erosion and sediment yield from the watershed using the USLE input data. In the last decade, the Soil and Water Assessment Tool (SWAT) model also has been widely used to estimate soil erosion and sediment yield at a watershed scale. The SATEEC system estimates the LS factor using the equation suggested by Moore and Burch, while the SWAT model estimates the LS factor based on the relationship between sub watershed average slope and slope length. Thus the SATEEC and SWAT estimated soil erosion values were compared in this study. The differences in LS factor estimation methods in the SATEEC and SWAT caused significant difference in estimated soil erosion. In this study, the difference was -51.9%(default threshold)$\sim$-54.5%(min. threshold) between SATEEC and non-patched SWAT, and -7.8%(default threshold)$\sim$+3.8%(min. threshold) between SATEEC and patched SWAT estimated soil erosion.

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SWAT과 SATEEC 모형을 이용한 토양유실량 비교 (Comparison of Soil Loss Estimation using SWAT and SATEEC)

  • 박윤식;김종건;허성구;김남원;안재훈;박준호;김기성;임경재
    • 한국농공학회논문집
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    • 제50권1호
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    • pp.3-12
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    • 2008
  • Soil erosion is a natural process and has been occurring in most areas in the watershed. However, accelerated soil erosion rates have been causing numerous environmental impacts in recent years. To reduce soil erosion and sediment inflow into the water bodies, site-specific soil erosion best management practices(BMPs) need to be established and implemented. The most commonly used soil erosion model is the Universal Soil Loss Equation(USLE), which have been used in many countries over 30 years. The Sediment Assessment Tool for Effective Erosion Control(SATEEC) ArcView GIS system has been developed and enhanced to estimate the soil erosion and sediment yield trom the watershed using the USLE input data. In the last decade, the Soil and Water Assessment Tool(SWAT) model also has been widely used to estimate soil erosion and sediment yield at a watershed scale. The SATEEC system estimates the LS factor using the equation suggested by Moore and Burch, while the SWAT model estimates the LS factor based on the relationship between sub watershed average slope and slope length. Thus the SATEEC and SWAT estimated soil erosion values were compared in this study. The differences in LS factor estimation methods in the SATEEC and SWAT caused significant difference in estimated soil erosion. In this study, the difference was -51.9%(default threshold)${\sim}-54.5%$(min. threshold) between SATEEC and non-patched SWAT, and -7.8%(default threshold)${\sim}+3.8%$(min. threshold) between SATEEC and patched SWAT estimated soil erosion.

판별 함수를 이용한 문턱치 선정에 의한 약분류기 개선 (Improving Weak Classifiers by Using Discriminant Function in Selecting Threshold Values)

  • 샴 아디카리;유현중;김형석
    • 한국콘텐츠학회논문지
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    • 제10권12호
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    • pp.84-90
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    • 2010
  • Viola와 Jones가 사용한 Haar-like 특징 기반 약분류기의 분별력을 개선하기 위하여, 2차 판별식에 기반한 판정 경계(decision boundary) 결정 방법을 제안한다. Viola와 Jones가 부스팅된 약분류기 앙상블을 사용해서 강분류기를 만들 때 사용한 단일 판정 경계 기반 약분류기는 특징 공간을 지나치게 단순하게 해석한 산물이어서 대부분의 경우 최적이 아니며, 객체 클래스와 배경 클래스 간을 효율적으로 분별하기에 흔히 너무 약하다. 이 논문에서 제안하는 2차 판별식 분석에 기반한 방법은 객체 클래스와 배경 클래스 사이에 다중 판정 경계를 사용하는 약분류기를 만들어준다. 1000개의 positive 샘플과 3000개의 negative 샘플을 훈련에 사용하고, 500개의 positive와 500개의 negative를 테스트에 사용한 차량 검출 실험을 통해서, 기존의 단일 문턱치 기반 약분류기 방식에 비해, 제안 기법이 더 적은 수의 분류기를 사용하면서도 더 우수한 분류 성능을 제공하는 것을 확인하였다.

BCAT구조 DRAM의 패싱 워드 라인 유도 누설전류 분석 (Analysis of Passing Word Line Induced Leakage of BCAT Structure in DRAM)

  • 김수연;김동영;박제원;김신욱;임채혁;김소원;서현아;이주원;이혜린;윤정현;이영우;조형진;이명진
    • 전기전자학회논문지
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    • 제27권4호
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    • pp.644-649
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    • 2023
  • DRAM(Dynamic Random Access Memory) 스케일링 과정에서 발생하는 셀간 거리의 감소에 따라 STI(Shallow Trench Isolation)두께 감소는 문턱이하 누설이 증가되는 패싱워드라인 효과를 유발한다. 인접한 패싱워드라인에 인가된 전압으로 인한 문턱이하누설 전류의 증가는 데이터 보존시간에 영향을 주며, 리프레시의 동작 횟수가 증가되어 DRAM의 소비 전력을 증가시키는 요인이 된다. 본 논문에서는 TCAD Simulation을 통해 패싱워드라인 효과에 대한 원인을 확인한다. 결과적으로, 패싱워드라인 효과가 발생하는 DRAM 동작상황을 확인하고, 이때 패싱워드라인 효과로 인해 전체 누설전류의 원인에 따른 비중이 달라지는 것을 확인하였다. 이를 통해, GIDL(Gate Induced Drain Leakage)에 의한 누설전류뿐만 아니라 문턱이하 누설전류를 고려의 필요성을 확인하며 이에 따른 DRAM 구조의 개선 방향의 지침이 될 수 있다.

이종접합 Gate 구조를 갖는 수평형 NiO/Ga2O3 FET의 전기적 특성 연구 (Electrical Characterization of Lateral NiO/Ga2O3 FETs with Heterojunction Gate Structure)

  • 이건희;문수영;이형진;신명철;김예진;전가연;오종민;신원호;김민경;박철환;구상모
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제36권4호
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    • pp.413-417
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    • 2023
  • Gallium Oxide (Ga2O3) is preferred as a material for next generation power semiconductors. The Ga2O3 should solve the disadvantages of low thermal resistance characteristics and difficulty in forming an inversion layer through p-type ion implantation. However, Ga2O3 is difficult to inject p-type ions, so it is being studied in a heterojunction structure using p-type oxides, such as NiO, SnO, and Cu2O. Research the lateral-type FET structure of NiO/Ga2O3 heterojunction under the Gate contact using the Sentaurus TCAD simulation. At this time, the VG-ID and VD-ID curves were identified by the thickness of the Epi-region (channel) and the doping concentration of NiO of 1×1017 to 1×1019 cm-3. The increase in Epi region thickness has a lower threshold voltage from -4.4 V to -9.3 V at ID = 1×10-8 mA/mm, as current does not flow only when the depletion of the PN junction extends to the Epi/Sub interface. As an increase of NiO doping concentration, increases the depletion area in Ga2O3 region and a high electric field distribution on PN junction, and thus the breakdown voltage increases from 512 V to 636 V at ID =1×10-3 A/mm.

국내 갯벌머드 해양치유자원의 특성 및 기준에 관한 연구 (Characteristics and Standards of Domestic Tidal Flat Mud Marine Healing Resources)

  • 박선영;강정원;정용기;조연제
    • 한국습지학회지
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    • 제25권4호
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    • pp.386-393
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    • 2023
  • 최근 들어서 국내의 해양치유산업 활성화를 위한 해양치유자원의 효능·효과에 관한 연구개발이 진행 중에 있다. 본 연구는 해양치유자원으로서 잘 알려진 머드 물질에 대한 효능성분 분석을 통해 활용·관리 기준을 제시하였다. 머드물질 시료는 국내 갯벌에서 채취되었으며, 모래질, 실트질 및 점토질 함량은 각각 평균 7.87%, 74.95% 및 17.17%로 머드(실트+점토)의 평균 함량이 90% 이상이었다. 효능성분은 SiO2(68.4%)성분이 가장 높으며, 다음으로 Al2O3(13.3%)>Fe2O3(4.0%)>K2O(2.9%)>Na2O(2.3%)>MgO(1.6%)>CaO(1.0%)>TiO2(0.7%) 순으로 평균함량이 높았다. 효능성분 분석을 바탕으로 기능성을 나타내는 성분(기능 성분)을 Si, Al, Fe, K, Na, Mg, Ca를 선정하였으며, 또한 품질관리를 목적으로 정하는 성분(지표 성분)은 효능을 가진 성분 중 함량이 높은 K, Mg, Ca로 결정하였다. 결과적으로 기존 문헌을 참고하여 국내 갯벌머드자원이 해양치유자원으로서 활용·관리되기 위해서는 원재료의 머드함량이 70.0% 이상 그리고 지표 성분인 K2O+MgO+CaO의 합이 5.0% 이상을 기준으로 제시하였다.

Application of Mechanochemical Processing for Preparation of Si3N4-based Powder Mixtures

  • Sopicka-Lizer, Malgorzata;Pawlik, Tomasz
    • 한국세라믹학회지
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    • 제49권4호
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    • pp.337-341
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    • 2012
  • Mechanochemical processing (MCP) involves several high-energy collisions of powder particles with the milling media and results in the increased reactivity/sinterability of powder. The present paper shows results of mechanochemical processing (MCP) of silicon nitride powder mixture with the relevant sintering additives. The effects of MCP were studied by structural changes of powder particles themselves as well as by the resulting sintering/densification ability. It has been found that MCP significantly enhances reactivity and sinterability of the resultant material: silicon nitride ceramics could be pressureless sintered at $1500^{\circ}C$. Nevertheless, a degree of a silicon nitride crystal lattice and powder particle destruction (amorphization) as detected by XRD studies, is limited by the specific threshold. If that value is crossed then particle's surface damage effects are prevailing thus severe evaporation overdominates mass transport at elevated temperature. It is discussed that the cross-solid interaction between particles of various chemical composition, triggered by many different factors during mechanochemical processing, including a short-range diffusion in silicon nitride particles after collisions with other types of particles plays more important role in enhanced reactivity of tested compositions than amorphization of the crystal lattice itself. Controlled deagglomeration of $Si_3N_4$ particles during the course of high-energy milling was also considered.

수 원자층 두께의 MoS2 채널을 가진 전계효과 트랜지스터의 게이트 전압 스트레스에 의한 I-V 특성 변화 (The Change of I-V Characteristics by Gate Voltage Stress on Few Atomic Layered MoS2 Field Effect Transistors)

  • 이형규;이기성
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제31권3호
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    • pp.135-140
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    • 2018
  • Atomically thin $MoS_2$ single crystals have a two-dimensional structure and exhibit semiconductor properties, and have therefore recently been utilized in electronic devices and circuits. In this study, we have fabricated a field effect transistor (FET), using a CVD-grown, 3 nm-thin, $MoS_2$ single-crystal as a transistor channel after transfer onto a $SiO_2/Si$ substrate. The $MoS_2$ FETs displayed n-channel characteristics with an electron mobility of $0.05cm^2/V-sec$, and a current on/off ratio of $I_{ON}/I_{OFF}{\simeq}5{\times}10^4$. Application of bottom-gate voltage stresses, however, increased the interface charges on $MoS_2/SiO_2$, incurred the threshold voltage change, and degraded the device performance in further measurements. Exposure of the channel to UV radiation further degraded the device properties.

기계적 합금화법을 이용한 전이금속 도핑에 따른 TiO2분말의 광촉매 특성 (Photocatalytic Behaviors of Transition Metal Ions Doped TiO2 Synthesized by Mechanical Alloying)

  • 우승희;김흥회;김선재;이창규
    • 한국분말재료학회지
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    • 제12권4호
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    • pp.266-272
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    • 2005
  • Transition metal ions($Ni^{2+}$, $Cr^{3+}$ and $V^{5+}$) doped $TiO_2$ nanostructured powders were synthesized by mechanical alloying(MA) to shift the adsorption threshold into the visible light region. The synthesized powders were characterized by XRD, SEM, TEM and BET for structural analysis, UV-Vis and photoluminescence spectrum for the optical study. Also, photocatalytic abilities were evaluated by decomposition of 4-chlorophenol(4CP) under ultraviolet and visible light irradiations. Optical studies showed that the absorption wavelength of transition metal ions doped $TiO_2$ powders moved to visible light range, which was believed to be induced by the energy level change due to the doping. Among the prepared $TiO_2$ powders, $NiO^{2+}$ doped $TiO_2$ powders, showed excellent photooxidative ability in 4CP decomposition.