• 한국정보전자통신기술학회논문지
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• 제16권4호
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• pp.173-179
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• 2023

본 논문에서는 4세대 VNAND 공정으로 만들어진 Peri 소자의 스트레스 영역 별 time-dependent dielectric breakdown(TDDB) 열화 메커니즘을 분석하고, 기존의 수명 예측 모델보다 더 넓은 신뢰성 평가 영역에서 신속성과 정확성을 향상시킬 수 있는 수명 예측 보완 모델을 제시하였다. SiON 절연층 nMOSFET에서 5개의 Vstr 조건에 대해 각 10번의 constant voltage stress(CVS) 측정 후, stress-induced leakage current(SILC) 분석을 통해 저전계 영역에서의 전계 기반 열화 메커니즘과 고전계 영역에서의 전류 기반 열화 메커니즘이 주요함을 확인하였다. 이후 Weibull 분포로부터 time-to-failure(TF)를 추출하여 기존의 E-모델과 1/E-모델의 수명 예측 한계점을 확인하였고, 각 모델의 결합 분리 열화 상수(k)를 추출 및 결합하여 전계 및 전류 기반의 열화 메커니즘을 모두 포함하는 병렬식 상호보완 모델을 제시하였다. 최종적으로 실측한 TDDB 데이터의 수명을 예측할 시, 기존의 E-모델과 1/E-모델에 비해 넓은 전계 영역에서 각 메커니즘을 모두 반영하여 높은 스트레스에서 신속한 신뢰성 평가로 더 정확한 수명을 예측할 수 있음을 확인하였다.

• 융합신호처리학회논문지
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• 제3권3호
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• pp.70-75
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• 2002

본 논문은 새로운 단일 전력단 역률보상 풀 브리지 컨버터를 제안하였다. 제안된 컨버터는 역률보상을 위하여 앞단에 2개의 인덕터, 2개의 다이오드, 2개의 자성결합 변압기를 가진 2VS 풀브리지 DC/DC 컨버터로 구성되어 있다. 이러한 구성방법에 의해 전력은 전원에서 분리되고, 안정된 직류출력전압을 얻을 수 있다. 이 토폴로지에서 주소자의 전압스트레스는 영전압스위칭에 의해서 감소되며, 또한 제안된 컨버터는 능동 역률보정 스위치와 제어 및 게이팅 보드와 같은 보조회로가 필요치 않게되어 규격과 단가를 낮출 수 있을 뿐 아니라 효율을 증가시킬 수 있다.

• 한국시뮬레이션학회논문지
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• 제22권4호
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• pp.93-98
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• 2013

본 논문에서는, 초고집적과 초고내압 MOSFET를 위한 높은 임계전압에서 제안한 구조의 얕은 트랜치 접합 격리 구조에 대한 시뮬레이션 하였다. 열전자 스트레스와 열 손상의 유전 강화 전계의 물리적 기본 모델들은 주위 온도와 스트레스 바이어스의 넓은 범위에 걸친 집적화된 소자들에 있어서 분석하는 전기적의 목표인 TCAD 툴을 이용하였다. 시뮬레이션 결과, 얕은 트랜치 접합 격리 구조가 수동적인 전기적 기능 일지라도, 소자의 크기가 감소됨에 따라서, 초대규모 집적회로 공정의 응용에서 제안된 얕은 트랜치 격리 구조가 전기적 특성에서 전위차, 전계와 포화 임계 전압이 높게 나타났다.

• 한국안전학회지
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• 제28권5호
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• pp.15-20
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• 2013

This paper dealt with melting characteristics of low-voltage miniature cartridge fuse used for 220 V electronic equipment. The experimental sample is low-voltage miniature cartridge fuse with rating of 250 V(3A) and size of $5{\times}20$ mm. In order to evaluate melting and scattering characteristics of the fuse, we applied to 8/20 ${\mu}s$ surge current, overload current and external thermal stress such as flame of fire. From the experimental results, the fuse element was melted and scattered by applied surge current(above 0.79 kA) and overload current(above 4.5 A). It was also attached to the inner surface of the fuse tube. The fuse element was attached as a thin film on inner surface of fuse tube when large surge current was applied. It was confirmed, however, the fuse element was not changed by external thermal stress such as flame and hot-air.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제23권10호
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• pp.21-28
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• 2009

전력용 커패시터는 유도성 부하의 갖은 역율을 보상하기 위해 사용되지만, 전력변환장치 등에 의해 발생하는 고조파를 저감하기 위해 리액터와 함께 사용하기도 한다. 전기품질은 대부분이 전압품질에 관련된 것으로서 부하의 안정적인 동작에 매우 중요하지만, 순간적인 전압강하 또는 순간 전압 융기 발생시와 같이 전압의 크기가 일시적으로 변할 경우 커패시터에 전기적인 스트레스로 작용할 수 있다. 본 연구에서는 순간적인 전압강하 및 순간 전압 융기 발생시 커패시터에서의 전압, 전류 및 용량의 변화를 해석하였으며, 커패시터에 리액터를 설치할 경우 순간적인 전압 강하시는 문제가 되지 않지만, 순간 전압 융기 발생 영역에서는 커패시터에 상당한 스트레스를 줄 수 있다는 것을 확인할 수 있었다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2012년도 추계학술대회 논문집
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• pp.88-90
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• 2012

A study on an integrated single stage AC/DC converter is presented in this paper. The input current can be controlled by the auxiliary winding($L_{aux}$), auxiliary primary winding($N_3$), and the boost inductor($L_B$) which are designed to operate in discontinuous conduction mode(DCM) to reduced the total harmonic distortion(THD) of input current. The auxiliary primary winding($N_3$) is critically selected in order to compress the input capacitor voltage($V_{in}$) as well as to reduce the current stress of the switch(Q). Low total harmonic distortion(THD), low input voltage($V_{in}$) in universal input voltage($V_{AC}$), low current stress at the switching device and high efficiency are the main consideration keys in this design to achieve high performance system with low cost of single stage AC/DC converter. A 30W single stage AC/DC prototype converter is under study.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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• pp.1701-1703
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• 2006

Here we describe a novel driving scheme in the form of negative AC bias stress (NAC) to compensate shift in the threshold voltage for hydrogenated amorphous silicon (${\alpha}$-Si:H) thin film transistor (TFT) for AMOLED applications. This scheme preserves the threshold voltage shift of ${\alpha}$-Si:H TFT for infinitely long duration of time(>30,000 hours) and thereby overall performance, without using any additional TFTs for compensation. We briefly describe about the possible driving schemes in order to implement for real time AMOLED applications. We attribute most of the results based on concept of plugging holes and electrons across the interface of the gate insulator in a controlled manner.

• 한국세라믹학회지
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• 제43권6호
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• pp.383-388
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• 2006

The varistor properties and DC accelerated aging characteristics of $ZnO-Pr_{6}O_{11}-CoO-Cr_{2}O_{3}$-based varistors were investigated at different $La_{2}O_3$ contents in the range of $0{\sim}2.0mol%$. The varistors doped with 0.5 mol% $La_{2}O_3$ exhibited good nonlinearity, with 81.6 in nonlinear coefficient. Increasing the $La_{2}O_3$ content further to 2.0 mol% caused the sintered density to increase, and the breakdown voltage and nonlinearity to decrease abruptly. The varistors with 0.5 mol% $La_{2}O_3$ exhibited the high electrical stability, with -1.14% in variation rate of breakdown voltage, -3.7% in variation rate of nonlinear coefficient, and +100% in variation rate of leakage current for specified DC accelerated aging stress condition (95% of breakdown voltage/$150^{\circ}C$/24 h).

• 한국생산제조학회지
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• 제24권6호
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• pp.653-659
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• 2015

The aim of this study is to develop a technique for the accelerated life test of the capacitor in a propulsion control device of a traction inverter used for a high-speed train. Using this technique, the accelerated life test can possibly estimate the life cycle of a capacitor under various temperature conditions and irregularly applied voltage. The accelerated life test is conducted for the capacitor of the traction inverter. The common proceedings of this test are selection of failure mechanism, determination of accelerated stress, range determination of the accelerated stress, determination of the test condition, and distribution and determination of the sample. From this result, the continuous applied voltage was not considered for the acceleration factors anymore. Therefore, the final result having an acceleration factor of 9.4 (= 13,626/1,445) was observed. Furthermore, the life-shortening acceleration effect for the irregular applied voltage condition can be applied to various situations.

• Journal of Power Electronics
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• 제16권6호
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• pp.2258-2271
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• 2016

In this paper, some crucial performance characteristics related to the operational reliability of the post-fault Pulse Width Modulated (PWM) rectifiers, such as line current harmonic distortion, Common Mode Voltage (CMV), and current stress on the capacitors, are fully investigated. The aforementioned performance characteristics of post-fault rectifiers are highly dependent on the utilized space vector modulation (SVM) schemes, which are also examined. Detailed analyses of the three most commonly used SVM schemes for post-fault PWM rectifiers are provided, revealing the major differences in terms of the zero vector synthesis approaches. To compare the performances of the three SVM schemes, the operating principles of a post-fault rectifier are presented with various SVM schemes. Using analytical and numerical methods in the time domain, the performances of the line current distortion, common mode voltage and capacitor current are evaluated and compared for each SVM scheme. The proposed analysis demonstrates that the zero vector synthesis approaches of the considered methods have significant impacts on the performance characteristics of rectifiers. In addition, the advantages and disadvantages of the proposed SVM schemes are discussed. The experimental results verify the effectiveness and validity of the proposed analysis.