Kim, Dong-Woo;Kim, Hyoung-Jin;Lee, Young-Uk;Hong, Mun-Pyo
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.470-470
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2012
Organic thin film transistors (OTFTs) backplane constitute the active elements in new generations of plastic electronic devices for flexible display. The overall OTFTs performance is largely depended on the properties and quality of each layers of device material. In solution based process of organic semiconductors (OSCs), the interface state is most impediments to preferable performance. Generally, a threshold voltage (Vth) shift is usually exhibited when organic gate insulators (OGIs) are exposed in an ambient air condition. This phenomenon was caused by the absorbed polar components (i.e. oxygen and moisture) on the interface between OGIs and Soluble OSCs during the jetting process. For eliminating the polar component at the interface of OGI, the role of high vacuum seasoning on an OGI for all solution processable OTFTs were studied. Poly 4-vinly phenols (PVPs) were the material chosen as the organic gate dielectric, with a weakness in ambient air. The high vacuum seasoning of PVP's surface showed improved performance from non-seasoning TFT; a $V_{th}$, a ${\mu}_{fe}$ and a interface charge trap density from -8V, $0.018cm^2V^{-1}s^{-1}$, $1.12{\times}10^{-12}(cm^2eV)^{-1}$ to -4.02 V, $0.021cm^2V^{-1}s^{-1}$, $6.62{\times}10^{-11}(cm^2eV)^{-1}$. These results of OTFT device show that polar components were well eliminated by the high vacuum seasoning processes.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1999.05a
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pp.469-472
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1999
CeO$_2$ thin films have used in wide applications such as SOI, buffer layer, antirflection coating, and gate dielectric layer. CeO$_2$takes one of the cubic system of fluorite structure and shows similar lattice constant (a=0.541nm) to silicon (a=0.543nm). We investigated CeO$_2$films as buffer layer material for nonvolatile memory device application of a single transistor. Aiming at the single transistor FRAM device with a gate region configuration of PZT/CeO$_2$ /P-Si , this paper focused on CeO$_2$-Si interface properties. CeO$_2$ films were grown on P-type Si(100) substrates by 13.56MHz RF magnetron sputtering system using a 2 inch Ce metal target. To characterize the CeO$_2$ films, we employed an XRD, AFM, C-V, and I-V for structural, surface morphological, and electrical property investigations, respectively. This paper demonstrates the best lattice mismatch as low as 0.2 % and average surface roughness down to 6.8 $\AA$. MIS structure of CeO$_2$ shows that breakdown electric field of 1.2 MV/cm, dielectric constant around 13.6 at growth temperature of 200 $^{\circ}C$, and interface state densities as low as 1.84$\times$10$^{11}$ cm $^{-1}$ eV$^{-1}$ . We probes the material properties of CeO$_2$ films for a buffer layer of FRAM applications.
Ultraviolet spectrophotometric investigation has been carried out on the system of charge-transfer(CT) complex with iodine and tetramethyltin in n-hexane and acetone. From these results, the transient CT absorption spectrum can be observed and the subsequent disappearance of CT absorption spectrum is accompained by the cleavage of tetramethyltin with iodine (iododestannylation). Therefore, the rate constants for the iododestannylation were determined at 10, 25 and 35$^{\circ}C$ up to 1600 bar and the rates of reaction were increased with increasing temperature and pressure. From these rate constants, the values of the activation parameters (${\Delta}V^{\neq}$, ${\Delta}{\beta}^{\neq}$, ${\Delta}H^{\neq}$ and ${\Delta}S^{\neq}$) were obtained and discussed in terms of solvent structure variation of transition state and mechanism from these values. It could postulated that the reaction is followed with S$_F$2 mechanism and weakened S$_F$2 mechanism nature by increasing pressure.
Journal of the Institute of Convergence Signal Processing
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v.23
no.4
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pp.209-215
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2022
The International Maritime Organization, which is in charge of the international maritime environment and ship safety, has rapidly promoted cyber systems for international dimension agreement and efficiency improvement and improved nautical efficiency. Nevertheless, maritime cyber system attacks still occur every year, and in particular, the number of international maritime cyber security incidents in 2021 appeared to increase sharply compared to 2020. This paper discusses the areas that should be taken into account in order to reduce the increasing sophistication of maritime cyber security. To this end, we will look at typical cases of cyber attacks that have increased sharply in 2021 and analyze the causes of the continuous occurrence of maritime cyber security incidents. In addition, we present several cyber system proposals regarding the current state of maritime cyber systems and the solutions to the problems they face, as well as the matters to be addressed for future maritime cyber systems that will be advanced.
Journal of the Korean Institute of Intelligent Systems
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v.23
no.3
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pp.214-219
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2013
This paper proposes the robust high-gain observer based SOC estimatro for uncertain RC model of Li-Ion batteries. In general, RC battery model has inevitable uncertainties and it cause some negative effect to estimate the accurate SOC of Li-Ion batteries. The proposed estimator overcomes such weakness with two techniques; high-gain observer design technique and sliding mode control technique. A high-gain observer provides the robustness against model uncertainties to the proposed estimator. A sliding mode control technique helps the proposed estimator by reducing the side effect of adopting a high-gain observer such as peaking phenomenon and perturbation. The performance of the proposed estimator is verified by some simulation.
This study intends to suggest basic data for the activation of rural activities in dietary life education, through a survey of adolescents on rural activities in dietary life education. It was found that 63.2% of subject students had the experience of rural activities; and that as many as 35.2% among the students who experienced rural activities participated in the activities 5 times or more. And the survey showed that rural activities were led most frequently by a teacher in charge (37.9%), and rather rarely by a nutrition teacher (15.4%) or an expert in dietary life education (7.7%). As for food ingredients that adolescents experienced during rural activities, they were composed of easily available good cookers that are common in the Korean diet, and, among them, vegetables were experienced most, followed by cereals and fruits. On the other hand, as for food ingredients preferred by adolescents, it was found that boy students preferred meat, while girl students preferred fruits. And as for improvements in dietary life, it was found that making efforts to have good dietary habits had the highest score, which shows that rural activities contributed to the improvement in adolescents' dietary life. Therefore, given the fact that rural activities go some way towards improving adolescents' dietary life, it is advisable that more opportunities for experiencing rural activities be provided to adolescents in the future so as to help them have good dietary habits.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.07a
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pp.45-49
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2001
We have investigated physical and electrical properties of the Hf $O_2$/HfS $i_{x}$/ $O_{y}$ thin film for alternative gate dielectrics in the metal-oxide-semiconductor device. The oxidation of Hf deposited directly on the Si substrate results in the H $f_{x}$/ $O_{y}$ interfacial layer and the high-k Hf $O_2$film simultaneously. Interestingly, the post-oxidation N2 annealing of the H102/H1Si70y thin films reduces(increases) the thickness of an amorphous HfS $i_{x}$/ $O_{y}$ layer(Hf $O_2$ layer). This phenomenon causes the increase of the effective dielectric constant, while maintaining the excellent interfacial properties. The hysteresis window in C-V curves and the midgap interface state density( $D_{itm}$) of Hf $O_2$/HfS $i_{x}$/ $O_{y}$ thin films less than 10 mV and ~3$\times$10$^{11}$ c $m^{-2}$ -eV without post-metallization annealing, respectively. The leakage current was also low (1$\times$10-s A/c $m^2$ at $V_{g}$ = +2 V). It is believed that these excellent results were obtained due to existence of the amorphous HfS $i_{x}$/ $O_{y}$ buffer layer. We also investigated the charge trapping characteristics using Fowler-Nordheim electron injection: We found that the degradation of Hf $O_2$/HfS $i_{x}$/ $O_{y}$ gate oxides is more severe when electrons were injected from the gate electrode.e electrode.e.e electrode.e.
The surfaces of $TiO_2$ and ZnO nanoparticles have been modified by gold (Au) nanoparticles by a reduction method in solution. Their interfacial electronic structures and optical absorptions have been studied by depth-profiling X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and UV-vis absorption spectroscopy, respectively. Upon Au-modification, UV-vis absorption spectra reveal a broad surface plasmon peak at around 500 nm. For the as-prepared Au-modified $TiO_2$ and ZnO, the Au $4f_{7/2}$ XPS peaks exhibit at 83.7 and 83.9 eV, respectively. These are due to a charge transfer effect from the metal oxide support to the Au. For $TiO_2$, the larger binding energy shift from that (84.0 eV) of bulk Au could indicate that Au-modification site of $TiO_2$ is different from that of ZnO. On the basis of the XPS data with sputtering depth, we conclude that cationic (1+ and 3+) Au species, plausibly $Au(OH)_x$ (x = 1-3), commonly form mainly at the Au-$TiO_2$ and Au-ZnO interfaces. With $Ar^+$ ion sputtering, the oxidation state of Ti dramatically changes from 4+ to 3+ and 2+ while that (2+) of Zn shows no discernible change based on the binding energy position and the full-width at half maximum (FWHM).
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.24
no.11
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pp.870-875
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2011
The $(Na_{0.52}K_{0.44})(Nb_{0.9}Sb_{0.06})O_3-0.04dLiTaO_3$ (NKNS-LT) ceramics with various $Cu_2O$ concentration were prepared by the conventional solid state reaction method. The $Cu_2O$ content was varied in the range of 0.1~0.4 wt%. The effects of Cu on microstructure, crystallographic phase transition, and piezoelectric properties were investigated. The material with perovskite structure had a tetragonal phase (T1) when $Cu_2O$ concentration was less than 0.3 wt% and it transformed to another tetragonal phase (T2) when the $Cu_2O$ amount was greater than 0.3 wt%. The phase boundary between T1 and T2 phases appeared at around 0.3 wt% of $Cu_2O$ concentration. The piezoelectric properties were shown the maximum values at the composition of the phase boundary. The electro-mechanical coupling factor ($k_p$) was 0.42 and the piezoelectric charge constant ($d_{33}$) was 245 pC/N at the 0.3 wt% of $Cu_2O$ concentration.
The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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v.17
no.5
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pp.199-208
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2017
Lithium polymer batteries are used in energy storage systems (ESS), electric vehicles (EVs), etc. due to their high safety, fast charging and long lifecycle, and now they are used in agricultural drones. However, when overcharging and overdischarging, the lithium-polymer battery is destroyed in the gap structure in the lithium-ion battery and the battery life is reduced. In order to prevent overcharge and overdischarge, uneven cell voltage Cell balancing system is needed. In this paper, a fuzzy controller suitable for nonlinear systems is proposed by detecting the unbalanced cells by detecting the voltage difference between charging and discharging of each cell, and suggesting the applied cell balancing algorithm. In this paper, we have designed the cell balancing of the battery pack of agricultural drones by fuzzy control and it is designed for equal control between cells. As a final result, we checked whether cell balancing is good, and when there are two cells, Cell balancing was confirmed. We tested whether it could be used for other products. As a result, we confirmed that cell balancing is good regardless of the number of cells used.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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