A wide dynamic range (WDR) CMOS image sensor (CIS) was developed with a specialized readout architecture for realizing high-sensitivity (HS) and low-sensitivity (LS) reading modes. The proposed pixel is basically a three-transistor (3T) active pixel sensor (APS) structure with an additional transistor. In the developed WDR CIS, only one mode between the HS mode for relatively weak light intensity and the LS mode for the strong light intensity is activated by an external controlling signal, and then the selected signal is read through each column-parallel readout circuit. The LS mode is implemented with the column capacitors and a feedback structure for adjusting column capacitor size. In particular, the feedback circuit makes it possible to change the column node capacitance automatically by using the incident light intensity. As a result, the proposed CIS achieved a wide dynamic range of 94 dB by synthesizing output signals from both modes. The prototype CIS is implemented with $0.18-{\mu}m$ 1-poly 6-metal (1P6M) standard CMOS technology, and the number of effective pixels is 176 (H) ${\times}$ 144 (V).
금속 알루미늄의 낮은 환원전위는 전기화학적 산화반응을 통하여 알루미늄과 그 표면에 존재하는 산화막의 구조 및 성질의 변화를 일으킨다. 산성용액에서 알루미늄을 전기화학적으로 에칭하여 표면적을 확대시키고 중성의 용액에서 알루미늄 표면에 치밀한 유전체 산화막을 형성시켜 커패시터의 전극으로 이용하고 있다. 저온의 산성용액에서는 양극산화시 나노크기의 다공층 산화막이 형성되며, 나노구조체의 템플레이트로 사용되고 있다. 이와같은 알루미늄의 전기화학적 특성은 알루미늄을 새로운 기능성을 가진 재료로 변화시킴으로서 다양한 분야에서 응용될 것으로 기대된다.
Carbon nitride films were evaluated that they had many advantages for miniature micro-humidity-sensors using the standard CMOS technology humidity sensing properties and CV characteristics of the carbon nitride films have been investigated for fabricating one chip HUSFET(Humidity Sensitive Field Effect Transistor) humidity sensors Carbon nitride films were deposited on silicon substrate with meshed electrodes by reactive RF magnetron sputtering system. The capacitor-type humidity sensor revealed good humidity-impedance characteristics with a wide range of relative humidity changes, decreasing $254k{\Omega}$ to $16k{\Omega}$ according to increase of relative humidity between 5% ~ 95% and the films were very stable on the Si wafer. These results reveal that $CN_x$ thin films can be used for Si based or HUSFET structure one chip micro-humidity sensors.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제6권4호
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pp.286-292
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2006
This paper presents the design of a low-voltage wide-band switched-capacitor (SC) filter for wireless communication receiver applications. The filter is the 5th-order Elliptic lowpass filter. With the clock frequency of 50MHz implying that an effective sampling frequency is 100MHz with double sampling scheme, the cut-off frequency of the filter is programmable to be 1.25MHz, 2.5MHz, 5MHz and 10MHz. For low-power systems powered by a single-cell battery, the SC filter was elaborately designed to operate at 1.2V power supply. Simulation result shows that the 3rd-order input intercept point (IIP3) can be up to 27dBm. The filter was fabricated in a $0.25-{\mu}m$ 1P5M standard CMOS technology and measured frequency responses show good agreement with the simulation ones. The current consumption is 34mA at a 1.2V power supply.
This paper presents an optimization method which determines locations and size of capacitors simultaneously while minimizing power losses and improving voltage profile in radial distribution systems. Especially, the cost function associated with capacitor placement is considered as step function due to banks of standard discrete capacities. Genetic algorithms(GA) are used to obtain efficiently the solution of the cost function associated with capacitors which is non-continuous and non-differentiable function. The strings in GA consist of the node number index and size of capacitors to be installed. The length mutation operator, which is able to change the length of strings in each generation, is used. The proposed method which determines locations and size of capacitors simultaneously can reduce power losses and improve' voltage profile with capacitors of minimum size. Its efficiency is proved through the application in radial distribution systems.
The purpose of this study is to examine the cause of damage to electrolytic capacitors and to present the heat generation mechanism in order to prevent the occurrence of similar problems. From the analysis results of electrolytic capacitors collected from accident sites, the fire causing area can be limited to the primary power supply for the initial accident. From the tests performed by applying overvoltage, surge, etc., it is thought that the fuse, varistor, etc., are not directly related to the accidents that occurred. The analysis of the characteristics using a switching regulator showed that the charge and discharge characteristics fell short of standard values. In addition, it is thought that heated electrolytic capacitors caused thermal stress to nearby resistances, elements, etc. It can be seen that the heat generation is governed by the over-ripple current, application of AC overvoltage, surge input, internal temperature increase, defective airtightness, etc. Therefore, when designing an electrolytic capacitor, it is necessary to comprehensively consider the correct polarity arrangement, appropriate voltage application, correct connection of equivalent series resistance(ESR) and equivalent series inductance(SEL), rapid charge and discharge control, sufficient margin of dielectric tangent, etc.
본 논문에서는 차량 레이더용 새로운 형태의 스위치 커패시터 시그마-델타 변조기를 제안한다. 개발된 변조기는 차량 레이더 시스템에서 고주파 대역 신호의 고해상도 데이터 변환, 즉 아날로그-디지털변환을 수행하는데 사용된다. 2.7V의 저전압 동작이 가능하며, 저 왜곡 특성을 가진 몸체효과 보상형 스위치 구조를 가진다. 이러한 변조기는0.25 마이크론 이중 폴리 3-금속 표준 CMOS 공정으로 제작되었고, $1.9 {\times}1.5mm^{2}$ 의 다이 면적을 차지한다. 제안된 회로는 2.7V의 동작 전압에서 기존의 부트스트랩형 회로보다 약 20dB 향상된 우수한 총 고조파 왜곡 특성을 보였다.
Adhesion strength of single layer ceramic capacitor sheet was measured using a peel testing system developed in this study. The peel test specimens with various dimensions were prepared from the ceramic sheet cast on the PET film. In peel test, the sheet specimen was adhered on the glass jig floating on the liquid media, which was designed to minimize the friction, and the specimen was then pulled up by micro-actuator. During the separation of the sheet from the PET film, peel force was measured. To normalize the testing condition, 3 different widths of the specimen were selected: 5, 10 and 20 mm. was used Furthermore, testing speed effect was investigated in this study. From the resullts using various testing conditions, the standard method for the peel strength testing may be suggested. Based on the testing condition, effect of peel angle on the strength was experimentally examined. It was found that the adhesive strength for the ceramic sheet is nearly identical, irrespective of the specimen width ranged from 5 to 20 mm, while the adhesive strength was increased with increasing testing speed. Furthermore, the strength was shown to be dependent on the peel angle.
Voltage transformer(VT) comparison measurement system is usually used for measurements of ratio error and phase angle error of VT made in industry. Both ratio error and phase angle error in VT are critically influenced by values of burden of VT used. External burden effects on both ratio error and phase angle error in VT are theoretically calculated. From the theoretical calculation, a method of evaluation for linearity of ratio error and phase angle error in VT measurement system have been developed using the standard capacitive burdens, with negligible dissipation factor less than 10$^{-4}$. These burden consists of five standard capacitors, with nominal capacitance of 1.1 $\mu$F, 1 $\mu$F, 0.1 $\mu$F, 0.01 $\mu$F, 0.001 $\mu$F. The developed method has been applied in VT measurement system of industry, showing in good consistency and linearity within 0.001 $\%$ between theoretical and measured values.
초단계형(Hyperabrupt) p-n접합에서 접합용량의 인가전압에 의한 변화률이 단순물분포에 따라 변화하는 성질을 이용하여 가변용량다이오드의 최적설계방법 유도하고 표준방송수신용 라디오의 동조용 가변용량실리콘 다이오드를 설계하였고 이다이오드의 제작방법에 관하여 연구하였다. 이때 도너 및 액셉터 불순물로서는 안치모니 및 알루미늅을 진공증착한 후 고온확산로에 넣어 처리하므로서 원하는 분포를 얻으려 하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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