• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2009.02a
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• pp.229-230
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• 2009

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2005.02a
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• pp.76-77
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• 2005

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2004.07a
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• pp.276-277
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• 2004

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2004.07a
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• pp.218-219
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• 2004

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2001.02a
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• pp.264-265
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• 2001

영상표시방법은 관례적인 CRT 방법에 더하여 LCD, TFT-LCD, FED, PDP 등 다양한 방법들이 개발되었거나 개발되고 있다. 유기발광소자(OLED)를 이용한 영상표시법도 최근 그 실용성이 크게 향상된 방법으로 이 OLED를 이용하는 발광소자는 LCD, TFT-LCD 등의 방법과 마찬가지로 다층박막구조를 가지므로 각 박막층의 특성과 계면 급준성 등을 정확하게 평가하는 것은 긴요하다 하겠다. (중략)

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2004.02a
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• pp.216-217
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• 2004

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2008.02a
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• pp.167-168
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• 2008

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.4 no.4
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• pp.386-393
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• 1995

이온주입된 실리콘 시료들의 열처리 조건에 따른 재결정화를 분광 타원해석법(Spectroscopic Ellipsometry, SE)을 사용하여 연구하였다. 열처리 후에도 잔류하는 결함들의 양과 분포를 구하기 위한 시료의 층구조 분석에 있어서 손상층의 유효굴절율은 Bruggeman 유효매질이론을 이용하여 구하였으며 기준 비정질실리콘 데이터로서는 완화된 비정질실리콘의 광학상수와 이온주입에 의해서 만들어진 비정질 실리콘의 광학상수를 함께 사용하였다. 조사된 대부분의 열처리 조건하에서 고체상 적층성장(solid-phase epitaxial growth)과정에 따라 비정질층이 재결정화되는 것이 관측되었다.

• Journal of Korean Vacuum Science & Technology
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• v.2 no.2
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• pp.85-91
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• 1998

The electrochromic behaviors of de-magnetron sputtered tungsten oxide thin films were investigated during coloration and bleach cycles using in situ real-time spectroscopic ellipsometry. Effective medium approximation and least-squares regression analyses were employed to investigate the electrochromic process. The optical properties of the tungsten oxide film were analyzed using the oscillator model and the evolution of the process using a reaction-limited model. In these analyses, we found that two different reaction rates were associated with the process. We ascribe this behavior to the microstructure of this films.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.10 no.2
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• pp.252-256
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• 2001

We performed spectroscopic ellipsometry measurement to obtain dielectric function(DF) of ZnSe at room temperature. Proper wet chemical etching procedure was carried out to remove overlayers on top of ZnSe, and our result indicates that the previous reports on the pure DF of ZnSe have inaccurate interpretations. We constructed DF of oxide on ZnSe by using reported DFs of amorphous-Se, $GaAsO_3$, and voids through Bruggeman effective-medium approximation.