• 제목/요약/키워드: silicate($SiO_2$)

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저면공급한 규소에 의한 포인세티아의 광합성 능력 향상과 고온 스트레스 경감 (Silicon Supply through Subirrigation System Alleviates High Temperature Stress in Poinsettia by Enhancing Photosynthetic Rate)

  • 손문숙;박유경;;고충호;정병룡
    • 원예과학기술지
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    • 제33권6호
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    • pp.860-868
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    • 2015
  • 본 연구는 고온 스트레스에서 규소가 분화용 포인세티아(Euphorbia pulcherrima Willd. 'Ichiban')의 내고온성과 생장에 미치는 영향을 조사하였다. 포인세티아를 삽목하여 발근된 삽목묘 중 균일한 개체를 선발하여 상토가 담긴 10cm 화분에 정식하였다. 세 가지 규산염($K_2SiO_3$, $Na_2SiO_3$, $CaSiO_3$)을 0(-Si), 또는 $50(+Si)mg{\cdot}L^{-1}$ Si농도로 순환식 저면베드에서 저면관수 또는 엽면살포 방식으로 약 2개월간 재배하였다. 포인세티아의 고온 스트레스에 대한 저항성을 알아보기 위하여 규소 처리 8주째에 식물생장상의 온도를 $35^{\circ}C$로 조절하여 18일동안 재배하였다. 모든 규산염처리에서 효소적 항산화 효소인 APX의 활성이 증가하였고, 비효소적 항산화 효소인 ELP의 활성은 감소하였다. 저면으로 공급한 $K_2SiO_3$$Na_2SiO_3$처리에서 대조구에 비해 Fv/Fm, 광합성율, 규소함량이 증가하였다. 따라서 규산염 처리가 대조구보다 고온 스트레스에 의해 발생하는 생장의 저해가 적었으며, 특히 저면으로 $K_2SiO_3$$Na_2SiO_3$를 공급하였을 때 가장 효과적이었다.

소디움실리케이트 수용액(水溶液)으로부터 솔-젤 반응(反應)에 의해 제조(製造)된 실리카 솔 입자특성(粒子特性) 고찰(考察) (Characterization of Silica Sol Particle Prepared by Sol-Gel Reaction from Sodium Silicate Solution)

  • 김철주;김성돈;장희동;윤호성
    • 자원리싸이클링
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    • 제18권6호
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    • pp.30-37
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    • 2009
  • 소디움실리케이트 수용액으로부터 나트륨이온이 제거된 핵생성 산화실리케이트 수용액과 실리케이트 수용액을 pH 10~11로 조절하여 혼합한 다음, $20{\sim}80^{\circ}C$에서 솔-젤 반응하여 실리카 솔 입자를 제조하였다. 이 때 yellow silicomolybdate method를 이용하여 소디움실리케이트와 나트륨이온이 제거된 실리케이트 수용액의 특성과 이들 출발용액으로부터 솔-젤 반응에 의해 제조된 실리카 솔의 입자특성에 대하여 고찰하였다. $SiO_2$를 2 wt% 함유한 소디움실리케이트 수용액은 약 95% 이상의 반응성 실리케이트를 함유하며, 솔-젤 반응에 참여하는 반응성 실리케이트는 전체 실리카 기준 약 50% 정도이다. 반응온도가 증가함에 따라 silanol(Si-OH) 결합구조의 흡수피크 세기는 감소하고, siloxane(Si-O-Si) 결합구조의 흡수피크 세기가 증가하였다. 반응조건별로 제조된 실리카 솔 수용액의 zeta potential은 -40~-60 mV 범위로 분산성이 좋은 상태를 유지하였다. 실리카 솔 입자크기는 5~10 nm로 반응온도 증가에 따라 크기가 약간 감소하였다. 실리카 솔 제조 후, 2차 입자 성장을 위하여 실리케이트 수용액을 재 첨가하였을 경우에 실리카 솔입자 크기가 약 20 nm로 증가하였다.

Atomic layer chemical vapor deposition of Zr $O_2$-based dielectric films: Nanostructure and nanochemistry

  • Dey, S.K.
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제16권9호
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    • pp.64.2-65
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    • 2003
  • A 4 nm layer of ZrOx (targeted x-2) was deposited on an interfacial layer(IL) of native oxide (SiO, t∼1.2 nm) surface on 200 mm Si wafers by a manufacturable atomic layer chemical vapor deposition technique at 30$0^{\circ}C$. Some as-deposited layers were subjected to a post-deposition, rapid thermal annealing at $700^{\circ}C$ for 5 min in flowing oxygen at atmospheric pressure. The experimental x-ray diffraction, x-ray photoelectron spectroscopy, high-resolution transmission electron microscopy, and high-resolution parallel electron energy loss spectroscopy results showed that a multiphase and heterogeneous structure evolved, which we call the Zr-O/IL/Si stack. The as-deposited Zr-O layer was amorphous $ZrO_2$-rich Zr silicate containing about 15% by volume of embedded $ZrO_2$ nanocrystals, which transformed to a glass nanoceramic (with over 90% by volume of predominantly tetragonal-$ZrO_2$(t-$ZrO_2$) and monoclinic-$ZrO_2$(m-$ZrO_2$) nanocrystals) upon annealing. The formation of disordered amorphous regions within some of the nanocrystals, as well as crystalline regions with defects, probably gave rise to lattice strains and deformations. The interfacial layer (IL) was partitioned into an upper Si $o_2$-rich Zr silicate and the lower $SiO_{x}$. The latter was sub-toichiometric and the average oxidation state increased from Si0.86$^{+}$ in $SiO_{0.43}$ (as-deposited) to Si1.32$^{+}$ in $SiO_{0.66}$ (annealed). This high oxygen deficiency in $SiO_{x}$ indicative of the low mobility of oxidizing specie in the Zr-O layer. The stacks were characterized for their dielectric properties in the Pt/{Zr-O/IL}/Si metal oxide-semiconductor capacitor(MOSCAP) configuration. The measured equivalent oxide thickness (EOT) was not consistent with the calculated EOT using a bilayer model of $ZrO_2$ and $SiO_2$, and the capacitance in accumulation (and therefore, EOT and kZr-O) was frequency dispersive, trends well documented in literature. This behavior is qualitatively explained in terms of the multi-layer nanostructure and nanochemistry that evolves.ves.ves.

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Zn2SiO4 결정유약에 미치는 핵 형성제의 영향 (The Effect of Nucleating Agent on Zn2SiO4 Crystal Glaze)

  • 이현수
    • 한국세라믹학회지
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    • 제50권2호
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    • pp.116-121
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    • 2013
  • Zinc crystal glaze has its limits in practical use of commercial glaze due to the controlling crystal. In order to overcome this limit, and to heighten the practical usage, this study is aimed to develop artificially controlling willemite ($Zn_2SiO_4$) zinc crystalline glaze. For this purpose, it has experimented with the effect of anatase form and rutile form using $TiO_2$ known as nucleating agent. In zinc glaze, adding $TiO_2$ resulted with anatase form becoming more effective at nucleating formation and growth of willemite than the rutile form. Furthermore, it turned out that using the $TiO_2$ - anatase form, with synthetic seeds (zinc silicate), the numbers and positions of crystals can be controlled artificially.

Butachlor와 규산질비료(珪酸質肥料)의 수도(水稻)에 대(對)한 상호작용(相互作用) (Butachlor and Silicate Fertilizer Interaction to Rice)

  • 오병열;양환승;신용화
    • 한국잡초학회지
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    • 제4권1호
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    • pp.52-61
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    • 1984
  • 수도작(水稻作)에 있어 토양비옥도(土壤肥沃度) 증진(增進) 및 생산성(生産性) 증대(增大)에 필수적(必須的)인 규산질비료(珪酸質肥料)의 시용(施用)과 butachlor의 수도(水稻)에 대(對)한 상호작용(相互作用)을 구명(究明)하기 위하여 진주(眞珠)벼(Japonica 型)와 서광(曙光)벼 (Japonica ${\times}$ Indica 형(型))를 대상(對象)으로 실내(室內) 및 pot 시험(試驗)을 통(通)하여 생물(生物), 화학적(化學的)으로 검토(檢討)한 바 그 결과(結果)는 다음과 같다. 1. $SiO_2$ 150ppm에서 수도유묘(水稻幼苗)의 생장(生長)을 촉진(促進)하였으나 300ppm이상(以上)에서는 억제효과(抑制效果)가 있었으나 butacholor의 수도생장저해작용(水稻生長沮害作用)을 증대(增大)시켰다. 2. 규산질비료(珪酸質肥料) 150kg/10a 시용수준(施用水準)의 pot 시험(試驗)에서 butachlor의 nitrofen에 의(依)한 수도생육(水稻生育)은 영향(影響)을 받지 않았으나 300kg/10a에서는 butacholr가 표준약량(標準藥量)에서 서광(曙光)벼의 초기생육(初期生育)을 현저(顯著)히 저지(沮止)하였다. 규산질비료(珪酸質肥料)와 butachlor에 의(依)한 수도생육억제(水稻生育抑制)는 약제처리(藥劑處理) 50 일후(日後)에 완전(完全)히 회복(回復)되었다. 3. 규산질비료시용(珪酸質肥料施用)에 의(依)한 토양(土壤)의 butachlor 흡차이(吸差異)은 변화(變化)가 없었으나 토양산도(土壤酸度)는 다소(多少) 증가(增加)하는 경향(傾向)이었다. 4. 규산질비료(珪酸質肥料)의 시용(施用)은 담수토양중(湛水土壤中) butachlor의 분해(分解)에 영향(影響)이 없었으나 $SiO_2$ 처리(處理)로 수도근부(水稻根部)에의 제초제(除草劑) 부착량(附着量)은 증가(增加)하였다. 5. 수도체내(水稻體內) butachlor의 흡수량(吸收量)은 $SiO_2$의 첨가(添加)로 서광(曙光)벼에서 증진(增進)되었으며 흡수량(吸收量)의 대부분(大部分)은 근부(根部)에 존재(存在)하였다. 6. 치환성(置換性) 염기(鹽基)에 의(衣)한 butachlor의 수도체내흡수(水稻體內吸收)는 $K_2O$가 촉진효과(促進效果)를 나타낸 반면(反面) $Na_2O$는 영향(影響)이 없었고 CaO는 감소(減少)시키는 경향(傾向)이었다. 7. $SiO_2$에 의(依)하여 수도체내(水稻體內)에 흡수(吸收)된 butachlor의 분해양상(分解樣相)은 무처리(無處理)와 차이(差異)가 없었고 진주(眞珠)벼보다 서광(曙光)벼에서 높게 유지(維持)되었다.

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다성분계 현무암질 비정질 규산염의 원자 구조에 대한 고상핵자기 공명 분광분석연구 (Probing Atomic Structure of Quarternary Aluminosilicate Glasses using Solid-state NMR)

  • 박선영;이성근
    • 한국광물학회지
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    • 제22권4호
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    • pp.343-352
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    • 2009
  • 특정 원자 중심의 정보를 제공해주는 고분해능 고상핵자기 공명 분광분석(NMR)은 현무암질 마그마를 포함한 대부분의 자연계의 다성분계 규산염 용융체의 원자 구조 분석에 적합하다. 본 연구에서는 일차원과 이차원 고상 NMR을 이용하여 현무암질 마그마의 모델 시스템인 CMAS (CaO-MgO-$Al_2O_3-SiO_2$) 비정질 규산염의 조성에 따른 원자 구조의 변화를 규명하였다. $^{27}Al$ MAS NMR 실험 결과 모든 조성에대해 $^{[4]}Al$ 피크가 지배적으로 나타나고 이는 $Al^{3+}$이 네트워크 형성 이온으로 작용한다는 것을 지시한다. $X_{MgO}$가 증가함에 따라 피크 위치가 음의 방향으로 4.7 ppm 이동하며 이는 조성에서 Si의 상대적인 양이 증가할수록 $Q^4$(4Si)가 증가하는 것을 의미하고 이를 통해 Al 주변의 산소가 모두 연결 산소(BO, bridging oxygen)임이 확인되었다. $^{17}O$ NMR 실험 결과 비정질 $CaMgSi_2O_6$에 있는 비연결 산소의 상대적 양이 $CaAl_2SiO_6$에 있는 비연결 산소보다 정성적으로 많은 것이 확인되었다. 모델 사성분계 비정질 알루미노규산염에 대한 $^{17}O$ 3QMAS NMR 실험결과 Al-O-Al, Al-O-Si, Si-O-Si의 연결 산소와 {Ca, Mg}-NBO의 원자 환경이 구별되며 이 실험 결과는 자연계에서 나타나는 다양한 조성의 다성분계 비정질에 대해서도 이차원 3QMAS NMR 실험을 이용하여 원자구조를 규명할 수 있는 가능성을 제시한다.

계면안정화를 통한 Si-SiO2-흑연 복합재 음극의 전기화학적 특성 개선 (Improved Cycling Ability of Si-SiO2-graphite Composite Battery Anode by Interfacial Stabilization)

  • 민정혜;배영산;김성수;송승완
    • 전기화학회지
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    • 제15권3호
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    • pp.154-159
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    • 2012
  • Si계 음극소재는 리튬 삽입-탈착 중 일어나는 큰 구조적 부피변화와 입도변화로 인해 빠른 성능 퇴화가 일어나는 단점이 있다. 산화물 SiO 음극소재는 리튬과의 반응 중 비활성상인 $Li_2O$ 및 lithium silicate가 형성되어 Si의 부피변화를 완화시키는 버퍼 역할을 하므로 용량은 Si보다 적으나 개선된 용량 유지 특성을 보이는 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 Si의 부피변화 완화를 위하여 저가의 $SiO_2$와 입자간 전기전도성을 향상시키는 흑연을 구조안정화 기재로서 사용하여 Si-$SiO_2$-흑연 복합재 음극을 제작하였다. 구조안정화 뿐만 아니라 silane계 전해액 첨가제를 이용하여 Si-$SiO_2$-흑연 복합재 음극과 전해액간 계면을 안정화시킴으로써 용량 유지 특성이 개선되는 효과에 대해 보고하고자 한다.

Growth of Chrysanthemum Cultivars as Affected by Silicon Source and Application Method

  • Sivanesan, Iyyakkannu;Son, Moon Sook;Soundararajan, Prabhakaran;Jeong, Byoung Ryong
    • 원예과학기술지
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    • 제31권5호
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    • pp.544-551
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    • 2013
  • The effect of different silicon (Si) sources and methods of application on the growth of two chrysanthemum cultivars grown in a soilless substrate was investigated. Rooted terminal cuttings of Dendranthema grandiflorum 'Lemmon Eye' and 'Pink Eye' were transplanted into pots containing a coir-based substrate. A nutrient solution containing 0 or $50mg{\cdot}L^{-1}$ Si from calcium silicate ($CaSiO_3$), potassium silicate ($K_2SiO_3$) or sodium silicate ($Na_2SiO_3$) was supplied once a day through an ebb-and-flood sub irrigation system. A foliar spray of 0 or $50mg{\cdot}L^{-1}$ Si was applied twice a week. Cultivar and application method had a significant effect on plant height. Cultivar, application method, and Si source had a significant effect on plant width. Of the three Si sources studied, $K_2SiO_3$ was found to be the best for the increasing number of flowers, followed by $CaSiO_3$ and $Na_2SiO_3$. In both the cultivars, sub irrigational supply of Si developed necrotic lesions in the older leaves at the beginning of the flowering stage as compared to the control and foliar spray of Si. Cultivar, application method, Si source, and their interactions had significant influence on leaf tissue concentrations of calcium (Ca), potassium (K), phosphorus (P), magnesium (Mg), sulfur (S), sodium (Na), boron (B), iron (Fe), and zinc (Zn). The addition of Si to the nutrient solution decreased leaf tissue concentrations of Ca, Mg, S, Na, B, Cu, Fe, and Mn in both cultivars. The greatest Si concentration in leaf tissue was found in 'Lemmon Eye' ($1420{\mu}g{\cdot}g^{-1}$) and 'Pink Eye' ($1683{\mu}g{\cdot}g^{-1}$) when $K_2SiO_3$ was applied through a sub irrigation system and by foliar spray, respectively.

MOCVD를 이용한 $HfO_2/SiNx$ 게이트 절연막의 증착 및 물성 (Deposition and Characterization of $HfO_2/SiNx$ Stack-Gate Dielectrics Using MOCVD)

  • 이태호;오재민;안진호
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제11권2호
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    • pp.29-35
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    • 2004
  • 65 nm급 게이트 유전체로의 $HfO_2$의 적용을 위해 hydrogen-terminate된 Si 기판과 ECR $N_2$ plasma를 이용하여 SiNx를 형성한 기판 위에 MOCVD를 이용하여 $HfO_2$를 증착하였다. $450^{\circ}C$에서 증착시킨 박막의 경우 낮은 carbon 불순물을 가지며 비정질 matrix에 국부적인 결정화와 가장 적은 계면층이 형성되었으며 이 계면층은 Hf-silicate임을 알 수 있었다. 또한 $900^{\circ}C$, 30초간 $N_2$분위기에서 RTA 결과 $HfO_2/Si$의 single layer capacitor의 경우 계면층의 증가로 인해 EOT가 열처리전(2.6nm)보다 약 1 nm 증가하였다. 그러나 $HfO_2/SiNx/Si$ stack capacitor의 경우 SiNx 계면층은 열처리후에도 일정하게 유지되었으며 $HfO_2$ 박막의 결정화로 열처리전(2.7nm)보다 0.3nm의 EOT 감소를 나타내었으며 열처리후에도 $4.8{\times}10^{-6}A/cm^2$의 매우 우수한 누설전류 특성을 가짐을 알 수 있었다.

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Ethyl Silicate의 가수분해에 의한 단분산 Silica 미립자의 합성(1) (Synthesis of Monodispersed Silica Fine Particle by Hydrolysis of Ethyl Silicate(1))

  • 오일환;박금철
    • 한국세라믹학회지
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    • 제24권5호
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    • pp.500-506
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    • 1987
  • In order to synthesize monodispersed spherical silica fine particles, we investigated the reaction of hydrolysis of 0.05∼4.0 mole Si(OC2H5)4-0.01∼7.60mole NH3 -0.24∼38.40 mole H2O-2.62∼16.88mole C2H5OH systems. The range of the composition of solution which spherical silica particles were formed was enlarged according to an increase in concentration of Si(OC2H5)4. Larger particles were obtained at higher molar ratios of Si(OC2H5)4/C2H5OH, NH3/H2O and H2O/Si(OC2H5)4 and at a lower reaction temperature.

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