• 제목/요약/키워드: short-circuit

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경전철 직류급전계통을 위한 디지털 보호제어장치의 개발 및 적용에 관한 연구 (A Study on the Development and Application of Digital Protective Relay for DC Feeding System of Light Rail Transit System)

  • 백병산;김재철
    • 조명전기설비학회논문지
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    • 제19권2호
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    • pp.77-86
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    • 2005
  • 본 논문은 경전철 급전시스템을 위한 직류보호제어장치의 개발 및 적용에 관한 것이다. 이를 위하여 직류급전계통의 단락특성을 이론과 실측자료를 이용하여 분석하였으며, 사고전류를 검출하는 기법의 개선안을 제시하여 직류 보호계전장치를 개발하였다 특히 계전기능 중 가장 중요한 고장선택계전기(50F)의 계전알고리즘을 개선하여 개발하였고, 이를 경북 경산 경전철 시험선에 설치하여 운전 중이다. 직류 보호계전기를 현장에 적용하기 위하여 그동안 불분명하고 명확하지 않았던 규정 및 규격을 개발과정에서 명확하게 정리하였다. 또한 특성시험과 EMC시험 규정 중 일부항목에 대해 시험방법이 제정되어있지 않아 IEC 규정의 분석을 통하여 객관적이고 타당한 시험회로, 방법 및 평가방법을 제안하였다.

XeCl 엑시머 레이저에서의 Pulse Stretching 효과 (Pulse Stretching Effect in XeCl Excimer Laser)

  • 주홍;김동환;이수만;전영민;최상삼;박대윤
    • 한국광학회지
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    • 제4권4호
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    • pp.447-451
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    • 1993
  • 용량이행형 방전회로를 이용하여 장펄스 XeCl 엑시머 레이저를 발진 시켰으며, 펄스폭은 150ns(FWHM)이었다. 펄스폭에 영향을 미치는 가스분압 및 capacitance의 비에 따른 펄스폭의 변화를 관측 하였으며, 이로부터 단펄스에서 장펄스로의 발진을 쉽게 얻을 수 있음을 알았다. 일정 가tm 혼합 비율([Xe]/[HCl]=15)의 상태에서 HCl과 Xe가스의 분압이 감소함에 따라 광 펄스폭의 최대 변화량은 125ns이었고, 일정 압력 하에서의 capacitance비(Cm/Cp) 변화에 늘어나는 광 펄스폭의 변화량은 60ns이었다.

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재해임시주거 냉난방을 위하여 기존 에어컨을 열펌프로 전환하는 변환기 개발 (Development of a Conversion Unit converting the existing air conditioner to Heat Pump System for the Emergency Shelter)

  • 송헌
    • 한국태양에너지학회 논문집
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    • 제31권5호
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    • pp.77-84
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    • 2011
  • Korea and some other countries located in the northern hemisphere employ the air conditioner for the space cooling in the hot summer season and also some kinds of heaters for the space heating in the cold winter season. Especially in Korea, a great number of air conditioners of about 12,700,000 sets have been used these days. However, they are used for a short operation period of only 58 days a year, which results in the material and economic losses. To solve this problem and employ this system for the emergency shelter, a new conversion unit which could convert the existing air conditioner to a heat pump system for simultaneous heating and cooling was developed in this study, and the thermal performance was tested. The results indicated that the indoor air could be heated from $27^{\circ}C$ to $39^{\circ}C$ by the air conditioner converted to a heat pump system with the ambient temperature variation of $-10^{\circ}C{\sim}10^{\circ}C$, and cooled from $20^{\circ}C$ to $15^{\circ}C$ by the converted system with the ambient temperature variation of $20^{\circ}C{\sim}35^{\circ}C$. And also the heating COP increased from 3.3 to 5.3 in case of the heat exchange of the super cooling(HESC) circuit and from 3.0 to 4.0 in case of the By-pass with the ambient temperature variation of $-10^{\circ}C{\sim}10^{\circ}C$, respectively, whereas the cooling COP decreased from 3.1 to 2.1with the increase of the ambient temperature from $20^{\circ}C$ to $35^{\circ}C$.

Solderable 이방성 도전성 접착제를 이용한 BGA 접합공정 개발 (Development of BGA Interconnection Process Using Solderable Anisotropic Conductive Adhesives)

  • 임병승;이정일;오승훈;채종이;황민섭;김종민
    • 반도체디스플레이기술학회지
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    • 제15권4호
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    • pp.10-15
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    • 2016
  • In this paper, novel ball grid array (BGA) interconnection process using solderable anisotropic conductive adhesives (SACAs) with low-melting-point alloy (LMPA) fillers have been developed to enhance the processability in the conventional capillary underfill technique and to overcome the limitations in the no-flow underfill technique. To confirm the feasibility of the proposed technique, BGA interconnection test was performed using two types of SACA with different LMPA concentration (0 and 4 vol%). After the interconnection process, the interconnection characteristics such as morphology of conduction path and electrical properties of BGA assemblies were inspected and compared. The results indicated that BGA assemblies using SACA without LMPA fillers showed weak conduction path formation such as solder bump loss or short circuit formation because of the expansion of air bubbles within the interconnection area due to the relatively high reflow peak temperature. Meanwhile, assemblies using SACA with 4 vol% LMPAs showed stable metallurgical interconnection formation and electrical resistance due to the favorable selective wetting behavior of molten LMPAs for the solder bump and Cu metallization.

전동기 소손에 대한 화재 원인 분석에 관한 연구 (A Study on the Fire Cause Analysis of Motor Damage)

  • 이춘하;옥경재;권병덕
    • 한국화재소방학회논문지
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    • 제21권4호
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    • pp.59-64
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    • 2007
  • 본 논문은 전동기에 발생하는 화재에 대한 연구로서, 일반가전제품에 사용되고 있는 단상유도전동기에 과부하 및 외부화염을 가하여 그 변형 및 파손상태를 비교 분석하였다. 실험은 전동기의 구속을 통한 과부하 시험과 외부에서 화염을 가하는 실험으로 진행하였으며, 외부화염 시험의 경우 전압을 인가한 경우와 인가하지 않은 경우로 구분하였다. 실험결과 구속을 통한 과부하 시험의 경우 권선부분에서 층간 단락흔을 관찰할 수 있었고, 권선부분의 조직에서는 과부하에 의해 변형된 전선의 특징인 나무줄기 형상의 수지상 조직이 나타났다. 전압을 인가한 상태에서 외부화염을 가한 경우 고정자 권선부분의 코일이 원형을 유지하고 있는 것을 확인할 수 있었고, 권선주변의 색이 붉게 변색된 것을 볼 수 있었다. 전압을 인가하지 않고 외부화염을 가한 경우 고정자 권선부분의 코일이 원형에서 많이 변형된 것을 관찰할 수 있었고, 권선 주변의 색은 전압을 인가한 경우와 마찬가지로 붉게 변색된 것을 확인할 수 있었다.

Development of RF Ion Source for Neutral Beam Injector in Fusion Devices

  • 장두희;박민;김선호;정승호
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.550-551
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    • 2013
  • Large-area RF-driven ion source is being developed at Germany for the heating and current drive of ITER plasmas. Negative hydrogen (deuterium) ion sources are major components of neutral beam injection systems in future large-scale fusion experiments such as ITER and DEMO. RF ion sources for the production of positive hydrogen ions have been successfully developed at IPP (Max-Planck- Institute for Plasma Physics, Garching) for ASDEX-U and W7-AS neutral beam injection (NBI) systems. In recent, the first NBI system (NBI-1) has been developed successfully for the KSTAR. The first and second long-pulse ion sources (LPIS-1 and LPIS-2) of NBI-1 system consist of a magnetic bucket plasma generator with multi-pole cusp fields, filament heating structure, and a set of tetrode accelerators with circular apertures. There is a development plan of large-area RF ion source at KAERI to extract the positive ions, which can be used for the second NBI (NBI-2) system of KSTAR, and to extract the negative ions for future fusion devices such as ITER and K-DEMO. The large-area RF ion source consists of a driver region, including a helical antenna (6-turn copper tube with an outer diameter of 6 mm) and a discharge chamber (ceramic and/or quartz tubes with an inner diameter of 200 mm, a height of 150 mm, and a thickness of 8 mm), and an expansion region (magnetic bucket of prototype LPIS in the KAERI). RF power can be transferred up to 10 kW with a fixed frequency of 2 MHz through a matching circuit (auto- and manual-matching apparatus). Argon gas is commonly injected to the initial ignition of RF plasma discharge, and then hydrogen gas instead of argon gas is finally injected for the RF plasma sustainment. The uniformities of plasma density and electron temperature at the lowest area of expansion region (a distance of 300 mm from the driver region) are measured by using two electrostatic probes in the directions of short- and long-dimension of expansion region.

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Bias-Dependent Photoluminescence Analysis on InGaN/GaN MQW Solar Cells

  • Shim, Jae-Phil;Jeong, Hoonil;Choi, Sang-Bae;Song, Young Ho;Jho, Young-Dahl;Lee, Dong-Seon
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.347-348
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    • 2013
  • To obtain high conversion efficiency in InGaN-based solar cells, it is critical to grow high indium (In) composed InGaN layer for increasing sun light absorption wavelength rage. At present, most InGaN-based solar cells adopt InGaN/GaN multi-quantum-well (MQW) structure for high crystalline quality of InGaN with high In composition. In this study, we fabricated and compared the performances of two types of InGaN/GaN MQW solar cells which have the 15% (SC 15) and 25% (SC 25) of In composition at quantum well layer. Although both devices showed similar dark current density and leakage current, SC 15 showed better performance under AM 1.5G illumination as shown in Fig. 1. It is interesting to note that SC 25 showed severe current density decrease as increasing voltages. As a result, it lowered short circuit current density and fill factor of the device. However, SC 15 showed steady current density and over 75 % of fill factor. To investigate these differencesmore clearly, we analyzed their photoluminescence (PL) spectra under various applied voltages as shown in Fig. 2. At the same time, photocurrent, which was generated by PL excitation, was also measured as shown in Fig. 3. Further, we investigated the relationship between piezoelectric field and performance of InGaN based solar cell varying indium composition.

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60Hz용 변압기를 이용한 인버터 AC 스폿용접시스템의 용접시간 최소화 (Minimization of Welding Time for an AC Resistance Spot Welding System With 60Hz Transformer)

  • 석진규;강성관;송웅협;노의철;김인동;김흥근;전태원
    • 전력전자학회논문지
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    • 제15권3호
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    • pp.218-225
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    • 2010
  • 본 논문은 인버터 AC 스폿용접시스템의 용접시간을 최소화하기 위한 방법에 관한 것이다. 기존의 SCR 회로방식을 이용한 스폿용접시스템의 경우 제어속도가 느리고 전류제어가 정밀하지 않다. 따라서 최근에는 인버터를 이용한 용접시스템이 점차 증가하고 있다. 2차전지의 전극과 같은 박판을 용접해야 하는 경우에는 용접시간이 수 [ms] 정도로 짧아야 한다. 수 [ms] 정도로 용접시간을 최소화하면서 수 천 [A]에 달하는 대전류를 흘리기 위해서 일반적으로 수십개의 스위칭 소자들을 병렬로 연결하여 사용하기도 한다. 본 논문에서는 단지 4개의 IGBT로 구성된 인버터와 60[Hz] 변압기만으로 수 [ms] 대의 용접이 가능한 비용절감형 용접시스템을 제안하고 특성을 분석하였다. 그리고 실험을 통하여 타당성과 효용성을 입증하였다.

DSRC수신기를 위한 능동발룬 내장형 5.8GHz SiGe 하향믹서 설계 및 제작 (A 5.8GHz SiGe Down-Conversion Mixer with On-Chip Active Batons for DSRC Receiver)

  • 이상흥;이자열;이승윤;박찬우;강진영
    • 한국통신학회논문지
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    • 제29권4A호
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    • pp.415-422
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    • 2004
  • 근거리무선통신(Dedicated Short Range Communication, DSRC)은 근거러 영역의 노변장치(Road Side Equipment, RSE)와 차량탑재장치(On-Board Equipment, OBE)와의 고속통신을 수행하는 통신시스템이며, 대부분의 지능형교통시스템 서비스는 근거리무선통신에 의해 제공될 것으로 보인다. 본 논문에서는 근거리무선통신 수신기용 하향믹서를 설계 및 제작하였다. 설계된 하향믹서는 믹서코어 회로와 더불어 RF/LO 입력 정합 회로, RF/LO 입력 발룬 회로와 IF 출력 발룬 회로가 온칩으로 구현되었다. 제작된 하향믹서는 1.9 mm${\times}$1.3 mm의 크기를 가지며, 7.5 ㏈의 전력변환이득과 -2.5 ㏈m의 lIP3, 46 ㏈의 LO to RF isolation, 56 ㏈의 LO to IF isolation, 3.0 V의 공급전압 하에서 21 mA의 전류소모로 측정되었다.

높은 A/R의 콘택 산화막 에칭에서 바닥모양 변형 개선에 관한 연구 (A Study on The Improvement of Profile Tilting or Bottom Distortion in HARC)

  • 황원태;김길호
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제18권5호
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    • pp.389-395
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    • 2005
  • The etching technology of the high aspect ratio contact(HARC) is necessary at the critical contact processes of semiconductor devices. Etching the $SiO_{2}$ contact hole with the sub-micron design rule in manufacturing VLSI devices, the unexpected phenomenon of 'profile tilting' or 'bottom distortion' is often observed. This makes a short circuit between neighboring contact holes, which causes to drop seriously the device yield. As the aspect ratio of contact holes increases, the high C/F ratio gases, $C_{4}F_{6}$, $C_{4}F_{8}$ and $C_{5}F_{8}$, become widely used in order to minimize the mask layer loss during the etching process. These gases provide abundant fluorocarbon polymer as well as high selectivity to the mask layer, and the polymer with high sticking yield accumulates at the top-wall of the contact hole. During the etch process, many electrons are accumulated around the asymmetric hole mouth to distort the electric field, and this distorts the ion trajectory arriving at the hole bottom. These ions with the distorted trajectory induce the deformation of the hole bottom, which is called 'profile tilting' or 'bottom distortion'. To prevent this phenomenon, three methods are suggested here. 1) Using lower C/F ratio gases, $CF_{4}$ or $C_{3}F_{8}$, the amount of the Polymer at the hole mouth is reduced to minimize the asymmetry of the hole top. 2) The number of the neighboring holes with equal distance is maximized to get the more symmetry of the oxygen distribution around the hole. 3) The dual frequency plasma source is used to release the excessive charge build-up at the hole mouth. From the suggested methods, we have obtained the nearly circular hole bottom, which Implies that the ion trajectory Incident on the hole bottom is symmetry.