균일하게 도핑된 반도체에서, 분포된 확산 잡음원에 의해서 발생하는 단자잡음전류의 전력주파수밀도를 계산하였다. 고정된 전압에서 반도체의 길이가 작아짐에 따라, 또는 주어진 반도체에서 전류레벨이 증가함에 따라, AC 단락잡음전류는 열잡음 뿐만 아니라 과잉잡음을 보인다. 이 과잉잡음은 채널길이가 외인성 Debye 길이에 비해 매우 작은 경우에는 산탄잡음의 스펙트럼과 같은 모습을 보인다. 유한한 주파수에서 속도요동 잡음원에 의한 외인성 반도체에서 발생하는 과잉잡음을 최초로 유도하였다. 유도된 과잉잡음 공식은 반도체 채널의 통과 시간, 유전 이완 시간, 속도 이완 사이의 상호 작용에 따라 단자잡음 전류와 캐리어 농도 요동이 결정됨을 명시적으로 보여준다. 또한 유도된 해석적 식을 사용하여 여러 가지 반도체 샘플 길이와 바이어스, 주파수에 따른 잡음 스펙트럼의 변화도를 계산하였다. 유도된 공식은 quasi-ballistic 수송현상이 중요한 역할을 하는 나노스케일 MOSFET의 잡음 발생 기제를 이해할 수 있는 기반이 된다.
지능형 교통 시스템(Intelligent Transportation Systems)의 첨단 교통 관리 시스템(Advanced Traffic Management System)은 고화질 카메라, 고성능 레이더 센서와 같은 향상된 인프라를 통하여 도로 상의 차량 속도, 통행량, 돌발 상황 등의 교통 상황을 실시간으로 분석하며 관련 업무를 자동화하고 있다. 특히 도로 이용자의 안전을 위해서는 돌발 상황 자동 검지 및 2차 사고 방지를 위한 시스템이 필요하다. 이러한 유고 검지 및 관리 시스템에서는 CCTV 기반 영상 검지와 레이더를 이용한 물체검지가 주로 사용된다. 본 논문은 다중 감시용 카메라를 사용한 실시간 고속도로 돌발 상황 검지 시스템에서 모자이크(mosaic) 동영상을 구성하는 방법과 다양한 각도에서 촬영된 움직이는 객체를 보다 정확하게 추적할 수 있는 배경 모델링에 기반한 알고리즘을 제안하였다. 실험결과 영상검지는 레이더검지의 근거리 음영 영역과 원거리 검지한계 영역을 보완해 줄 수 있을 뿐만 아니라 악천후를 제외한 주간 검지에서 보다 나은 분류 특징들을 갖고 있음을 확인 할 수 있었다.
The gas-phase radical-radical reaction $O(^3P)$ + $C_2H_5$ (ethyl) ${\rightarrow}$$H(^2S)$ + $CH_3CHO$(acetaldehyde) was investigated by applying a combination of vacuum-ultraviolet laser-induced fluorescence spectroscopy in a crossed beam configuration and ab initio calculations. The two radical reactants $O(^3P)$ and $C_2H_5$ were respectively produced by photolysis of $NO_2$ and supersonic flash pyrolysis of the synthesized precursor azoethane. Doppler profile analysis of the nascent H-atom products in the Lyman-${\alpha}$ region revealed that the average translational energy of the products and the average fraction of the total available energy released as translational energy were $5.01{\pm}0.72kcalmol^{-1}$ and 6.1%, respectively. The empirical data combined with CBS-QB3 level ab initio theory and statistical calculations demonstrated that the title exchange reaction is a major channel and proceeds via an addition-elimination mechanism through the formation of a short-lived, dynamical addition complex on the doublet potential energy surface. On the basis of systematic comparison with several exchange reactions of hydrocarbon radicals, the observed small kinetic energy release can be explained in terms of the loose transition state with a product-like geometry and a small reverse activation barrier along the reaction coordinate.
무선 통신 기술에 있어서 눈부신 발전은 서로 멀리에 있는 사람들 간에 통신을 가능케 했다. 최근에는, 저비용과 단순한 하드웨어를 기반으로 하는 무선 시스템을 이용한 근거리 음성커뮤니케이션의 필요성이 급속히 대두되고 있다. 그러나, 이러한 애플리케이션은 작은 지역에서 같은 무선 채널로 다중 이용자(multi-users)들이 통신하는 것을 요구하기 때문에, 현존하는 음성 기술들은 이러한 애플리케이션들에 직접적으로 적용하는 것은 적절치가 않다. 본 논문에서는 다중 이용자 음성통신을 가능케 하는 참신한 아이디어를 제안하고자 한다 특히, 단거리 무선 해결책으로서, 저전력, 저비용을 바탕으로 한 IEEE 802. 15. 4를 이용한다. 그러나, 원래 그 표준은 음성 통신을 위해 개발된 것은 아니기 때문에, 음성 통신에 적당하도록 GTS의 확장 개념을 이용함으로써 원래의 운용계획을 확장한다. 제안된 운용계획의 용량과 타당성은 다양한 음성 압축비에서 양적 분석을 통해 평가된다.
본 논문은 무선링크 환경에서 VoIP(Voice Over Internet Protocol)서비스를 효율적으로 지원하는 방안에 대하여 다룬다. 특히, 본 논문에서는 무선 링크의 할당 방식에 따른 VoIP 지원시의 장점과 단점을 고려하였다. 그 결과 VoIP 지원 시에 패킷 교환 방식이 몇 가지 점에서 더 유리한 방법이라는 결론을 내렸다. 그리고 무선 상에서 성공적인 VoIP 서비스를 제공할 수 있도록 몇 가지 주요 요구사항들을 제안하였다. 또한 무선 채널을 효율적으로 이용하는 VoIP 적응 계층인 VoIP CP(VoIP Convergence Protocol)를 제안하고, 이것에 대한 성능 분석 및 평가를 하였다. 결과에 의하여 ITU-T G.723 처럼 긴 싸이클의 Voip 보코더 CODEC을 사용하는 것이 VoIP 동시 사용자의 수를 늘리는데 훨씬 유리한 것으로 나타났다. 이 경우, 시스템의 동시 사용자가 회선 기반 방식보다는 거의 60% 이상 증가하는 것으로 나타났다.
본 논문에서는 음성 및 데이터서비스를 위한 무선접속시스템에서 D-TDMA(Dynamic-Time Division Multiple Access)와 CDMA(Code Division Multiple Access) 프로토콜의 성능을 비교 분석하였다. D-TDMA 프로토콜에서 음성서비스는‘circuit mode’로 채널 사용 우선권을 부여하고 데이터서비스는 FCFS(First Come First Service) 형태의 동적 채널 할당 방식을 사용하였다. CDMA 프로토콜에서는 내부 셀과 외부 셀에 존재하는 다른 이동가입자들의 간섭잡음을 줄이기 위하여 음성검출 기법을 사용하고, 이 경우의 간선잡음전력을 분석하였다. 또한, 이 간섭잡음전력을 이용하여 실제 데이터의 BER(Bit Error Rate)를 구하고, 평균 데이터 길이와 평균 데이터 발생률의 변화에 따른 음성차단확률(음성패킷손실확률) 및 데이터전송 지연시간을 비교 분석하였다. 분석결과에 따르면 평균 데이터 길이가 짧을 경우, 데이터 발생률의 증감에 독립적으로 CDMA 프로토콜이 상대적으로 우수한 성능을 보였다. 그러나, 평균 데이터 길이가 길어질수록 데이터 전송 지연시간이 큰 폭으로 증가하는 CDMA 프로토콜보다 D-TDMA 프로토콜이 더 우수한 성능을 보였다.
최근 센서 네트워크와 같이 근거리 무선 통신 시스템에 대한 연구가 활발히 진행되면서 다양한 환경에서의 무선통신 관련 연구를 수행하고 있다. 본 논문에서는 수신 신호 세기를 이용한 선박용 실내 위치 추정 알고리즘을 분석하고 각 상황에 맞는 위치 추정 알고리즘을 제안한다. 무선 네트워크로부터 수신한 신호 세기를 이용하는 위치 추정 방식은 거리 추정 후 최소 제곱법을 이용하여 추정하는 Range based 방법이 있으며 네트워크를 구성하는 고정 노드와의 특성을 이용하여 위치를 추정하는 Range free 방식이 있다. 위치 추정 기법을 적용할 수 있는 해군 함정의 모델을 기반으로 효과적인 위치 추정 알고리즘을 시뮬레이션을 통해 분석하였다.
As the minimum feature size of semiconductor devices scales down to nano-scale regime, ultra shallow junction is highly necessary to suppress short channel effect. At the same time, Ni-silicide has attracted a lot of attention because silicide can improve device performance by reducing the parasitic resistance of source/drain region. Recently, further improvement of device performance by reducing silicide to source/drain region or tuning the work function of silicide closer to the band edge has been studied extensively. Rare earth elements, such as Er and Yb, and Pd or Pt elements are interesting for n-type and p-type devices, respectively, because work function of those materials is closer to the conduction and valance band, respectively. In this paper, we increased the work function between Ni-silicide and source/drain by using Pd stacked structure (Pd/Ni/TiN) for high performance PMOSFET. We demonstrated that it is possible to control the barrier height of Ni-silicide by adjusting the thickness of Pd layer. Therefore, the Ni-silicide using the Pd stacked structure could be applied for high performance PMOSFET.
Kim, Dae-Hyun;del Alamo, Jesus A.;Lee, Jae-Hak;Seo, Kwang-Seok
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제6권3호
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pp.146-153
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2006
We have been investigating InGaAs HEMTs as a future high-speed and low-power logic technology for beyond CMOS applications. In this work, we have experimentally studied the role of the side-recess spacing $(L_{side})$ on the logic performance of 50 nm $In_{0.7}Ga_{0.3}As$ As HEMTs. We have found that $L_{side}$ has a large influence on the electrostatic integrity (or short channel effects), gate leakage current, gate-drain capacitance, and source and drain resistance of the device. For our device design, an optimum value of $L_{side}$ of 150 nm is found. 50 nm $In_{0.7}Ga_{0.3}As$ HEMTs with this value of $L_{side}$ exhibit $I_{ON}/I_{OFF}$ ratios in excess of $10^4$, subthreshold slopes smaller than 90 mV/dec, and logic gate delays of about 1.3 ps at a $V_{CC}$ of 0.5 V. In spite of the fact that these devices are not optimized for logic, these values are comparable to state-of-the-art MOSFETs with similar gate lengths. Our work confirms that in the landscape of alternatives for beyond CMOS technologies, InAs-rich InGaAs FETs hold considerable promise.
광 위상 공액기(OPC: Optical Phase Conjugator)가 전체 전송 거리의 중간이 아닌 곳에 위치한 8-채널 WDM 시스템에서 두 전송 구간의 총 분산량 변동에 따른 각 채널의 보상 특성을 NRZ 형식과 RZ 형식별로 살펴보았다. 신호파를 공액파로 만드는 OPC의 비선형 매질로는 광대역 특성을 나타낼 수 있는 HNL-DSF(Highly- Non-linear Dispersion Shifted Fiber)를 사용했다. 우선 OPC를 중심으로 두 전송 구간의 총 분산량이 서로 동일하지 않은 WDM 전송 시스템에서는 전송 파형 형식으로 NRZ보다 RZ를 사용한 경우가 안정된 품질 유지에 더욱 유리하다는 것을 확인하였다. 또한 NRZ 파형 전송의 경우 OPC를 중심으로 두 전송 구간의 총 분산량을 동일하게 설정하는 것보다 상대적으로 길이가 짧은 전송 구간의 총 분산량을 길이가 긴 전송 구간의 총 분산량에 비해 작게 설정하여야 양호한 보상이 이루어지는 것을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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