Photoinduced electron transport process in nature such as photoelectric conversion and long-range electron transfer in photosynthetic organisms are known to occur not only very efficiently but also unidirectionally through the functional groups of biomolecules. The basic principles in the development of new functional devices can be inspired from the biological systems such as molecular recognition, electron transfer chain, or photosynthetic reaction center. By mimicking the organization of the biological system, molecular electronic devices can be realized $artificially^{1)}$. The nano-fabrication technology of biomolecules was applied to the development of nano-protein chip for simultaneously analyzing many kinds of proteins as a rapid tool for proteome research. The results showed that the self-assembled protein layer had an influence on the sensitivity of the fabricated bio-surface to the target molecules, which would give us a way to fabricate the nano-protein chip with high sensitivity. The results implicate that the biosurface fabrication using self-assembled protein molecules could be successfully applied to the construction of nanoscale bio-photodiode and nano-protein chip based on electrical detection.
Effect of high-temperature annealing on morphology of fully coherent self-assembled InAs quantum dots' grown on Si (100) substrates at $450^{\circ}C$ by atmospheric pressure metalorganic chemical vapor deposition(APMOCVD) was investigated by atomic force microscopy(AFM). When the dots were annealed at 500 - 600$^{\circ}C$ for 15 sec - 60 min, there was no appreciable change in the dot density but the heights of the dots increased along with the reduction in the diameters. In segregation from the InAs quantum dots and/or from the 2-dimensional InAs wetting layer which was not transformed into quantum dots looked responsible for this change in the dot size. However the change rates remained almost same regardless of annealing time and temperature, which may indicate that the morphological change due to thermal annealing is done instantly when the dots are exposed to high temperature annealing.
본 논문은 게이트 절연막에 OTS(n-octadecy trichlorosilance) 혼합용액을 이용하여 SAMs(Self-Assembled Monolayers)막을 형성하였다. OTS 혼합용액은 OTS를 0.1w%와 0.5w% 각각을 클로로포름 30w%와 헥산 70w%에 혼합하여 만들었다. 이 혼합용액을 게이트 절연막위에 표면처리하였다. 활성층인 Pentacene이 게이트 절연막 위에 증착될 때, OTS 혼합용액의 비에 따라 누설전류특성을 보았다. OTS를 0.1w% 처리한것이 0.5w%보다 누설전류가 더 작게 나타났다. 결과적으로 OTFT의 게이트 절연막의 절열특성은 향상시키는데 OTS 혼합용액의 비가 큰 영향을 준다.
Self-assembled monolayers(SAM) of microspheres such as silica and polystyrene(PS) beads have found widespread application in photonic crystals, sensors, and lithographic masks or templates. From a practical viewpoint, setting up a high-throughput process to form a SAM over large areas in a controllable manner is a key challenging issue. Various methods have been suggested including drop casting, spin coating, Langmuir Blodgett, and convective self-assembly(CSA) techniques. Among these, the CSA method has recently attracted attention due to its potential scalability to an automated high-throughput process. By controlling various parameters, this process can be precisely tuned to achieve well-ordered arrays of microspheres. In this study, using a restricted meniscus CSA method, we systematically investigate the effect of the processing parameters on the formation of large area self-assembled monolayers of PS beads. A way to provide hydrophilicity, a prerequisite for a CSA, to the surface of a hydrophobic photoresist layer, is presented in order to apply the SAM of the PS beads as a mask for photonic nanojet lithography.
본 연구에서는 금 나노입자로 전착된 전극위에 3-MPA로 개질된 자가조립 단층 전극의 순환전위법의 특성을 조사하였다. 또한 전극 주변에서 전자와 이온의 이동현상을 해석하였다. 반무한 확산모델을 채택하여, 물질전달 지배계에 대하여 지배방정식과 경계조건을 유도하였다. 자가조립단층 전극에 대한 순환전위법의 수치해를 구하기 위하여, 양함수 유한차분법을 적용하여 MATLAB 프로그램을 작성하여 해를 구현하였다. 자가조립으로 개질된 전극에 대한 본 CV 용 프로그램은 3-MPA으로 개질된 금 나노입자 SAM 전극의 순환전위법 실험결과를 잘 설명하고 있음을 확인할 수 있었다.
Selective vapor deposition of conductive poly(3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT), thin films has been carried out on self assembled monolayers patterned oxide substrate. Since the 3,4-ethylenedioxythiophene(EDOT) monomer can be polymerized only in the presence of oxidant such as $FeCl_3$, the PEDOT thin film is selectively deposited on patterned $FeCl_3$, which only adsorbs on the partly removed SAMs region due to the inability of $FeCl_3$ to adsorb on SAMs. Therefore, the partly removed SAMs can act as an adsorption layer for the $FeCl_3$ and also as a glue layer for the deposition of PEDOT, resulting in the significantly increased adhesion of PEDOT to $SiO_2$ substrate. The use of UV lithography and Cr patterned quartz mask provided the formation of SAMs patterns on oxide substrates, which allowed for the selective deposition of conductive PEDOT thin films.$^{oo}The$ new process was successfully developed for the selective deposition of PEDOT thin films on SAMs patterned oxide substrate, providing a new way for the patterning of vapor phase deposition of PEDOT thin films with accurate alignment and addressing the inherent adhesion issues between PEDOT and dielectrics.
Choi, Hyung-Y.;Guerrero, Michael S.;Aquino, Michael;Kwon, Chu-Hee;Shon, Young-Seok
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제31권2호
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pp.291-297
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2010
This article introduces a facile nanoparticle self-assembly/annealing method for the preparation of nanoisland films. First, nanoparticle-polymer multilayer films are prepared with layer-by-layer assembly. Nanoparticle multilayer films are then annealed at $~500^{\circ}C$ in air to evaporate organic matters from the films. During the annealing process, the nanoparticles on the solid surface undergo nucleation and coalescence, resulting in the formation of nanostructured gold island arrays. By controlling the overall thickness (number of layers) of nanoparticle multilayer films, nanoisland films with various island density and different average sizes are obtained. The surface property of gold nanoisland films is further controlled by the self-assembly of alkanethiols, which results in an increased surface hydrophobicity of the films. The structure and characteristics of these nanoisland film arrays are found to be quite comparable to those of nanoisland films prepared by vacuum evaporation method. However, this self-assembly/annealing protocol is simple and requires only common laboratory supplies and equipment for the entire preparation process.
MBE법으로 성장된 InAs/AlAs 양자점(quantum dots; QD) 구조의 광학적 특성을 photoreflectance(PR) 이용하여 조사하였다. Wetting layer(WL) 두께에 따른 전체 장벽의 폭이 달라짐에 따라 GaAs 완충층 및 WL 신호의 세기가 변화되었다. QD 층이 식각된 시료의 상온 PR측정 결과로부터 $1.1{\sim}1.4\;eV$ 영역의 완만한 신호는 InAs QDs과 WL에 관련된 신호임을 알았다. 온도 $450{\sim}750^{\circ}C$범위에서 열처리 시켰을 때 WL층의 PR 신호가 red shift하였는데, 이는 열처리 후 InAs WL와 AlAs층 사이에 Al과 In의 내부 확산에 의해 양자점의 크기가 균일하게 재분포 되고, WL의 임계 두께가 증가하였음을 나타낸다.
한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
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pp.1343-1346
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2005
Self assembled monolayers (SAM) are generally used at the anode/organic interface to enhance the carrier injection in organic light emitting devices, which improves the electroluminescence performance of organic devices. This paper reports the use of SAM of 1-decanethiol (H-S(CH2)9CH3) at the cathode/organic interface to enhance the electron injection process for organic light emitting devices. Aluminum (Al), tris-(8-hydroxyquionoline) aluminum (Alq3), N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3 -methylphenyl)-1,1'- diphenyl-4,4'-diamine (TPD) and indium-tin-oxide (ITO) were used as bottom cathode, an emitting layer (EML), a hole-transporting layer (HTL) and a top anode, respectively. The results of the capacitancevoltage (C-V), current density -voltage (J-V) and brightness-voltage (B-V), luminance and quantum efficiency measurements show a considerable improvement of the device performance. The dipole moment associated with the SAM layer decreases the electron schottky barrier between the Al and the organic interface, which enhances the electron injection into the organic layer from Al cathode and a considerable improvement of the device performance is observed. The turn-on voltage of the fabricated device with SAM layer was reduced by 6V, the brightness of the device was increased by 5 times and the external quantum efficiency is increased by 0.051%.
본 연구에서는 나피온 막을 통한 메탄올 투과도를 감소시키기 위하여 양전하를 띠는 polyaniline(PANi)와 음전하를 갖는 sulfonated Poly(ether sulfone)(SPES)으로부터 다층 자기조립 박막법으로 나피온 막의 표면을 개질하였다. PANi과 SPES는 열적 화학적으로 안정하며 매우 강직한 특성을 띄고 있어, 나피온 막 표면에 다층 자기조립 박막 형성시 메탄올 투과도 감소 및 치수 안정성의 향상을 기대할 수 있다. 자외선-가시광선 흡광분석에 의하여 PANi와 SPES의 다층박막의 형성이 균일하게 이루어짐을 확인 하였다. TEM 분석을 통하여 다층 자기조립 박막의 bilayer당 두께가 약 10 nm 정도임을 확인 하였다. 개질된 나피온 막은 순수한 나피온 막에 비하여 15%의 이온전도도 감소가 일어났지만 67%의 높은 메탄올 투과도 감소를 나타내어 2.5배 높은 선택도를 보였다. 5 M 메탄올을 연료로 사용한 연료전지 성능시험에서 개질된 나피온 막은 순수한 나피온 막에 비해 최대 전력 밀도가 $30^{\circ}C$에서는 2.4배 증가, $60^{\circ}C$에서는 1.4배 향상을 나타내었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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