• Environmental Engineering Research
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• 제24권4호
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• pp.566-571
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• 2019

One-pot hydrothermal route was adopted to synthesize Al:BiVO₄, at 4 h and 8 h reaction durations, by adding 1% aluminiumoxide powder (w/v) to the precursors. The products were investigated using several characterization techniques that conform a significant morphological change and a decrease in bandgap energy of the materials upon Al modification of scheelite monoclinic bismuth vanadate matrix at both hydrothermal durations. Antibacterial experiments were performed against methicillin-resistant Staphylococcus aureus in visible light condition to harness the photoxidation property of Al-doped BiVO₄ and compare to that of unaltered BiVO₄. Minimum inhibitory concentration of the synthesized materials was identified. The results indicate that Al-doping on BiVO₄ has a significant effect on its photocatalytic antibacterial performance. Al:BiVO₄ synthesized at 8 h hydrothermal treatment parades excellent sunlight-driven photocatalysis compared to the one synthesized at 4 h.

• 센서학회지
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• 제28권5호
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• pp.271-276
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• 2019

Pure and 0.5, 1, 2, 5, and 10 at% of Mo-doped $Co_3O_4$ yolk-shell spheres were synthesized by ultrasonic spray pyrolysis of droplets containing Co nitrate, ammonium molybdate, and sucrose and their gas sensing characteristics to 5 ppm trimethylamine (TMA), ethanol, p-xylene, toluene, ammonia, carbon monoxide, and benzene were measured at $225-325^{\circ}C$. The sensor using pure $Co_3O_4$ yolk-shell spheres showed the highest response to p-xylene and very low response to TMA at $250^{\circ}C$, while the doping of Mo into $Co_3O_4$ tended to increase the overall responses of gas sensors. In particular, the sensor using 5 at% Mo-doped $Co_3O_4$ yolk-shell spheres exhibited the high response to TMA with low cross-responses to other interfering gases. The high response and selectivity of Mo-doped $Co_3O_4$ yolk-shell spheres to TMA are attributed to the electronic sensitization by higher valent Mo doping and acid-base interaction between TMA and Mo components.

• Journal of Pharmaceutical Investigation
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• 제22권3호
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• pp.197-204
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• 1992

A gas chromatographic method using nitrogen phosphorous selective detection was developed for simultaneous determination of haloperidol and its metabolite, reduced haloperidol, in human plasma. Combelen was used as internal standard, The method involved extraction and trimethylsilylation followed by the injection of $2-4\;{\mu}l$ of benzene layer, which was used to dissolve the trimethylsilylated derivatives of haloperidol and reduced haloperidol, onto SE-54 column [5% phenyl methyl silica fused capillary column, $16m{\times}0.22\;mm$ $(I.D.){\times}0.33\;{\mu}m$ (coated thickness)]. The temperature of column oven was programmed from $200^{\circ}C\;to\;300^{\circ}C$ at the increase rate of $10^{\circ}C/min and also the temperatures of injector and detector were set at $300^{\circ}C$. Helium was used as carrier gas and its flow rate was maintained at 30 ml/min. The detection was conducted with nitrogen phosphorous selective detector. The retention times for combelen, reduced haloperidol and haloperidol were found to be 9.14, 9.75 and 9.99 min, respectively. The detection limits for haloperidol and reduced haloperidol in human plasma were both 0.2 ng/ml. The coefficients of variation of the intra-assay were generally low (below 9.8%). The mean absolute recoveries of added haloperidol and reduced haloperidol from plasma were 72% and 84%, respectively. No interferences from endogenous substances were found.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.265-265
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• 2014

일반적으로 태양전지 및 반도체 공정에서 불순물 주입 과정인 도핑(Doping)공정은 크게 몇 가지 방법으로 구분해 볼 수 있다. 소성로(Furnace)를 이용하여 열을 통해 불순물을 웨이퍼 내부로 확산시키는 열확산 방법과 진공 챔버 내부에서 전자기장을 걸어 이온을 극도로 가속시켜 진행하는 이온 주입(Ion implantation)이나 이온 샤워(Ion shower)를 이용한 도핑 방법이 있다. 또한 최근 자외영역 파장의 레이저광을 조사하여 광화학 반응에 의해 도펀트 물질를 분해하는 동시에 조사 부분을 용해하여 불순물을 도포하는 기법인 레이져 도핑(Laser doping) 방법이 개발중이다. 그러나 레이져나 이온 도핑 공정기술은 고가의 복잡한 장비가 필요하여 매출 수익성 및 대량생산에 비효율적이며 이온 주입에 의한 박막의 손상을 치료하기 위한 후속 어닐링(Post-annealing) 과정이 요구되는 단점을 가지고 있고 열확산 도핑 방법은 정량적인 불순물 주입 제어가 어렵고 시간 대비 생산량의 한계가 있다. 반면 대기압 플라즈마로 도핑을 할 경우 기존에 진공개념을 벗어나 공정상에서 보다 저가의 생산을 가능케 할 뿐아니라 멀티 플라즈마 소스 개발로 이어진다면 시간적인 측면에서도 단연 단축시킬 수가 있어 보다 대량 생산 공정에 효과적이다. 따라서 본 연구에서는 새로운 도핑 방법인 대기압 플라즈마를 이용한 도핑 공정기술의 가능성을 제안하고자 도핑 공정 시 웨이퍼 내 전류 패스(Current path)에 대한 메카니즘을 연구하였다. 대기압 플라즈마 방전 시 전류가 웨이퍼 내부에 흐를 때 발생되는 열을 이용하여 도핑이 되는 형식이란 점을 가정하고 이 점에 대한 원리를 증명하고자 실험을 진행하였다. 실험 방식은 그라운드(Ground) 내 웨이퍼의 위치와 웨이퍼 내 방전 위치에 따라 적외선 화상(IR image: Infrared image) 화상을 서로 비교하였다. 적외선 화상은 실험 조건에 따라 화상 내 고온의 표식이 상이하게 변하는 경향성을 나타내었다. 이 고온의 표식이 전류 패스라는 점을 증명하고자 시뮬레이션을 통해 자기장의 전산모사를 한 결과 전류 패스의 수직 방향으로 자기장이 형성이 됨을 확인하였으며 이는 즉 웨이퍼 내부 전류 패스에 따라 도핑이 된다는 사실을 명백히 말해주는 것이며 전류 패스 제어의 가능성과 이에 따라 SE(Selective Emitter) 공정 분야 응용 가능성을 보여준다.

• Composites Research
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• 제36권6호
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• pp.408-415
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• 2023

질소 도핑에 의한 Pyridinic-N, Pyrrolic-N, Graphitic-N과 같은 결합 구성의 형성은 탄소나노소재의 물리적 특성을 조절하거나 새로운 물성을 부여하는 중요한 역할을 한다. 본 연구에서는 멜라민을 도펀트 소스로 혼합하여 탄소 나노튜브(CNT)의 질소 결합 구성을 조절하는 간단하고 비용 효율적인 접근 방식을 제안한다. Stirring, Bath sonication 및 Tip sonication과 같은 세 가지 기계적 방법을 통해 멜라민을 탄소나노튜브와 혼합한 후 열처리를 통해 질소 도핑을 진행하였다. CNT 대비 멜라민 비율이 높을수록 Pyrrolic-N의 비율이 높게 나타났으며 Stirring을 통해 혼합한 경우 가장 높은 Pyridinic-N의 비율을 나타내었다. 본 연구에서 제안한 방법은 기계적인 혼합 방법을 이용해 탄소나노튜브에 다양한 종류의 질소 도펀트를 선택적으로 형성할 수 있는 손쉬운 방법으로, 향후 질소가 도핑된 탄소나노물질의 응용을 용이하게 할 것으로 기대된다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제29권6호
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• pp.370-375
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• 2016

In this paper, we investigated the electrical properties of crystalline silicon solar cell fabricated with Ni/Cu/Ag plating. The laser process was used to ablate silicon nitride layer as well as to form the selective emitter. Phosphoric acid layer was spin-coated to prevent damage caused by laser and formed selective emitter during laser process. As a result, the contact resistance was decreased by lower sheet resistance in electrode region. Low sheet resistance was obtained by increasing laser current, but efficiency and open circuit voltage were decreased by damage on the wafer surface. KOH treatment was used to remove the laser damage on the silicon surface prior to metalization of the front electrode by Ni/Cu/Ag plating. Ni and Cu were plated for each 4 minutes and 16 minutes and very thin layer of Ag with $1{\mu}m$ thickness was plated onto Ni/Cu electrode for 30 seconds to prevent oxidation of the electrode. The silicon solar cells with KOH treatment showed the 0.2% improved efficiency compared to those without treatment.

• Journal of Pharmaceutical Investigation
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• 제41권1호
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• pp.31-36
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• 2011

$5HT_{2C}$ receptor among fourteen 5-HT subtypes plays important roles in several disorders such as depression, anxiety, epilepsy, schizophrenia and sleep disorders. The purpose of the study is to investigate pharmacokinetic parameters and bioavailability of a newly synthesized selective agonist of $5-HT_{2C}$ receptor, KOPC-20010 (KP10) in rats after intravenous and oral administration for the development of therapeutic anti-obesity agents. KP10 was administered orally (40 mg/kg) or intravenously (20 mg/kg), blood was collected via a catheter, and analyzed by GC/MSD. The calibration curve of KP10 in plasma and urine showed high linearity ($r^2$ >0.999). The retention times of KP10 in plasma and urine were 8.7 and 9.7 min, respectively. After oral administration of 40 mg/kg, pharmacokinetic parameters were calculated as follows; $C_{max}$ value was $1242.9{\pm}1195.5$ ng/mL at $1.1{\pm}0.6$ hr ($T_{max}$). $AUC_{0->24hr}$ and $AUC_{0>{\infty}}$ were $8034.2{\pm}960.7$ and $10464.1{\pm}681.5\;ng{\cdot}hr/mL$, respectively. The terminal half-life was $21.9{\pm}7.6$ hr. $AUC_{0->24hr}$ and $AUC_{0>{\infty}}$ were $4292.4{\pm}523.0$ and $6111.2{\pm}756.2\;ng{\cdot}hr/mL$, respectively, after 20 mg/kg of intravenous administration. The terminal half-life after intravenous administration was $25.1{\pm}9.4$ hr. Bioavailability of KP10 was determined to 86%. The excretion amount into the urine within 48 hr was approximately 4.7 to 6.7% of the dose administered. These data may be beneficial to the anti-obesity drug development of KP10.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.74-75
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• 2009

White light emitting device based on a red fluorescence material (5,6,11,12)-Tetraphenylnaphthacene(Rubrene) has been fabricated. The white OLED consists of it and a blue phosphorescent material FIrPic (iridum-bis(4,6,-difluorophenylpyridinato-N,C2)-picolinate) The threshold voltage is 5.3V, and the brightness reaches $1000\;cd/m^2$ at 11V, $14.5\;mA/cm^2$. The color of the light corresponds to a CIE coordinate of (0.30, 0.38). The highest efficiency of the device can reach 9.5 cd/A or 5.5 1m/W at 6V, $0.1mA/cm^2$.

• 전자공학회지
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• 제30권5호
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• pp.53-53
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• 2003

지금까지 GaN 계열 물질의 양자점 소자 관련 연구 동향을 양자점 구현 방식을 중점으로 하여 살펴보았다. GaN 계열 물질의 양자점을 구현하는 방법은 S-K 성장모드를 이용한 자발형성 양자점 구현법, anti-surfactaant를 이용하는 방법, selective epitaxy를 이용한 양자점 구현법 등이 시도되고 있다. 현재 GaN 계열 물질의 양자점 소자 연구는 아직 충분한 연구가 이루어지짖 않은 관계로 optical pumping을 통한 LD lasing 구현에 머무르고 있는 실정이다. 후 소자로의 응용을 위해서는 여러 가지 문제점이 해결되어야 한다. 우선 우수한 결정성을 지니는 양자점의 성장이 이루어져야 한다. 이외에도 각 구현 방법 별로 GaN 및 AlGaN 양자점 성장용 기판으로 많이 사용되는 높은 조성의 AlGaN 및 AlN의 doping 기술 개발, patterning 기술의 개선을 통한 미세 공정 개발 등의 여러 가지 과제들이 남아 있다. 그러나, 양자점이 지진 우수한 특성과 이를 이용한 높은 응용 가능성을 고려할 때 GaN 계열 양자점 소자의 전망은 밝다고 할 수 있다.

• 전자공학회지
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• 제30권5호
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• pp.509-517
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• 2003

지금까지 GaN 계열 물질의 양자점 소자 관련 연구 동향을 양자점 구현 방식을 중점으로 하여 살펴보았다. GaN 계열 물질의 양자점을 구현하는 방법은 S-K 성장모드를 이용한 자발형성 양자점 구현법, anti-surfactaant를 이용하는 방법, selective epitaxy를 이용한 양자점 구현법 등이 시도되고 있다. 현재 GaN 계열 물질의 양자점 소자 연구는 아직 충분한 연구가 이루어지짖 않은 관계로 optical pumping을 통한 LD lasing 구현에 머무르고 있는 실정이다. 후 소자로의 응용을 위해서는 여러 가지 문제점이 해결되어야 한다. 우선 우수한 결정성을 지니는 양자점의 성장이 이루어져야 한다. 이외에도 각 구현 방법 별로 GaN 및 AlGaN 양자점 성장용 기판으로 많이 사용되는 높은 조성의 AlGaN 및 AlN의 doping 기술 개발, patterning 기술의 개선을 통한 미세 공정 개발 등의 여러 가지 과제들이 남아 있다. 그러나, 양자점이 지진 우수한 특성과 이를 이용한 높은 응용 가능성을 고려할 때 GaN 계열 양자점 소자의 전망은 밝다고 할 수 있다.