• 한국표면공학회지
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• 제36권4호
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• pp.334-338
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• 2003

$BCl_3$고밀도 평판형 유도결합 플라즈마(High Density Planar Inductively Coupled Plasma)를 이용하여 AlGaAs와 InGaP의 건식식각에 대하여 연구하였다. 본 실험에서는 ICP 소스파워(0∼500 W), RIE 척 파워(0-150 W), 공정압력(5∼15 mTorr)의 변화에 따른 AlGaAs와 InGaP의 식각률, 식각단면 그리고 표면 거칠기 등을 분석 하였다. 또, 공정 중 OES(Optical Emission Spectroscopy)를 이용하여 in-situ로 플라즈마를 관찰하였다. $BCl_3$ 유도결합 플라즈마를 이용한 AlGaAs의 식각결과는 우수한 수직측벽도와(>87$^{\circ}$) 깨끗하고 평탄한 표면(RMS roughness = 0.57 nm)을 얻을 수 있었다. 반면, InGaP의 경우에는 식각 후 표면이 다소 거칠어진 것을 확인할 수 있었다. 모든 공정조건에서 AlGaAs의 식각률이 InGaP보다 더 높았다. 이는 $BCl_3$ 유도결합 플라즈마를 이용하여 InGaP을 식각하는 동안 $InCl_{x}$ 라는 휘발성이 낮은 식각부산물이 형성되어 나타난 결과이다. ICP 소스파워와 RIE 척파워가 증가하면 AlGaAs와 InGaP모두 식각률이 증가하였지만, 공정압력의 증가는 식각률의 감소를 가져왔다. 그리고 OES peak세기는 공정압력과 ICP 소스파워의 변화에 따라서는 크게 변화하였지만 RIE 척파워에 따라서는 거의 영향을 받지 않았다.

• 한국결정성장학회지
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• 제19권1호
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• pp.6-10
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• 2009

본 논문에서는 혼합소스(mixed-source) HVPE(hydride vapor phase epitaxy)방법으로 선택성장(SAC: selective area growth) GaN/AlGaN 이종접합구조의 발광다이오드를 r-plane 사파이어 기판 위에 제작하였다. SAG-GaN/AlGaN DH(double heterostructure)는 고온 GaN 버퍼층, Te 도핑된 AlGaN n-클래딩층. Gan 활성층. Mg 도핑된 AlGaN p-클래딩층. Mg 도핑된 GaN p-캡층으로 구성되어있다. GaN/AlGaN 이종접합구조의 발광다이오드의 특성을 알아보기 위해 SEM을 통한 구조적 분석과 전류-전압 측정(I-V: current-voltage measurement), 전류-광출력(EL: electroluminescence) 측정을 통하여 전기적, 광학적 특성을 평가하였다.

• 전기학회논문지
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• 제58권12호
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• pp.2420-2424
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• 2009

We have successfully demonstrated of metal-insulator-semiconductor (MIS) capacitors with $Al_2O_3/p-Si$ structures. The $Al_2O_3$ film was grown at $200^{\circ}C$ on H-terminated Si wafer by atomic layer deposition (ALD) system. Trimethylaluminum [$Al(CH_3)_3$, TMA] and $H_2O$ were used as the aluminum and oxygen sources. A cycle of the deposition process consisted of 0.1 s of TMA pulse, 10 s of $N_2$ purge, 0.1 s of $H_2O$ pulse, and 60 s of $N_2$ purge. The 5 nm thick $Al_2O_3$ layer prepared on Si substrate by ALD exhibited excellent electrical properties, including low leakage currents, no mobile charges, and a good interface with Si.

• 한국토양비료학회지
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• 제4권2호
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• pp.167-175
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• 1971

김해특이 산성토양에서 벼생육을 저해하는 원인을 구명하고자 폿트에 벼를 재배하면서 생육기간동안 2주일 간격으로 토양 및 용출액 pH, Eh, $Fe^{2+}$, Al 등의 변화를 조사하였고 수확기 식물체에 대해 P, Si, Fe, Al 등을 분석한 결과를 요약하면 다음과 같다. 생육초기에는 무처리구나 석회처리구에서 모두 정상적인 생육을 하였으나 유수형성기 며칠 전에 무처리구에서 갑자기 적갈색반점이 나타나기 시작하여 2~3일 사이에 극심하게 전 부위에 퍼졌다. 이때에 생육이 극히 저해를 받아 그 이후의 생육은 상당히 억제되어 결국 수량에 있어서 큰 차이를 가져왔다. 이 시기에 토양은 급격한 환원이 일어났으며 FeS의 생성이 현저하였으나 유리 $H_2S$는 검출되지 않았다. 피해가 없었든 석회처리구에서는 Al이 검출되지 않았으나 무처리구에서만 토양이나 용출액 중에 Al이 상당량 존재해있었다. $Fe^{2+}$은 토양 중에서는 석회처리구에서 오히려 높았고 용출액 중에서는 석회구보다 무처리구에서 약간 높은 경향이었으나 그차는 크지 않았다. 그러나 용출액중의 $Fe^{2+}$의 함량은 무처리에서 후기 계속 높은 경향이었으나 석회구에서는 극히 낮은 농도로 떨어졌다. 토양에서도 후기에는 석회처리구를 훨씬 능가하여 높은 함량을 보였다. 식물체 분석결과 처리에 무관하게 P의 함량이 보통답에서 자란 벼보다 낮은 경향이었고 석회처리에 의해 Si의 흡수량이 현저히 증가하였다. Fe나 Al의 함량은 무처리구에서 모두 높았는데 Fe 함량 차이가 더 뚜렷하였다. 이는 생육후기에 무처리구에서 $Fe^{2+}$가 계속 높은 함량을 보였기 때문으로 보인다. 결론적으로 이 특이 산성토양에서의 피해는 pH가 낮고 Al 함량이 비교적 높은 상태에서 강한 환원에 의해 유발되는 것으로 생각되어 $Fe^{2+}$에 의한 피해 여부를 조사하기 위해서는 생육기간중 Fe 흡수상황을 식물체 분석을 통하여 더욱 검토하여야 할 것이다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제15권3호
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• pp.258-264
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• 2004

본 논문에서는 40 ㎓ 대역 MMIC(Monolithic Microwave Intergrated Circuit) 이중평형 star 혼합기를 비아 공정이 있는 GaAs substrate(두께 4 mil)상에서 설계 및 제작, 측정하였다. 이중평형 star 혼합기를 구현하기 위해 발룬회로와 다이오드 설계가 필요했다. 발룬회로는 microstrip과 CPS(Coplanar Strip)를 이용하여 새로운 구조를 제안하여, 2 ㎓ 대역으로 주파수를 낮추어 새로운 구조의 발룬 성능을 PCB로 제작하여 확인한 바 있다. 이를 바탕으로 40 ㎓에서 MMIC 발룬을 설계하였다. 제안된 발룬은 비아 공정이 포함된 MMIC 회로에 적 합하며, 이중평형 혼합기 구현에 쉽게 적용 가능하다는 특징이 있다. 다이오드는 p-HEMT를 사용하는 밀리미터파 대역의 다른 MMIC 회로들과의 호환성을 고려하여, p-HEMT 공정을 기반으로 한 쇼트키 다이오드를 설계하였다. 이를 이용 제안한 발룬회로와 다이오드를 조합하여, 이중평형 star 혼합기를 구현하였다. 혼합기의 측정 결과 LO전력이 18 ㏈m일 때, 변환손실 약 30 ㏈를 얻었다. 이는 p-HEMT의 AlGaAs/InGaAs 층에 의한 다이오드 때문이며, p-HEMT구조에서 AlGaAs층을 식각하여 단일 접합 다이오드를 만들면 혼합기의 성능이 개선될 것으로 예상된다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1987년도 전기.전자공학 학술대회 논문집(I)
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• pp.461-464
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• 1987

With the fabrication of Al-$Al_2O_3$-n(p) type Si devices, the analysis and measurement of various characteristics, this study presented the electric physical property theory for the charge distribution of MAS device $Al_2O_3$ films, and inquired out the devices available. In order to study them, Al-(450A)$Al_2O_3$-n(p) type Si was the main objects in the study. They were examined through carrier injection, C-V curves of devices on time, ${\Delta}V_{FB}$-t curves, I-V curves and $Al_2O_3$ film's breakdown characteristics.

• 생약학회지
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• 제22권1호
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• pp.36-44
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• 1991

This study was attempted to investigate the acute toxicity of Liocolae vermiculus(Liocola brevitarsis) extract in mice, the effect on GOT, GPT Al.p, LDH activities and level of total cholesterol in serum of $CCl_4-intoxicated$ rats. In acute toxicity test, Liocolae vermiculus extract showed 10% mortality at 2,000 mg/kg, p.o. and at 1,000 mg/kg, i.p.. The Liocolae verculus extract caused a remarkable decrease in serum transaminase as well as Al.p activities in $CCl_4-intoxicated$ rats at $300{\sim}1,000{\;}mg/kg$ dosage ranges. The activities of -LDH and the level of total cholesterol were significantly decreased in all sample-treated group, when compared with the control group. The body weight decreased, and the liver and spleen weight increased in $CCl_4-intoxicated$ rats were significantly recovered by the administration of the extracts.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1999년도 추계종합학술대회 논문집
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• pp.295-298
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• 1999

AlGaAs/InGaAs power P-HEMTS (Pseudo-morphic High Electron Mobility Transistors) with 1.0-${\mu}{\textrm}{m}$ gate length for PCS applications have been fabricated. We adopted single heterojunction P-HEMT structure with two Si-delta doped layer to obtain higher current density. It exhibits a maximum current density of 512㎃/mm, an extrinsic transconductance of 259mS/mm, and a gate to drain breakdown voltage of 12.0V, respectively. The device exhibits a power density of 657㎽/mm, a maximum power added efficiency of 42.1%, a linear power gain of 9.85㏈ respectively at a drain bias of 6.0V, gate bias of 0.6V and an operation frequency of 1.765㎓.

• 식물조직배양학회지
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• 제25권3호
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• pp.147-152
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• 1998

AL1-gene은 TGMV의 복제에 매우 중요한 역할을 하고 있다. 이 AL1 gene의 발현을 억제하기 위해서는 식물체내에서 AL1 gene의 antisense RNA의 발현에 의한 억제가 효과적 방법 중에 하나로 알려져 있다. 이런 발현을 식물체내에서 실현시키기 위해 hygromycin 저항성 유전자에 antisense AL1-gene을 연결시키고, 연결된 부위를 CaMV35s-promoter와 octopine synthase gene terminator 사이에 연결시켰다. 이 유전자 발현 단위 부분을 다시 kanamycin 저항성 유전자 발현 단위 부분을 지니고 있는 형질 전환 벡터인 pBinAR에 삽입시켜 새로운 형질 전환 벡터인 pAR35-2를 개발하였다. 이 벡터를 Agrobacterium tumefaciens LBA4404에 형질전환 시킨 다음, 토마토와 담배 잎사귀 조직에 감염시켜 식물체들을 kanamycin과 hygromycin이 함유된 배지위에서 배양하여 형질전환된 식물체들을 선발하였다. 형질 전환된 식물체들로부터 antisense AL1-gene 및 antisense RNA를 각각 PCR 및 RT-PCR를 이용한 southern hybridization 방법을 이용하여 증명하였고, 토마토 식물체의 공변세포쌍 내에 있는 엽록체 숫자가 여덟 개라는 것이 확인되어 형질 전환된 토마토 식물체가 2 배수체로서 정상적인 식물체라는 것을 증명하였다. 이러한 형질 전환 식물체는 앞으로 항 바이러스성 형질을 지니는 식물체들을 개발하는 데 많은 도움을 주리라 여겨 진다. 그리고, 본 연구에서 제조된 벡터 pAR35-2는 두 개의 항생제에서 동시 선발 할 수 있도록 되어 있고 promoter가 두 개로 되어 있어 형질 전환 식물체선발 및 유전자 발현 연구에 효과적으로 이용되어 질 수 있으리 라 여겨진다.

• 생명과학회지
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• 제11권2호
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• pp.153-158
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• 2001

To investigate the effects of soil acidification on growth of Impatiens balsamina L. plants were transplanted to acidified soils with H$_2$SO$_4$ solution. The concentrations of soluble Ca, Mg, K, Al and Mn in the acidified soils increased with increment of H$^{+}$ addition to the soil. In both species, the plant height and root length were inhibited by soil acidification, showing much severer inhibition in Impatiens balsamina L. than in Tagetes patula L., As the soil pH decreases, the growth of underground parts decreased greatly than that of above ground parts in both species. Total dry weight decreased with increased Al concentration as well as lowered soil pH in both plants. There was a strong positive correlation between relative total dry weight and molar (Ca+Mg+K) / Al ratio of the soil. The results suggest that molar(Ca+Mg+K)/ Al ratio of the soil may be useful indicator for assessing the critical load of acid deposition in herb species.s.