We have synthesized $Eu^{3+}$-doped $YVO_4$ phosphors by using a hydrothermal method and investigated their luminescent properties. Aqueous solutions of $Y_2O_3,\;V_2O_5,\;Eu_2O_3$, and nitric acid with various pH values were used as the precursors. The crystallinity, surface condition, and emission characteristics were examined using XRD, FT-IR, and photo-excited spectrometer. $Eu^{3+}$ incorporation followed by the efficient red emission strongly depends on the acidity of solution media. The emission intensity becomes stronger as the pH values increase to 7 and then gradually decreases. This phenomenon might be related to the hydroxyl quenching effect, which is induced by surface bound OH-groups.
Spherical $CeO_2:Ho^{3+}/Yb^{3+}$ particles were synthesized using spray pyrolysis, and the upconversion (UC) properties were investigated with changing the preparation conditions and the infrared pumping power. The resulting particles had a size of about $1{\mu}m$ and hollow structure. The prepared $CeO_2:Ho^{3+}/Yb^{3+}$ particles exhibited intense green emission due to the $^5F_4/^5S_2{\rightarrow}^5I_8$ transition of $Ho^{3+}$ and showed weak red or near-IR peaks. In terms of achieving the highest UC emission, the optimal concentrations of $Ho^{3+}$ and $Yb^{3+}$ were 0.3% and 2.0%, respectively. The UC emission intensity of prepared $CeO_2:Ho^{3+}/Yb^{3+}$ particles had a linear relationship with crystallite size and concentration quenching was caused by dipole-dipole interaction between the same ions. Based on the dependency of UC emission on the pumping power, the observed green upconversion was achieved through a typical two-photon process and concluded that the main energy transfer from $Yb^{3+}$ to $Ho^{3+}$ was involved in the ground-state adsorption (GSA) process.
In the 21st century, white light-emitting diodes (LEDs) are widely used as backlighting for liquid crystal displays and as a light source for general illumination. However, white LEDs used in lighting often use a single yellow phosphor on top of a blue LED chip, which lacks the ability to reproduce natural colors in objects under conventional illumination accurately. Recently, researchers have been actively working on realizing high color-rendering lighting by incorporating red quantum dots to improve the spectrum in the long-wavelength band, which is deficient in conventional white LEDs. In particular, how to develop and apply remote quantum dot components to ensure long-term reliability is currently under active research. This paper introduces recent research on remote quantum dot components and the current status of developing high color-rendering lightings with them. Especially, we focus on various factors that are important to consider in optimizing the optical structure of the quantum dot components and discuss the future directions and prospects of research for high color-rendering lighting technology.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.174-175
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2012
(In, Ga) N-based III-nitride semiconductor materials have been viewed as the most promising materials for the applications of blue and green light emitting devices such as light-emitting diodes (LEDs) and laser diodes. Although the InGaN alloy can have wide range of visible wavelength by changing the In composition, it is very hard to grow high quality epilayers of In-rich InGaN because of the thermal instability as well as the large lattice and thermal mismatches. In order to avoid phase separation of InGaN, various kinds of structures of InGaN have been studied. If high-quality In-rich InGaN/GaN multiple quantum well (MQW) structures are available, it is expected to achieve highly efficient phosphor-free white LEDs. In this study, we proposed a novel InGaN double hetero-structure grown on GaN nano-pyramids to generate broad-band red-color emission with high quantum efficiency. In this work, we systematically studied the optical properties of the InGaN pyramid structures. The nano-sized hexagonal pyramid structures were grown on the n-type GaN template by metalorganic chemical vapor deposition. SiNx mask was formed on the n-type GaN template with uniformly patterned circle pattern by laser holography. GaN pyramid structures were selectively grown on the opening area of mask by lateral over-growth followed by growth of InGaN/GaN double hetero-structure. The bird's eye-view scanning electron microscope (SEM) image shows that uniform hexagonal pyramid structures are well arranged. We showed that the pyramid structures have high crystal quality and the thickness of InGaN is varied along the height of pyramids via transmission electron microscope. Because the InGaN/GaN double hetero-structure was grown on the nano-pyramid GaN and on the planar GaN, simultaneously, we investigated the comparative study of the optical properties. Photoluminescence (PL) spectra of nano-pyramid sample and planar sample measured at 10 K. Although the growth condition were exactly the same for two samples, the nano-pyramid sample have much lower energy emission centered at 615 nm, compared to 438 nm for planar sample. Moreover, nano-pyramid sample shows broad-band spectrum, which is originate from structural properties of nano-pyramid structure. To study thermal activation energy and potential fluctuation, we measured PL with changing temperature from 10 K to 300 K. We also measured PL with changing the excitation power from 48 ${\mu}W$ to 48 mW. We can discriminate the origin of the broad-band spectra from the defect-related yellow luminescence of GaN by carrying out PL excitation experiments. The nano-pyramid structure provided highly efficient broad-band red-color emission for the future applications of phosphor-free white LEDs.
Rare earth ions, either $Eu^{3+}$ or $Dy^{3+}$-doped $CaMoO_4$ phosphors were synthesized by using the solid-state reaction method. The crystalline structure of all the phosphor powders, irrespective of the type and concentration of activator ions, was found to be a tetragonal system with the main diffraction peak at (112) plane. For $Eu^{3+}$-doped $CaMoO_4$ phosphors, the grain particles showed an increasing tendency and the pebble-like patterns with a very homogeneous size distribution in the range of 0.01~0.10 mol of $Eu^{3+}$ ions concentration, and the excitation spectra were composed of a broad band centered at 311 nm and weak multiline peaked in the range of 360~470 nm. The dominant emission spectrum was the strong red emission centered at 618 nm due to the $^5D_0{\rightarrow}^7F_2$ transition of $Eu^{3+}$ ions. For $Dy^{3+}$-doped $CaMoO_4$ powders, excitation spectra showed a charge transfer band centered at 303 nm and relatively weak bands resulting from the transitions of $Dy^{3+}$ ions and the main yellow emission spectrum was observed at 578 nm, which was assigned to the $^4F_{9/2}{\rightarrow}^7H_{13/2}$ transition of $Dy^{3+}$ ions.
White emission thin film electroluminecent device was fabricated with ZnS for phosphor layers and BST ferroelectric thin film for insulating layers. The ZnS:Mn and $ZnS:SmF_3$ layers were used for emission of red color. Also the $ZnS:TbF_3$ and $ZnS:AgF_3$ layers were used to emission of green and blue color, respectively. And the fabrication conditions of the BST insulating layers were followings, that is, the composition ratio of target, substrate temperature, working pressure and operating gas ratio were $Ba_{0.5}Sr_{0.5}Ti_{0.3}$, $400^{\circ}C$, 30 mTorr and 9:1, respectively. The thickness of phosphor were 150 nm for each layers and the insulating layers of upper and bottom were 400 nm and 200 nm, respectively. The luminesence threshold voltage was $75\;V_{rms}$ and the maximum brightness of the thin film electroluminecent device was $3200\;cd/m^2$ at $100\;V_{rms}$.
Park, Sang-Mi;Park, Joung-Kyu;Kim, Chang-Hae;Park, Hee-Dong;Jang, Ho-Gyeom
Journal of the Korean Ceramic Society
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v.38
no.9
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pp.806-810
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2001
$La_{2/3}TiO_3$, $La_2Ti_2O_7$ are used in various parts by dielectric properties. The purpose of the present study is to understand the photoluminescence properties of $Al^{3+}\;and\;Pr^{3+}$ doped perovskite-type $La_{2/3}TiO_3$ and pyrochlore-type $La_2Ti_2O_7$ phosphor, which characterized by the red emission $(^1D_2{\rightarrow}^3H_4)\;of\;Pr^{3+}$ of $Pr^{3+}$ ion. The explanation for the energy transfer and the corresponding critical distance were proposed on the role of Al^3+ ions as energy transfer mediates in perovskite-type $La_{2/3}TiO_3$:Pr phosphor. In order to clarify the distinction of photoluminescence propoerties between the perovskite-type $La_{2/3}TiO_3$ and the pyrochlore $La_2Ti_2O_7$, the trap-involved process and the charge transfer band have been investigated.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.29
no.3
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pp.186-191
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2016
The effects of $Eu^{3+}$ doping on the structural, morphological, and optical properties of $MgMoO_4:Dy^{3+},Eu^{3+}$ phosphors prepared by solid-state reaction technique were investigated. XRD patterns exhibited that all the synthesized phosphors showed a monoclinic system with a dominant (220) diffraction peak, irrespective of the content of $Eu^{3+}$ ions. The surface morphology of $MgMoO_4:Dy^{3+},Eu^{3+}$ phosphors was studied using scanning electron microscopy and the grains showed a tendency to agglomerate as the content of $Eu^{3+}$ ions increased. The excitation spectra of the phosphor powders were composed of a strong charge transfer band centered at 294 nm in the range of 230~340 nm and two intense peaks at 354 and 389 nm, respectively, arising from the $^6H_{15/2}{\rightarrow}^6P_{7/2}$ and $^6H_{15/2}{\rightarrow}^4M_{21/2}$ transitions of $Dy^{3+}$ ions. The emission spectra of the $Mg_{0.85}MoO_4$:10 mol% $Dy^{3+}$ phosphors without incorporating $Eu^{3+}$ ions revealed a strong yellow band centered at 573 nm resulting from the $^4F_{9/2}{\rightarrow}^6H_{13/2}$ transition of $Dy^{3+}$. As the content of $Eu^{3+}$ was increased, the intensity of the yellow emission was gradually decreased, while that of red emission band located at 614 nm began to appear, approached a maximum value at 10 mol%, and then decreased at 15 mol% of $Eu^{3+}$. These results indicated that white light emission could be achieved by controlling the contents of the $Dy^{3+}$ and $Eu^{3+}$ ions incorporated into the $MgMoO_4$ host crystal.
Park, Kyoung Sub;Kwon, Joon Kook;Lee, Dong Kwon;Son, Jung Eek
Journal of Bio-Environment Control
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v.25
no.2
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pp.111-117
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2016
The objective of this study was to analyze the microclimate and the growth of tomato and lettuce in the greenhouses covered with spectrum conversion films using different phosphor particles sizes. Two spectrum conversion films using phosphor particles larger than $10{\mu}m$ (Micro-film) and smaller than 500 nm (Nano-film) in radius, and poly-ethylene (PE) film were used in double-layered greenhouses as outer coverings. PE films were used as inner coverings in all the greenhouses. Thickness of the films for inner and outer coverings was 0.06 mm. Tensile strength, elongation, and tearing resistance of the Micro- and Nano-films were not different from those of the PE film. Transmittances at a wavelength of 300-1100 nm were a little higher at the Micro-film and lower at the Nano-film than that of the PE film, respectively. Air temperatures at the Micro- and Nano-films were over $2^{\circ}C$ higher than at the PE film, but no significant difference was observed between the two light conversion films. The soil temperature at the Nano-film was $1.5^{\circ}C$ and $3^{\circ}C$ higher than at the Micro- and PE films, respectively. The yields of tomato at the Micro- and Nano-films were 12% and 14% higher than at the PE film, but no significant difference was observed between the two spectrum conversion films. The total soluble solid showed no significant differences among all the films. The yields of lettuces at the Micro- and Nano-films were 27% and 59% higher than at the PE film. Hunter's red (a) value of the lettuce leaf was the highest at the Nano-film. In this experiment, tomatoes requiring high irradiation were better at the Nano film, while lettuce requiring low irradiation better at the Micro film.
Lim, Chang Sung;Atuchin, Victor V.;Aleksandrovsky, Aleksandr S.;Denisenko, Yuriy G.;Molokeev, Maxim S.;Oreshonkov, Aleksandr S.
Korean Journal of Materials Research
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v.29
no.12
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pp.741-746
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2019
New triple tungstate phosphors NaPbLa(WO4)3:Yb3+/Ho3+ (x = Yb3+/Ho3+ = 7, 8, 9, 10) are successfully fabricated by microwave assisted sol-gel synthesis and their structural and frequency upconversion (UC) characteristics are investigated. The compounds crystallized in the tetragonal space group I41/a and the NaPbLa(WO4)3 host have unit cell parameters a = 5.3927(1) and c = 11.7961(3) Å, V = 343.05(2) Å3, Z = 4. Under excitation at 980 nm, the phosphors have yellowish green emissions, which are derived from the intense 5S2/5F4→5I8 transitions of Ho3+ ions in the green spectral range and strong 5F5→5I8 transitions in the red spectral range. The optimal Yb3+:Ho3+ ratio is revealed to be x = 9, which is attributed to the quenching effect of Ho3+ ions, as indicated by the composition dependence. The UC characteristics are evaluated in detail under consideration of the pump power dependence and Commission Internationale de L'Eclairage chromaticity. The spectroscopic features of Raman spectra are discussed in terms of the superposition of Ho3+ luminescence and vibrational lines. The possibility of controlling the spectral distribution of UC luminescence by the chemical content of tungstate hosts is demonstrated.
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