유효 전단면의 크기를 최대가 되도록 하기 위해서는 다이 롤 높이의 최소화가 매우 중요하다. 본 연구에서는 V-링 압입량의 변화와 클리어런스의 변화에 대한 다이 롤 변화를 연구하였다. V-링 거리를 2mm로 고정하고 클리어런스가 다른 다이인서트를 적용할 수 있는 파인블랭킹 금형을 제작하여 전단해석과 실험을 진행하였다. 각 실험으로부터 시편을 채취하여 다이 롤 높이를 분석한 결과 V-링의 압력이 재료의 유동을 효과적으로 억제하고 펀치와 다이 사이의 클리어런스가 재료 두께에 대하여 1%의 경우가 다이 롤 높이가 낮게 됨을 알 수 있었다.
Deep submicron NMOSFETs with elevated source/drain can be fabricated using self-aligned selective epitaxial growth(SEG) of silicon for enhanced device characteristics with shallow junction compared to conventional MOSFETs. Shallow junctions, especially with the heartily-doped S/D residing in the elevated layer, give hotter immunity to Yt roll off, drain-induced-barrier-lowering (DIBL), subthreshold swing (SS), punch-through, and hot carrier effects. In this paper, the characteristics of both deep submicron elevated source/drain NMOSFETs and conventional NMOSFETs were investigated by using TSUPREM-4 and MEDICI simulators, and then the results were compared. It was observed from the simulation results that deep submicron elevated S/D NMOSFETs having shallower junction depth resulted in reduced short channel effects, such as DIBL, SS, and hot carrier effects than conventional NMOSFETs. The saturation current, Idsat, of the elevated S/D NMOSFETs was higher than conventional NMOSFETs with identical device dimensions due to smaller sheet resistance in source/drain regions. However, the gate-to-drain capacitance increased in the elevated S/D MOSFETs compared with the conventional NMOSFETs because of increasing overlap area. Therefore, it is concluded that elevated S/D MOSFETs may result in better device characteristics including current drivability than conventional NMOSFETs, but there exists trade-off between device characteristics and fate-to-drain capacitance.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제14권2호
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pp.139-145
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2014
Control of threshold voltage ($V_T$) by ground-plane (GP) technique for planar tunnel field-effect transistor (TFET) is studied for the first time using TCAD simulation method. Although GP technique appears to be similarly useful for the TFET as for the metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET), some unique behaviors such as the small controllability under weak ground doping and dependence on the dopant polarity are also observed. For $V_T$-modulation larger than 100 mV, heavy ground doping over $1{\times}10^{20}cm^{-3}$ or back biasing scheme is preferred in case of TFETs. Polarity dependence is explained with a mechanism similar to the punch-through of MOSFETs. In spite of some minor differences, this result shows that both MOSFETs and TFETs can share common $V_T$-control scheme when these devices are co-integrated.
This study was carried out to investigate the preference for traditional food of university students through the analysis of their daily meal types. Questionnaires were collected from a total of 197 students from December 2007 to February 2008 in Chungnam Province. The results are as follows; 148 of the respondents (73.0%) prefer Korean traditional meal as their favorite food. The significant differences are found in both gender groups and major groups (p<.05). 178 of the respondents (90.4%) answered that the traditional foods are excellent and good. However, the foods were significantly (p<.05) evaluated that major students consider them to be 'excellent' foods, while non-major students consider them to be 'good' foods. 136 of respondents (69.0%) answered that the traditional foods have beneficial influences on their health. In the survey on intake frequency of traditional meals, 137 of respondents (65.9%) have traditional foods more than twice a day. The ratio of traditional meal intake of male students is a significantly higher level (p<.05) than that of female students. Their preference for traditional rice cake, fermented rice punch, and juice mixed with fruits is a very high level of the average of 4.19, 4.22 and 4.34, respectively. The preference for Kimchi, Bulgoki, boiled beef slices, sundae and jelly was a relatively high level of the average of 4.43, 4.65, 4.14, 4.30, and 4.05, respectively. Concludingly, the research shows the majority of students enjoy korean traditional food and expect Korean food as favorite food to be developed and to be inherited.
For the development of a new creep test technique, the availability of SP-Creep test is discussed for 1Cr-0.5Mo boiler header material. And some results are also compared with those of 2.25Cr- 1Mo steel which widely uses as boiler superheater tube. The results can be summarized as follows. The load exponents(n) obtained by SP-Creep test for 1Cr-0.5Mo steel are decreased with increasing creep temperature and the values are 15.67, 13.89, and 17.13 at 550$^{circ}C$ ,575$^{circ}C$ and 600$^{circ}C$, respectively. The temperature dependence of the load exponent is given by n = 107.19 - 0.1108T. This reason that load exponents show the extensive range of 10∼16 is attributed to the fine carbide such as M$_{23}$C$_{6}$ in lath tempered martensitic structures. At the same creep condition, the secondary creep rate of 1Cr-0.5Mo steel is lower than the 2.25Cr-1Mo steel1 due to the strengthening microstructure composed by normalizing and tempering treatments. Through a SEM observation, it can be summarized that the primary, secondary, and tertiary creep regions of SP-Creep specimen are corresponding to plastic bending, plastic membrane stretching, and plastic instability regions among the deformation behavior of four steps in SP test, respectively.y.
Si nanocrystal (Si NC) memory device has several advantages such as better retention, lower operating voltage, reduced punch-through and consequently a smaller cell area, suppressed leakage current. However, the physical and electrical reasons for this behavior are not completely understood but could be related to interface states of Si NCs. In order to find out this effect, we characterized electrical properties of Si NCs embedded in a SiO$_{2}$ layer by scanning probe microscopy (SPM). The Si NCs were generated by the laser ablation method with compressed Si powder and followed by a sharpening oxidation. In this step Si NCs are capped with a thin oxide layer with the thickness of 1$\~$2 nm for isolation and the size control. The size of 51 NCs is in the range of 10$\~$50 m and the density around 10$^{11}$/cm$^{2}$ It also affects the interface states of Si NCs, resulting in the change of electrical properties. Using a conducting tip, the charge was injected directly into each Si NC, and the image contrast change and dC/dV curve shift due to the trapped charges were monitored. The results were compared with C-V characteristics of the conventional MOS capacitor structure.
Jack-up type WTIV(Wind Turbine Installation Vessel) is used to avoid the effects of waves when installing wind turbines in the Southwest Sea of South Korea. During the preloading procedure, unexpected penetration may cause some risks such as excessive penetration or punch-through failure. To ensure the safety of the WTIV during preloading, the bearing capacities should be evaluated based on the soil data at each borehole. Eight boreholes (OW-1 to -8) have been drilled in the Southwest Sea of South Korea. The bearing capacities of a spudcan designed to be used in this district are calculated using both a conventional analysis and finite element analysis with the soil properties of OW-1 to -8. A finite element analysis is carried out for OW-1, -3, and -4 to gain an in-depth understanding of the soil behavior during the penetration. OW-1, -3, and -4 are representative boreholes for a strong layer overlying a soft layer, a general soft layer, and a soft layer overlying a strong layer, respectively. The resultant bearing capacity curves versus the depth of the numerical analysis are compared with the conventional method. The results show that the conventional analysis is conservative. Case studies for different spudcan areas and shapes are also conducted to seek an appropriate spudcan type for the Southwest Sea of South Korea. Finally, a spudcan with a rectangular shape and a bearing area of $112.8m^2$ is selected.
PCB(Printed circuit board) 장착을 주목적으로 하는 포밍공정에서 주름을 발생시키지 않으면서, 실험을 통하여 재료의 두께 변화를 고찰하였다. 실험결과 제 1공정의 포밍 높이는 제 2공정에서의 재료두께 변화에 크게 영향을 미치는 것으로 나타났으며, 제 1공정에서 다이의 입구 모서리는 제품높이 50%정도의 라운드를 가져야 하며, 포밍의 높이는 원래의 제품보다 재료의 두께만큼 높게 하여야 한다. 또한 제 1공정에서 포밍형상을 구현하면 재료의 두께가 85%로 얇아지고 제 2공정에서 리스트라이킹시 재료의 두께가 80%로 얇아진다. 그러므로 정확한 형상을 구현하기 위해서는 재료가 얇아지는 것을 고려하여 다이는 원제품의 형상을 유지하고 펀치는 원제품의 깊이에 재료 두께의 20%이상 더한 값만큼 길이를 길게 하여야 압축의 효과를 얻을 수 있다.
Purpose: This study was conducted to establish the most effective method of cell therapy by comparing and analyzing the level of wound healing after various cell delivery methods. Methods: Human mesenchymal stem cells were administered using 5 different methods on full thickness skin defects which were deliberately created on the back of 4 - week old mice using a 8 mm punch. Different modes of administration, cell suspension, local injection, collagen GAG matrix seeding, fibrin, and hydrogel mix methods were used. In each experiment group, $4{\times}105$ mesenchymal stem cells were administered according to 5 deferent methods, and were not for the corresponding control group. Results: The wound healing rate was fastest in the local injection group. The wound healing rate was relatively slow in the collagen matrix group, however, the number of blood vessels or VEGF increased most in this group. Conclusion: For rapid wound healing through wound contraction, it is advantageous to administer MSC by the local injection method. For the healing process of a wide area, such as a burn, the seeding of cells to collagen matrix is thought to be effective.
핵연료 지지격자 소재로 사용되는 zircaloy-4의 유동응력을 Johnson-Cook 모델로 결정하고, 모델의 재료상수를 역 공학으로 도출했다. 변형률 항의 상수 A, B, n과 변형률 속도 항의 $\dot{\varepsilon}_0$은 인장시험을 통해 결정했다. 상수 C, m을 역 공학으로 도출하기 위해 슬롯밀링시험을 수행하고, 유한요소해석으로 모사했다. 실험과 해석으로 얻은 결과의 차이를 오차함수, 즉 최소화 대상 목적함수로 설정했고, 이 함수를 최소로 하는 C, m을 도출했다. 도출한 상수의 타당성을 검증하기 위해 상관계수를 살펴봤고, 전단시험과 해석을 수행해 교차 검증했다. 상관계수는 모든 조건에 대해 0.97이상으로 실험과 해석결과 사이에 강한 상관관계가 있음을 확인했다. 전단시험과 해석의 전단면 형상 및 최대하중을 비교하여 도출한 유동응력 모델이 타당함을 보였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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