몇가지 전처리제와 절화장미에 효과적인 보존용액으로 알려진 HQS+sucrose+ethionine 혼합액을 병행 처리하여 절화수명과 품질을 비교함으로써 절화장미의 관상가치를 향상시키고자 본 실험을 수행하였다. 절화수명은 증류수에 보존시에는 전처리 효과가 없었으며, HQS+sucrose+ethionine 용액에 보존하였을 때에는 aluminum sulfate 혼합액과 NaOCl 전처리에서 수명이 연장되었다. 흡수량은 증류수에 보존한 처리구에서 높은 경향을 보여 생체중과 반대의 결과를 나타냈다. 생체중은 STS+sucrose 전처리를 제외하고는 HQS+sucrose+ethionine 혼합액에 보존시 증류수보다 증가하였다. 꽃목굽음은 HQS+sucrose+ethionine 용액에 보존했을 때에는 모든 전처리에서 증류수보다 지연되는 경향을 보였으며 특히 aluminum sulfate 혼합액 전처리에서는 수명 종료시까지 꽃목굽음 현상이 거의 나타나지 않았다. 화경과 꽃잎의 건물중은 STS+sucrose 전처리를 제외하고는 처리간 차이가 없었으며, 보존용액에 있어서는 HQS 혼합액이 증류수보다 증가하는 경향을 보였다. 화색은 L값과 a값은 처리간 차이가 없었 으나 b값은 증류수에 보존한 처리구에서 최초의 값에 비해 낮게 나타났다.
As the size of the semiconductor devices shrinks to nanometer scale, the importance of plasma etching process to the fabrication of nanometer scale semiconductor devices is increasing further and further. But for the nanoscale devices, conventional plasma etching technique is extremely difficult to meet the requirement of the device fabrication, therefore, other etching techniques such as use of multi frequency plasma, source/bias/gas pulsing, etc. are investigated to meet the etching target. Until today, various pulsing techniques including pulsed plasma source and/or pulse-biased plasma etching have been tested on various materials. In this review, the experimental/theoretical studies of pulsed plasmas during the nanoscale plasma etching on etch profile, etch selectivity, uniformity, etc. have been summarized. Especially, the researches of pulsed plasma on the etching of silicon, $SiO_2$, and magnetic materials in the semiconductor industry for further device scaling have been discussed. Those results demonstrated the importance of pulse plasma on the pattern control for achieving the best performance. Although some of the pulsing mechanism is not well established, it is believed that this review will give a certain understanding on the pulsed plasma techniques.
Ionized magnetron sputtering은 high density plasma를 사용하여 스퍼터된 입자의 이온화율을 기판에서의 플럭스 기준으로 80%이상까지 증대시킬 수 있는 방법으로 반도체 소자의 아주 작은 홀이나 via contact등을 채울 수 있는 아주 유용한 수단이나 가스의 압력 이 30mTorr 이상으로 상당히 높아야만 이온화율이 높게 유지되어 스퍼터 증착 속도가 느려 지고 중성입자의 각도 분포가 넓어지는 단점이 있다. 그 원인이 스퍼터된 입자들에 의한 전 자 온도의 급격한 감소와 타겟 주변에서의 가스 희귀화 현상에 있다고 보고 이를 보완하고 자 스퍼터 전력을 펄스화 하는 방법을 고안하여 실험하였다. 그 결과 펄스의 on/off time이 10ms/10ms, 100ms/100ms에서 가장 높은 이온화율을 가시광 분광 결과에서 보였으며 실제 로 Ag의 XRD결과 (111)에서 (200)으로 우선 방위의 현격한 변화가 관찰되었다. 이를 고전 력 스퍼터링에 의한 중성 가스 가열과 냉각의 측면에서 해석하였다.
전처리 후 저장방법, 저장온 습도, 저장기간 등 저장조건에 따른 절화품질과 수명을 비교함으로써 절화장미의 관상가치를 향상시키고자 본 실험을 수행하였다. 건식-저온처리의 경우 상자 내부의 온도가 저장고의 온도조건과 같은 $3^{\circ}C$를 유지하는데 12시간이 소요되었으며 습도는 20시간 경과 후 99%를 유지하였다. 꽃목굽음은 aluminum sulfate 혼합액 전처리에서 지연되었으며, 저장온도에서는 저온이, 저장방법에서는 습식이 적게 발생하는 것으로 나타났다. 흡수량은 저장시간이 길어질수록 상온($25^{\circ}C$)저장 보다는 저온($3^{\circ}C$)저장에서 높게 나타났다. 화경은 저장기간이 길어짐에 따라 처리별로 작아지는 경향을 보였으며 건식 저장보다 습식 저장에서 화경이 큰 것으로 나타났다. 절화수명은 aluminum sulfate 혼합액 전처리에서 저장기간에 관계없이 연장되었다. 습식저장은 건식보다 절화수명이 연장되었고 저장시간이 길어질수록 그 효과는 뚜렷하였으며, 저온저장($3^{\circ}C$)이 상온($25^{\circ}C$)에 비해 절화수명이 연장되었다.
본 연구는 장미의 절화수명 연장과 품질을 향상시키기 위한 목적으로 삽지각도, sucrose 전처리 시간 그리고 sucrose 농도가 절화수명에 미치는 영향을 조사하기 위해서 수행하였다. Sucrose soaking 처리시 sucrose 농도는 0.5, 1 및 2% 그리고 sucrose pulsing 처리시 sucrose 농도는 0, 1, 2, 및 4%를 이용하였다. Sucrose pulsing처리는 2 hrs 및 20 hrs 전처리 한 다음 실험을 수행하였다, 시험관에 100 mL씩 각각의 보존용액을 채운 후 삽지각도는 수평($0^{\circ}$), 수직($90^{\circ}$) 그리고 중간정도($45^{\circ}$)를 유지하여 실험을 수행하였다. Sucrose soaking 처리시 sucrose 농도와 각도에 따라서 꽃잎의 개화가 영향을 받은 것으로 보아 절화수명 연장을 위해서는 sucrose 농도를 높게 하고 각도를 수직으로 유지하는 것이 좋을 것으로 사료된다. 그리고 sucrose pulsing 2hrs 및 20 hrs 전처리 후, 삽지각도 $45^{\circ}$ 처리구에서는 개화가 지연되고 색상의 유지가 양호하였으나 $90^{\circ}$ 처리구에서는 조사 시작일 부터 개화가 빠르게 진행되고 색상도 빠르게 변색이 진행되므로 절화수명연장의 측면에서 삽지각도 $90^{\circ}$는 바람직하지 못한 것으로 사료된다.
Phonetic voicing does not support the phonological distinction of voiced/voiceless in English stops. The present study is aimed at defining the nature of voicing of English voiced stops. A review of the literature reveals that the voicing is position-conditioned and its length is notably inconsistent relative to the closure duration. No consistent relationships are found between vocal fold adduction and glottal pulsing in initial position. Stress reduced the voicing, etc. The hypothesis for experiments was: (1) active voicing: stress generates longer (stronger) voicing during the closure duration of a voiced stop; (2) passive voicing: stress induces shorter (weaker) voicing during the closure. Instead the voiced stop becomes more voiced when the preceding vowel (syllable) is stressed. The literature review and the results of two experiments comparing English and Slovakian suggested that the voicing of English voiced stops is passive (i.e., a coarticulation of glottal pulsing for adjacent vowels-syllables) and should be distinguished from active voicing in some other languages.
Usually nanosecond pulsing laser ablation of metal is under thermal effect. Many studies of the theoretical analysis and modeling to predict a result of laser ablation of metal are suggested on the basis of the photothermal mechanism. In this paper, we investigate the etching depth and laser fluence of laser ablation of copper films. We proposed the simplified SSB Model(Srinivasan-Smrtic-Babudp model) to study the photothermal effect of nanosecond pulsing laser ablation of copper thin metal. The experimental results were obtained by using the 355nm DPSS $Nd:YVO_4$ laser.
The ion energy distributions (IEDs) arriving at a substrate strongly affect the etching rates in plasma etching processes. In order to determine the IEDs accurately, it is important to obtain the characteristics of radio frequency (rf) sheath at pulsed rf substrates. However, very few studies have been conducted to investigate pulsing effect on IEDs at multiple rf driven electrodes. Therefore, in this work, we extended previous one-dimensional dynamics model for pulsed-bias electrodes. We obtained the IEDs using the developed rf sheath model and observed that numerically solved IEDs are in a good agreement with the experimental results.
ESD(Electro-Static Discharge) 보호회로용 nMOSFET에 대하여 TCAD 시뮬레이션을 수행하기 위한 새로운 parameter calibration 방법론을 제안하였다. ESD 특성 측정방법의 하나인 TLP (Transmission Line Pulsing)측정을 이용하는 경우, ESD 입력에 대하여 시간변화에 따른 소자의 특성을 파악할 수 있기 때문에 최근 많은 관심을 받고 있다. 본 논문에서는 TLP 측정의 해석방법과 TCAD simulation, 그리고 parameter calibration의 방법론을 제시하였다.
Cylindrical bag filter system with pulse jet cleaning has been the most common device to control particle laden exhaust gas from the various industrial processes. But, it has many shortcomings due to particle reattachment and frequent bag rupture. In recent years, rectangular type bag filter system has been developed to overcome the problems associated with the cylindrical system. However, not many studies about the rectangular system were not done, compared to the cylindrical system. In this study, the optimum pulse jet cleaning conditions were thus tested by the series of experiments. The factors tested in this study are pulse distance, pulse pressure, pulse duration, the number of holes for pulsing and bag materials. A single bag ($1,500mmL{\times}50mmW{\times}300mmH$) system and a multi-bags (3 bags in a row) were tested separately. The highest removal efficiency with a single bag system was found at the conditions with pulse distance of 10cm, pulse pressure of $3kg/cm^2$, pulse duration of 0.3s, pulse jet number of 6 and Polyester bag. With the multi-bags system, the best cleaning conditions were found at the bag interval of 20cm with the simultaneous pulsing and the bag interval of 15cm with the serial pulsing.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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