Application of Pulsed Plasmas for Nanoscale Etching of Semiconductor Devices : A Review |
Yang, Kyung Chae
(School of Advanced Materials Science and Engineering, SungKyunKwan University (SKKU))
Park, Sung Woo (School of Advanced Materials Science and Engineering, SungKyunKwan University (SKKU)) Shin, Tae Ho (School of Advanced Materials Science and Engineering, SungKyunKwan University (SKKU)) Yeom, Geun Young (School of Advanced Materials Science and Engineering, SungKyunKwan University (SKKU)) |
1 | S. Samukawa, Feature profile evolution in plasma processing using on-wafer monitoring system, Springer Japan, Tokyo (2014). |
2 | M. A. Lieberman and A. J. Lichtenberg, Principles of Plasma Discharges and Materials Processing, Hoboken, NJ (2005). |
3 | R. Doering and Y. Nishi, Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology, CRC Press, Cleveland (2007). |
4 | P. Chabert and N. Braithwaite, Physics of Radio- Frequency Plasmas, Cambridge University Press, Cambridge (2011). |
5 | S. H. Lee, P. K. Tiwari, J. K. Lee, Plasma Sources Sci. Technol., 18 (2009) 025024. DOI |
6 | M. H. Jeon, A. K. Mishra, S.-K. Kang, K. N. Kim, I. J. Kim, S. B. Lee, T. H. Sin, G. Y. Yeom, Curr. Appl. Phys., 13 (2013) 1830. DOI |
7 | M. H. Jeon, K. C. Yang, K. N. Kim, G. Y. Yeom, Vacuum 121 (2015) 294. DOI |
8 | S. H. Song, M. J. Kushner, J. Vac. Sci. Technol. A 32 (2014) 021306. DOI |
9 | J. K. Kim, S. I. Cho, S. H. Lee, C. K. Kim, K. S. Min, S. H. Kang, G. Y. Yeom, J. Vac. Sci. Technol., A 31 (2013) 061310. |
10 | X. Zhao, J. A. del Alamo, IEEE Electron Device Lett., 35 (2014) 521. DOI |
11 | W. Kim, J. Jeong, Y. Kim, W. C. Lim, J. H. Kim, J. H. Park, H. J. Shin, Y. S. Park, K. S. Kim, S. H. Park, Y. J. Lee, K. W. Kim, H. J. Kwon, H. L. Park, H. S. Ahn, S. C. Oh, J. E. Lee, S. O. Park, S. Choi, H. K. Kang, C. Chung, IEDM Tech. Dig., (2011) 531. |
12 | P. Bodart, M. Brihoum, G. Cunge, O. Joubert, N. Sadeghi, J. Appl. Phys., 110 (2011) 113302. DOI |
13 | K. Eriguchi, Y. Nakakubo, A. Matsuda, Y. Takao, K. Ono, Jpn. J. Appl. Phys., 49 (2010) 056203. DOI |
14 | S. Banna, A. Agarwal, G. Cunge, M. Darnon, E. Pargon, O. Joubert, J. Vac. Sci. Technol., A 30 (2012) 040801. |
15 | D. J. Economou, J. Phys. D: Appl. Phys., 47 (2014) 303001. DOI |
16 | C. Grabowski, J. M. Gahl, J. Appl. Phys., 70 (1991) 1039. DOI |
17 | A. Agarwal, P. J. Stout, S. Banna, S. Rauf, K. Collins, J. Vac. Sci. Technol., A 29 (2011) 011017 |
18 | R. W. Boswell, D. Henry, Appl. Phys. Lett., 47 (1985) 1095. DOI |
19 | R. W. Boswell, R. K. Porteous, J. Appl. Phys., 62 (1987) 3123. DOI |
20 | S. Samukawa, S. Furuoya, Appl. Phys. Lett., 63 (1993) 2044. DOI |
21 | K. Takahashi, M. Hori, T. Goto, Jpn. J. Appl. Phys., 32 (1993) L1088. DOI |
22 | C. P. Etienne, M. Darnon, L. Vallier, E. Pargon, G. Cunge, F. Boulard, O. Joubert, S. Banna, T. Lill, J. Vac. Sci. Technol., B 28 (2010) 926. |
23 | A. Mishra, J. S. Seo, K. N. Kim, G. Y. Yeom, J. Phys., D 46 (2013) 235203. |
24 | D. Borah, M. T. Shaw, S. Rasappa, R. A. Farrell, C. O'Mahony, C. M. Faulkner, M. Bosea, P. Gleeson, J. D. Holmes, M. A. Morris, J. Phys., D: Appl. Phys., 44 (2011) 174012. DOI |
25 | A. Agarwal, S. Rauf, K. Collins, J. Appl. Phys., 112 (2012) 033303. DOI |
26 | J. Matsui, N. Nakano, Z. Lj. Petrovic', T. Makabea, Appl. Phys. Lett, 78 (2001) 883. DOI |
27 | S. Banna, A. Agarwal, K. Tokashiki, H. Cho, S. Rauf, V. Todorow, K. Ramaswamy, K. Collins, P. Stout, J.-Y. Lee, J. Yoon, K. Shin, S.-J. Choi, H.- S. Cho, H.-Y. Kim, C. Lee, D. Lymberopoulos, IEEE Trans. Plasma Sci., 37 (2009) 1730. DOI |
28 | Y. Ichihashi, Y. Ishikawa, R. Shimizu, S. Samukawa, J. Vac. Sci. Technol., B 28 (2010) 577. |
29 | K. Tokashiki, H. Cho, S. Banna, J.-Y. Lee, K. Shin, V. Todorow, W.-S. Kim, K. Bai, S. Joo, J.-D. Choe, K. Ramaswamy, A. Agarwal, S. Rauf, K. Collins, S. Choi, H. Cho, H. J. Kim, C. Lee, D. Lymberopoulos, J. Yoon, W. Han, J.-T. Moon, Jpn. J. Appl. Phys., 48 (2009) 08HD01. |
30 | C. J. Choi, O. S. Kwon, Y. S. Seol, Jpn. J. Appl. Phys., 37 (1998) 6894. DOI |
31 | T. Ohmori, T. K. Goto, T. Kitajima, T. Makabe, Appl. Phys. Lett., 83 (2003) 4637. DOI |
32 | M. V. Malyshev, V. M. Donnelly, J. Appl. Phys., 87 (2000) 1642. DOI |
33 | M. V. Malyshev, V. M. Donnelly, J. Appl. Phys., 90 (2001) 1130. DOI |
34 | R. Westerman, D. Johnson, S. Lai, U.S. patent 6, 905, 626 (2005). |
35 | T. Mukai, H. Hada, S. Tahara, Hiroaki Yoda, S. Samukawa, Jpn. J. Appl. Phys., 45 (2006) 5542. DOI |
36 | A. Agarwal, S. Rauf, K. Collins, Appl. Phys. Lett, 99 (2011) 021501. DOI |
37 | K. Nojiri, Dry Etching Technology for Semiconductors, Springer, Switzerland (2015). |
38 | C. O. Jung, K. K. Chi, B. G. Hwang, J. T. Moon, M. Y. Lee, J. G. Lee, Thin Solid Films, 341 (1999) 112. DOI |
39 | M. Miyake, N. Negishi, M. Izawa, K. Yokogawa, M. Oyama, T. Kanekiyo, Jpn. J. Appl. Phys., 48 (2009) 08HE01. |
40 | C. P. Etienne, M. Darnon, P. Bodart, M. Fouchier, G. Cunge, E. Pargon, L. Vallier, O. Joubert, S. Banna, J. Vac. Sci. Technol., B 31(2013) 01120. |
41 | T. H. Ahn, K. Nakamura, H. Sugai, Plasma Sources Sci. Technol., 5 (1996) 139. DOI |
42 | S. Samukawa, K. Terada, J. Vac. Sci. Technol., B 12 (1994) 3300. |
43 | S. Samukawa, H. Ohtake, T. Mieno, J. Vac. Sci. Technol., A 14 (1996) 3049. |
44 | S. Samukawa, Appl. Phys. Lett., 64 (1994) 3398. DOI |
45 | M. Sumiya, H. Tamura, S. Watanabe, Jpn. J. Appl. Phys., 41 (2002) 856. DOI |
46 | N. Fugiwara, T. Maruyama, H. Miyatake, Jpn. J. Appl. Phys., 37 (1998) 2302. DOI |
47 | T. Maruyama, N. Fujiwara, S. Ogino, H. Miyatake, Jpn. J. Appl. Phys., 37 (1998) 2306. DOI |
48 | T. Ono, T, Mizutani, Y. Goto, T. Kure, Jpn. J. Appl. Phys., 39 (2000) 5003. DOI |
49 | K. Ono, M. Tuda, Thin Solid Flims, 374 (2000) 208. DOI |
50 | M. Matsui, M. Morimoto, N. Ikeda, K. Yokogawa , Jpn. J. Appl. Phys., 53 (2014) 03DD04. DOI |
51 | C. P. Etienne, E. Pargon, S. David, M. Darnon, L. Vallier, O. Joubert, S. Banna, J. Vac. Sci. Technol., B 30 (2012) 1071. |
52 | A. Sankaran, M. J. Kushner, Appl. Phys. Lett., 82 (2003) 1824. DOI |
53 | S. Takagi, S. Onoue, K. Nishitani, T. Shinnmura, Y. Shigesato, Jpn. J. Appl. Phys., 54 (2015) 036501. |
54 | B. S. Kwon, J. S. Kim, N.-E. Lee, J. W. Shon, J. Electrochem. Soc., 157 (2010) D135. DOI |
55 | B. S. Kwon, J. S. Kim, H. K. Moon, N.-E. Lee, Thin Solid Films, 518 (2010) 6451. DOI |
56 | M. Wang, M. K. Kushner, J. Appl. Phys., 107 (2010) 023309. DOI |
57 | A. Agarwal, P. J. Stout, S. Banna, S. Rauf, K. Tokashiki, J. Y. Lee, K. Collins, J. Appl. Phys., 106 (2009) 103305. DOI |
58 | P. Subramonium, M. K. Kushner, J. Appl. Phys., 96 (2004) 82. DOI |
59 | T. Tatsumi, H. Hayashi, S. Morishita, S. Noda, M. Okigawa, N. Itabashi, Y. Hikosaka, M. Inoue, Jpn. J. Appl. Phys., 37 (1998) 2394. DOI |
60 | T. F. Yen, K. J. Chang, K.-F. Chiu, Microelectron. Eng., 82 (2005) 129. DOI |
61 | M. Darnon, C. P. Etienne, E. Pargon, G. Cunge, L. Vallier, P. Bodart, M. Haas, S. Banna, T. Lill, O. Jouberta, ECS Trans., 27 (2010) 717. |
62 | T. Mukai, H. Hada, S. Tahara, H. Yoda, S. Samukawa, Jpn. J. Appl. Phys., 45 (2006) 5542. DOI |
63 | T. Mukai, N. Ohshima, H. Hada, S. Samukawa, J. Vac. Sci. Technol., A 25 (2007) 432. |
64 | K. Sugiura, S. Takahashi, M. Amano, T. Kajiyama, M. Iwayama, Y. Asao, N. Shimomura, T. Kishi, S. Ikegawa, H. Yoda, A. Nitayama, Jpn. J. Appl. Phys., 48 (2009) 08HD02. |
65 | T. Ogata, K. Nakata, T. Ono, Hitachi Rev., 48 (1999) 6. |
66 | V. M. Donnelly, A. Kornblit, J. Vac. Sci. Technol., A 31 (2013) 050825. |
67 | M. H. Jeon, D. H. Yun, K. C. Yang, J. Y. Youn, D. Y. Lee, T. H. Shim, J. G. Park, G. Y. Yeom, J. Nanosci. Nanotechnol., 14 (2014) 9680. DOI |
68 | M. H. Jeon, J. Y. Youn, K. C. Yang, D. H. Youn, D. Y. Lee, T. H. Shim, J. G. Park, G. Y. Yeom, J. Nanosci. Nanotechnol., 14 (2014) 9541. DOI |
69 | M. H. Jeon, H. J. Kim, K. C. Yang, S. K. Kang, K. N. Kim, G. Y. Yeom, Jpn. J. Appl. Phys., 52 (2013) 05EB03. DOI |
70 | K. C. Yang, M. H. Jeon, G.Y. Yeom, Jpn. J. Appl. Phys., 54 (2015) 01AE01. DOI |
71 | Terabit Memory Development 1st year of 1st phase (2010) Work Shop. |
72 | STT-MRAM 1st year of 1st phase (2009) 2nd Work Shop. |