• Journal of Radiation Protection and Research
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• 제26권3호
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• pp.281-286
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• 2001

The composition and design of a real-time personal dose measurement and management system are described in this paper. Accordingly, some pertinent hardware circuits and software codes including their operation modes have also been presented.

• ETRI Journal
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• 제31권6호
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• pp.725-731
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• 2009

In this paper, electrostatic discharge (ESD) protection circuits with an advanced substrate-triggered NMOS and a gate-substrate-triggered NMOS are proposed to provide low trigger voltage, low leakage current, and fast turn-on speed. The proposed ESD protection devices are designed using 0.13 ${\mu}m$ CMOS technology. The experimental results show that the proposed substrate-triggered NMOS using a bipolar transistor has a low trigger voltage of 5.98 V and a fast turn-on time of 37 ns. The proposed gate-substrate-triggered NMOS has a lower trigger voltage of 5.35 V and low leakage current of 80 pA.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제28권9호
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• pp.555-560
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• 2015

This paper was proposed 900 V Power MOSFET with ESD protection circuits using zener diodes. And we were carried out and analyzed its electrical characteristics. As a result of designing 900 V power MOSFET, we obtained 1,000 V breakdown voltage, 3.49 V threshold voltage and $0.249{\Omega}{\cdot}cm^2$. And we designed ESD circuits using 2 series zener diode and 4 series zener diodes. After analyzing electrical characteristics, we obtained 26 V forward voltage drop and 47 V breakdown voltage. Therefore, This devices can enoughly use power module, SMPS and Automotive.

• 대한안전경영과학회:학술대회논문집
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• 대한안전경영과학회 2001년도 춘계학술대회
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• pp.67-75
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• 2001

Circuitry to be connected to a Telecommunication Network consists of SELV CIRCUITS or TNV CIRCUITS. So International Standards, like as ITU-T Recommendation K.11, UL 1950, CSA C22.2 950 have been taken to reduce the risk that the Overvoltages from the power lines and from electrictraction lines, that may be received from the telecommunication network. Legal requirements may exist regarding permission to connect equipment having PTC components to a telecommunication network. Surge suppressors that bridge the insulation shall have a minimum d.c. sparkover voltage of 1.6 times the rated voltage or 1.6 times the upper voltage of the tared voltage range of the equipment. If left in place during electric strength testing of insulation, they shall not be damaged. In this work, The Conception ＆ Fail-Mode Analysis of PTC components for Over-Current Protection is proposed. It guarantees the protection for PL Claim about this Subject.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 E
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• pp.1675-1677
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• 1998

It is currently increasing to use surge protection devices in the protection of various electronic circuits from the transient overvoltages such as lightning strikes and switching surges. For this reason, the simulation methods, which can easily predict the protection performance of the devices, are strongly required in order to design the adequate surge protection circuits in lightning surge cut-off performance and economic aspects. This paper deals with ZnO varistor modeling method for designing a surge protection circuit and suggests the Pspice simulation model which takes the characteristic of varying clamping voltage into consideration during the time-to-crest, in range of $8{\sim}30{\mu}s$, of surge current applied to a ZnO varistor. The ZnO varistor Pspice simulation data introduced in this paper has produced almost same values as the measured results experimentally.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제47권8호
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• pp.36-46
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• 2010

본 논문은 수 GHz를 상회하는 동작 주파수를 갖는 RF집적회로와 고속 디지털 인터페이스를 위한 ESD 보호회로의 다양한 설계방법을 기술한다. 입/출력에 상당한 양의 기생 커패시턴스를 가지는 ESD 보호소자는 입/출력 임피던스 매칭에 영향을 주며, 이득, 잡음 등의 RF특성을 열화시킨다. 본 논문에서는 이와 같은 ESD 보호소자의 악영향에 대해 분석하고, 이를 감쇄시킬 수 있는 방안을 논한다. 또한 RF 특성과 ESD 내성 측정을 통해 RF/ESD 병합설계 방법을 기존의 RF ESD 보호소자의 설계방법과 비교, 분석한다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제47권4호
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• pp.75-87
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• 2010

표준 CMOS 공정에서 제작 가능한 보호용 싸이리스터 소자와 다이오드 소자를 사용하는 RF IC용 두 가지 입력 ESD 보호회로 방식을 대상으로, 2차원 소자 시뮬레이터를 이용하는 DC 해석, 혼합모드 과도해석 및 AC 해석을 통해 보호용 소자내 격자온도 상승 및 입력버퍼단의 게이트 산화막 인가전압 측면에서의 HBM ESD 보호강도에 대한 심도있는 비교 분석을 시도한다. 이를 위해, 입력 ESD 보호회로가 장착된 CMOS 칩의 입력 HBM 테스트 상황에 대한 등가회로를 구성하고, 5가지 HBM 테스트 모드에 대해 최대 6개의 보호용 소자를 포함하는 혼합모드 과도 시뮬레이션을 시행하고 그 결과를 분석함으로써 실제 테스트에서 발생할 수 있는 문제점들에 대한 상세한 분석을 시도한다. 이 과정에서 보호용 소자 내 바이폴라 트랜지스터의 트리거를 수월케 하는 방안을 제안하며, 두 가지 보호회로 방식에서 내부회로의 게이트 산화막 파괴는 보호용 소자 내에 존재하는 NMOS 구조의 접합 항복전압에 의해 결정됨을 규명한다. RF IC용 입력 보호회로로서의 두 가지 보호방식의 특성 차이에 대해 설명하는 한편, 각 보호용 소자와 회로의 설계와 관련되는 유용한 기준을 제시한다.

• 전기저널
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• 3호통권75호
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• pp.25-27
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• 1983

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제53권3호
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• pp.149-156
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• 2004

This paper deals with the effective protection method for the household electric appliances against lightning surges invading from the Power lines. Direct or induced lightning is the main cause of the breakdown of household electric appliance. The most effective protection method is to install SPDs(surge protective devices) at household electric appliances. If SPDs were not installed at most household electric appliances, it is necessary to install SPDs on the mains. Therefore the propagation aspect and protection methods of lighting surges coming into household electric appliances through the mains was experimentally investigated. The in actual-sized test circuits results of protection method for 8 household electric appliances including computer monitors and TV set could be summarized as follows: The breakdown characteristics of household electric appliances from lightning surges were significantly changed with the their input impedance. Namely, the types of input impedance are classified into infinite, resistive or inductive impedances. Especially, the monitor for computer with inductive input impedance from lightning surges was relatively weak against lightning surges. It was confirmed that the self inductance of branch circuits on the mains have protection effect for household electric appliances against lightning surges invading from the power lines. Also the varistors installed at cabinet panel or circuit-breaker were more effective than multi-tap outlet with varistors. When installed varistors in cabinet panel and multi-tap outlet together, the surge protection effect is much more excellent in technical and economical aspects.

• 전기전자학회논문지
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• 제8권1호
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• pp.136-144
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• 2004

2차원 소자 시뮬레이터를 이용한 AC 해석 결과를 토대로 ESD 보호용 소자의 AC 등가회로 모델링을 시도한다. NMOS 보호용 트랜지스터의 AC 등가회로는 다소 복잡한 형태로 모델링되며, 이를 간단히 RC 직렬회로로 모델링할 경우 주파수 영역에 따라 오차가 크게 발생할 수 있음을 설명한다. 또한 싸이리스터형 pnpn 보호용 소자의 등가회로는 간단히 RC 직렬회로로 모델링될 수 있음을 보인다. 추출한 등가회로를 이용한 회로 시뮬레이션에 근거하여, 주요 RF 회로의 하나인 LNA에 ESD 보호용 소자를 장착할 경우 보호용 소자의 기생성분이 LNA의 특성에 미치는 영향에 대해 조사해 본다. NMOS 보호용 트랜지스터를 단순히 커패시터 하나만으로 모델링할 경우 회로특성의 예측에 큰 오류가 발생할 수 있음을 설명한다. 또한 제시한 pnpn 보호용 소자를 사용할 경우 보호용 소자의 장착에 의한 LNA 회로의 특성 열화가 크게 감소될 수 있음을 확인한다.